基本情報
| ブース | J3353 |
| 国 | TW |
| ウェブサイト | www.waferworks.com/en |
会社概要
Wafer Works Corporationは1997年に設立され、顧客中心の半導体材料ソリューションプロバイダーとして事業を展開しています。台湾に本社を置き、シリコンウェハおよび関連半導体材料の研究開発、製造、販売に注力しています。世界市場に向けて半導体シリコンウェハを供給し、高品質な製品とサービスの提供を重視しています。主力事業は半導体基板材料、特にシリコンウェハであり、下流のデバイス製造ではありません。材料技術と結晶成長からエピタキシャル成長までの一貫技術を組み合わせ、デバイス要件や顧客用途に適した製品を提供します。12インチ、300 mmウェハの能力増強では二林工場への投資を進め、2026年に同工場で最初の結晶インゴットを生産したと報告しています。技術開発では自社技術の蓄積とウェハ寸法開発の効率化を重視し、研究・技術革新の期間短縮と対象市場への迅速な展開を目指しています。
展示製品
Wafer Works Corporationは、さまざまなドーピング条件に対応した12インチ以下の研磨ウェハ、エピタキシャルウェハ、両面研磨ウェハ、ラップウェハ、エッチングウェハ、超厚膜ウェハ、超薄ウェハ、SOIウェハを供給します。カスタムウェハサービスも提供し、デバイスと最終用途ごとの要件に合わせて材料と生産技術を組み合わせます。8インチ製品では、部品と用途のカテゴリーに基づく製品構成を用意し、他のサイズのウェハでも同様の構成を提供しています。特定用途向けには、超低抵抗率から超高抵抗率までの研磨ウェハ、N型またはP型エピタキシャル、SOIを選択でき、MEMS、パワーMOSFET、PMICなどに対応します。パワーデバイス向けには、低抵抗率または超低抵抗率の研磨ウェハとN型またはP型エピタキシャルを組み合わせ、パワーMOSFET、BJT、ダイオード、サイリスタ、IGBT、CoolMOS、スーパージャンクションなどに対応します。イメージング向けには低抵抗率研磨ウェハとN型またはP型エピタキシャルを用意し、イメージセンサーやCISに使用します。アナログ向けには軽ドープ研磨ウェハとN型またはP型エピタキシャルを用い、LEDドライバーやPMICに対応します。ロジック向けには軽ドープ研磨ウェハとN型またはP型エピタキシャルを用い、標準ロジックICやASICに対応します。RF向けには超高抵抗率研磨ウェハ、N型またはP型エピタキシャル、SOIに加え、GaNエピタキシャル成長に使用できる研磨ウェハを提供します。技術プラットフォームは結晶成長、ウェハ加工、エピタキシャル技術にまたがり、結晶成長からエピタキシャル成膜までの一貫能力を構成します。結晶成長技術には熱場設計、制御システム設計、結晶成長シミュレーション、高ドープによる超低抵抗率結晶成長、軽ドープによる超低欠陥結晶成長、高抵抗率・低酸素結晶成長、多元素ドーピング結晶成長があります。ウェハ技術にはウェハ応力制御、両面研磨、ウェハ裏面コーティング、熱処理、ウェハ接合があります。エピタキシャル技術には多層エピタキシャル、超厚エピタキシャル、埋込層エピタキシャル、異種エピタキシャルがあります。これらの能力により、パワー、イメージング、アナログ、ロジック、RF、MEMSなどの半導体デバイス要件に合わせてシリコンウェハ材料を構成できます。製品群は標準ウェハ分類、用途別の抵抗率とドーピング、エピタキシャルとSOI、GaN成長対応研磨ウェハ、カスタムウェハサービスを一つの半導体材料プラットフォームに統合しています。
対応領域・製品
- 研磨シリコンウェハ
- エピタキシャルウェハ
- 両面研磨ウェハ
- ラップウェハ
- エッチドウェハ
- 超厚・超薄ウェハ
- SOIウェハ