基本資料
| 攤位 | T9210 |
| 國別 | CN |
| 網站 | www.hkyq.com.cn |
公司簡介
浙江杭可儀器有限公司亦以 ATiS HangKe 名稱出現，其沿革可追溯至 1984 年創立的杭州可靠性儀器廠，總部位於中國杭州。公司將自身描述為具悠久歷史與深厚技術累積的高階裝備製造企業，專注於半導體可靠度測試與特種電源領域。公司業務定位涵蓋測試解決方案、高效測試系統服務與電子電源設備研發。歷經數十年創新累積，杭可表示已具備涵蓋全系列電子元件的老化篩選設備與測試系統。公司表示具備成熟的銷售體系與售後團隊，可快速回應客戶需求，產品與服務供應至廣泛市場。公司的研發能力曾多次獲得省部級科技進步獎項。2020 年，公司更名為浙江杭可儀器有限公司。2026 年，公司成為杭可科技股份有限公司控股子公司，該公司股票代碼列為 688006。杭可提出「高質、高效、高速」的發展策略，在半導體產業中強調品質、技術與客戶。公司亦將節能、降低消耗與環境協調列為推動永續發展的一部分。
展出產品
杭可的晶圓級可靠度測試系統依 JEDEC 可靠度測試標準設計，適用於 6 吋與 8 吋晶圓級元件在可控高溫下進行帶電可靠度測試。CWBS1000 晶圓級可靠度測試系統提供高精度高電壓輸出，可長期記錄高精度電流與可控溫度等參數，並依記錄的測試資料輸出多種格式的實驗表格與 MAP 圖。客製化探針台可支援最多 3 片晶圓同時進行老化測試，並對每個晶圓 Die 提供獨立保護，控制過流與過壓越限。系統支援氮氣保護以防止晶圓氧化，充氣時具過壓保護，可更換探針卡以測試不同封裝器件，並支援晶圓安裝觸點到位檢測。系統提供即時溫度與壓力檢測，支援 HTGB、HTRB 等老化功能，以及 Vth、Idss、Igss 等參數的自動測試與資料分析。CWBS1000 內建晶圓布局 MAP 設定、即時資料顯示與歷史資料查詢，支援 SECS-II 協議、接入集控站，並可客製化與 MES 系統整合。其標示運作範圍包括室溫至 200°C，適用於 SiC 等 6 吋與 8 吋晶圓，溫度過衝低於 2°C，柵極電壓輸出為 ±60V，精度標示 0.1%+10mV。柵極電流規格包括單工位 HTGB 0.1nA 至 0.1mA、精度 1%±5LSB，以及單工位 Vth 20mA、精度 0.1%±20uA。漏極規格列出 2000V 輸出，精度為 0.5%*Vmax±1000mV；單工位漏極電流範圍為 1nA 至 1mA，精度 1%±2LSB。系統列出 HTRB 過衝低於 2%、HTGB 過衝低於 200mV，通訊方式為 TCP/UDP 網路或 485 串口，作業系統為 Windows10 及以上，並支援 SECS-II 對接第三方系統與資料。CWBS1000 整機重量標示 760kg±10%，尺寸為 2050mm(W) x 1400mm(D) x 1750mm(H)，單腔體尺寸 1920mm(W) x 1250mm(D) x 303mm(H)，適用標準包括 AEC Q101、JEP 183、IEC 60749-23 與 JESD 22-A108F。此產品適用於 SiC 等晶圓的高溫、高電壓可靠度測試，並支援 Vth、Igss、Idss 參數的自動量測與分析。杭可亦列出大型積體電路老化測試系統，可在 RT~+150°C 對晶片進行 HTOL 測試，老化過程中即時監控元件輸出訊號並自動比對向量。另一種大型積體電路老化測試配置支援雙溫區，可在 RT~+150°C 進行 HTOL 老化測試，並即時偵測輸出訊號與自動比對向量。更廣泛的可靠度測試產品線亦包括 IGBT 功率循環測試系統。MCT-3600V-S 老化座採 PPS+gf30 黑色本體、BeCu 接點，以及 Ni-base 上的 Au plating。MCT-3600V-S 額定電流為 1A，絕緣電阻標示 1000mΩ min. at 500V DC，接觸電阻標示 100mΩ max. at 100mA max，使用溫度範圍為 -55℃ 至 +175℃。MCT-3600V-S 頁面列出的抗疲勞規格為 50000 cycle，並註明結果可能因測試條件不同而異。TQFP-64-0.5-01 老化座採 PEI+gf30 黑色本體、BeCu 接點，以及 Ni-base 上的 Au plating。TQFP-64-0.5-01 同樣額定電流 1A，絕緣電阻為 1000mΩ min. at 500V DC，接觸電阻為 100mΩ max. at 100mA max，使用溫度範圍為 -55℃ 至 +175℃。其抗疲勞規格為 50000 cycle，並同樣註明不同測試條件可能產生不同結果。
能力與產品項目
- 6／8 吋晶圓 HTGB／HTRB 可靠度測試系統（最高 200°C、最多 3 片並測）
- 晶圓 Vth／Idss／Igss 自動量測與資料分析
- 可靠度測試設備 SECS-II 與 MES 整合
- IC HTOL 老化測試系統（雙溫區、室溫至 +150°C、即時訊號監測與自動向量比對）
- IGBT 功率循環測試系統
- 半導體老化測試座（-55°C 至 +175°C）
- 特殊電源設備研發