基本資料
| 攤位 | J3353 |
| 國別 | TW |
| 網站 | www.waferworks.com/en |
公司簡介
合晶科技股份有限公司成立於 1997 年，並以「以客為本的半導體材料供應商」定位其服務。公司總部位於台灣，專注於矽晶圓與相關半導體材料的研發、製造與銷售。合晶科技股份有限公司將自身定位為世界級半導體矽晶圓供應商，致力於向全球客戶提供高品質產品與服務。公司的主要業務是半導體基板材料，尤其是矽晶圓，而不是下游元件製造。公司結合材料專業與從長晶到磊晶的整合技術，依元件需求與客戶應用選擇合適產品。12 吋、300 毫米晶圓產能的擴充包含二林廠投資，該廠於 2026 年產出首支晶棒。合晶科技股份有限公司在技術開發上重視自主能力與晶圓尺寸開發效率，以縮短研究與創新週期並更快進入目標市場。
展出產品
合晶科技股份有限公司供應各種摻質的 12 吋含以下拋光晶圓、磊晶晶圓、雙拋晶圓、研磨晶圓、蝕刻晶圓、超厚晶圓、超薄晶圓與 SOI 晶圓。公司也提供客製化晶圓服務，依不同元件與終端應用需求搭配材料與製造技術。以 8 吋產品為例，產品布局會依元件與應用分類，公司也表示其他尺寸晶圓採用相似的產品布局。特殊應用可選擇從超低電阻率到超高電阻率的拋光晶圓，並提供 N 型或 P 型磊晶與 SOI 選項，可用於 MEMS、功率 MOSFET、PMIC 等元件。功率元件使用低電阻率或超低電阻率拋光晶圓，搭配 N 型或 P 型磊晶，可對應功率 MOSFET、BJT、二極體、閘流體、IGBT、CoolMOS、超接面元件等。影像應用提供低電阻率拋光晶圓與 N 型或 P 型磊晶，用於影像感測器與 CIS。類比應用使用輕摻雜拋光晶圓與 N 型或 P 型磊晶，可對應 LED 驅動 IC 與 PMIC。邏輯應用則以輕摻雜拋光晶圓及 N 型或 P 型磊晶對應標準邏輯 IC 與 ASIC。RF 應用產品包括超高電阻率拋光晶圓、N 型或 P 型磊晶、SOI 選項，以及可直接進行 GaN 磊晶的拋光晶圓。公司的技術平台橫跨長晶、晶圓加工與磊晶技術，形成從晶體成長到磊晶沉積的整合能力。長晶技術包括熱場設計、控制系統設計、長晶模擬、以高摻雜實現超低電阻率長晶、以輕摻雜實現超低缺陷長晶、高電阻率低氧含量長晶，以及多元素摻雜長晶。晶圓加工技術包括晶圓應力控制、雙面拋光、晶圓背面鍍膜、熱處理與晶圓接合。磊晶技術包括多層磊晶、超厚磊晶、埋層磊晶與異質磊晶。這些能力讓合晶科技股份有限公司可以針對功率、影像、類比、邏輯、RF、MEMS 等半導體元件需求配置矽晶圓材料，而不是只提供單一規格的晶圓。整體產品因此把標準晶圓分類、依應用選擇的電阻率與摻雜條件、磊晶與 SOI 選項、可進行 GaN 磊晶的拋光晶圓，以及客製化晶圓服務整合在同一個半導體材料平台中。
能力與產品項目
- 拋光矽晶圓
- 磊晶晶圓
- 雙面拋光晶圓
- 研磨晶圓
- 蝕刻晶圓
- 超厚／超薄晶圓
- SOI 晶圓