Omni Matcher · SEMICON Taiwan 2026 · 展商名單

友威科技股份有限公司

SEMICON Taiwan 2026 參展廠商 · 攤位 M1254

攤位 M1254國別 TW28 個產品主題
鈦銅電漿鍍膜時，友威科技股份有限公司能提供哪種參數最佳化能力？友威科技股份有限公司的攤位位置收藏這家我的收藏清單
中文English日本語한국어
展會資訊

基本資料

攤位M1254
國別TW
網站www.uvat.com
展商資料

公司簡介

友威科技股份有限公司成立於 2002 年，由具有多年真空技術經驗的專業人員組成，投入 Physical Vapor Deposition（PVD）與乾式蝕刻技術的設計與開發，乾式蝕刻包括 ICP、RIE、Ion beam 與 Micro wave。 公司的技術基礎涵蓋 PVD 的濺鍍、蒸鍍與蒸濺鍍，CVD 的 PECVD、MOCVD 與 ThermalCVD，以及以 ICP、RIE、Ion beam、Micro wave 為核心的乾式蝕刻設備。 友威科技股份有限公司持續開發電漿技術，並與客戶共同研究新應用領域、薄膜特性、製程硬體與新製程。 服務範圍包括提供測試樣品、量產系統規畫、EFEM 設計、自動化設計、既有設備改造與設備功能提升。 公司設有售後服務團隊，同時供應濺鍍設備並提供鍍膜 OEM 代工服務，使設備、製程與代工服務能在同一業務範圍內提供。 其專業技術服務領域包括 5G communication、PCB、IC Substrate、Semiconductor、IC Package、Tablets NB、Smart、Automobile parts 與 LED。 較廣的產業範圍亦涵蓋 3C 電子、鞋業、太陽能、光學、觸控、生物科技、車用零配件、封裝等與鍍膜及電漿製程相關的應用。 友威科技股份有限公司重視與客戶的長期夥伴關係，協助提升製程能力、共同開發新製程，並以製程能力與代工服務支援設備訂單、製程代工及產能調整。 以 PVD 技術為基礎，公司已開發太陽能板與觸控面板的濺鍍應用，並提供客製化製程開發與設備製造。 PVD 應用方向還包括手機與筆電 EMI 薄膜鍍膜、裝飾性鍍膜、觸控應用、LED 陶瓷散熱基板的導電薄膜，以及生物科技與醫療用品相關應用。 集團成員資料列出台灣台中與桃園、中國深圳與重慶，以及馬來西亞 Muar 等營運據點，成立年份分別列為台中 2002、桃園 2002、深圳 2004、重慶 2011、Muar 2024。 各據點列出的業務包括 PVD 設備研發與製造、設備售服、PVD 零組件、鍍膜代工、新 PVD 製程與設備開發、光學與 ITO 鍍膜、功能性與外觀鍍膜、LED 散熱基板、血糖測試片及區域 PVD 代工。 友威科技股份有限公司獲得 2025 年第 9 屆經濟部「國家產業創新獎」，其鈦銅種子層濺鍍機另獲第 29 屆台灣精品獎。 友威科技股份有限公司表示其為台灣最具規模的專業 PVD 鍍膜代工服務公司，並以成為能提供更全面產品與服務的台灣專業 PVD 製造商為目標。

展商資料

展出產品

友威科技股份有限公司供應真空濺鍍設備、電漿設備、乾式蝕刻設備與真空鍍膜 OEM 服務，能力包括高溫 degas 智能迴路系統、低溫 PVD 智能監控系統、Pre-clean 系統、Particle 抑制系統、鈦銅電漿鍍膜、鈦銅鍍膜參數最佳化、電漿乾式蝕刻、立式連續式電漿蝕刻、Plasma Desmear 與 Plasma Descum。 設備與代工服務亦包括設備銷售支援、與客戶共同研發新製程及設備技術、協助建構產量與改善問題，以及滿足客戶特有需求的客戶服務。 先進半導體封裝用 Ti-Cu Seed layer In line Vacuum Sputtering Equipment 為 Inline Sputter system，可用於 UBM(Under Bump Metallurgy)、RDL(Redistribution Layer) 與 Sputter Ti/Cu seed layer，具備低溫濺鍍、低產出時間／高產能設計、側壁覆蓋、薄膜附著與載具自動回流。 Non Plating Line 採用 Inline Sputter system，對應 Non Plating Line 與 Coreless Substrate 應用，具有 InLine 生產穩定快速、低生產成本與耗材、省資源、均勻性與再現性、自動收放板連結，以及無毒無廢水的環保製程。 High heat dissipation film_Nano silver sputtering 系統採用 Inline Sputter system 與多層金屬結構，具有奈米銀合金附著與導熱效果，並結合低溫濺鍍、高產能設計、側壁覆蓋、薄膜附著與載具自動回流。 Horizontal continuous EMI sputtering equipment 以 Inline Sputter system 執行 SIP EMI 與 >5um 厚膜製程，結合高散熱技術、低溫濺鍍、高產能設計、側壁覆蓋、薄膜附著、載具自動回流與高鍍膜品質。 Vertical Plasma Etch Equipment(Inline system) 可執行 Plasma Via Desmear 與 Dry Film Descum，並具備 PCB 基板蹺曲抑制、低溫製程、RF 非等向性蝕刻、均勻氣體分布、基板外圍夾持，以及 L/S < 2um、Via < 30um 的圖形能力。 Horizontal Plasma Etch Equipment 涵蓋 Dielectric Etch、Plasma Metal Etch、Fine line Etch，以及 Plasma Thin down 的 Plasma ABF Etching、Plasma EMC Etching、Molding Compound Etching，並包含 Desmear、Descum 與用於 Contact Angle、Wetting 的 Plasma Pre-treatment。 水平式電漿平台具備高速乾式蝕刻、高蝕刻均勻性、模組化低成本與低佔地設計，可用於 Panel Fan-Out FOPLP/FOWLP 與高階載板，並可搭配 semiconductor-grade EFEM 配置。 Vacuum Oven 支援 Vacuum Degas、Deep water vapor removal、Material Curing、Anti-oxidation 與 Residual Gas Analyzer，並具備深層水氧移除、多片同時加熱、高均溫、溫度與時間程式化控制、殘留水氧偵測，以及基板尺寸與片數客製化。 Dry microplasma equipment 可進行 Plasma dry etching(Desmear，Descum)、表面改質與粗糙化，處理 PP、PMMA、ABF、Epoxy 等材料以及 Wafer、Si、Glass、PP、PMMA、Cu 等基材，採多片式、高產能、低運轉成本、模組化設計，無特殊氣體需求，基板尺寸為 21” x 24”。 Metal plasma equipment／reactive plasma equipment 可乾式蝕刻 Cu、Ti、Ta、Si、SiO2、Pd 與 PP、PR、PMMA、ABF、Epoxy 等聚合物，基材包括 Wafer、Si、Glass、PP、PMMA、Cu，並具備高速蝕刻、高冷卻、低基材變形、高縱橫比蝕刻、模組化客製，基板尺寸為 4”、6”、8”、16” x 20”、20” x 24”。 表面改質、表面清潔與粗糙化應用使用電漿乾式蝕刻處理相同列出的金屬、聚合物與基材，具備高速製程、高冷卻、低基材變形、高縱橫比蝕刻、高產能、低運轉成本與模組化客製。 Silicon Wafer Etching Plasma／Reactive Ion Etching Plasma 以 RIE 處理 Si、SiO2、Si₃N₄，基材為 Wafer、Si、Glass，使用氣體列為 O2、Ar、N₂、CF₄、SF₆、CHF₃。 矽晶圓電漿設備適用 8” 與 12” 晶圓，結合高速乾式蝕刻、高冷卻、低基材變形、高縱橫比低側蝕、高產能、低運轉成本與模組化客製。 光學應用的 APOLLO OPTICS & REFLECTION 真空磁控鍍膜系統用於 NCVM 亮銀膜、增亮膜與多層膜，可在 glass、ceramics、composite board、explosion-proof membrane、PC injection transparent casing 等材料上形成手機背蓋色彩效果。 APOLLO 系統列出 NCVM 亮銀膜每天 20K Pieces 產能、多靶位膜系調整、均勻性、易操作與保養、精簡操作人力、低佔地、低運轉成本與可選自動化；相關立式連續濺鍍系統服務手持裝置、車載顯示、智慧居家顯示、攝影系統與光學儀器，可鍍 AR、Color Filter、AF 等膜層。 ATLAS 高真空濺鍍系統採連續式獨立製程腔，在石英基板上沉積電極層與蝕刻阻擋層用金屬薄膜，載具支援 Wafer Level 或 Panel Level 多片配置，並具有低溫成膜、均勻性、低薄膜應力與低 Particle 特性。 ATLAS 列出 Au-200nm 薄膜每 10 分鐘完成一爐、每爐可承載 4” 8pcs 或 100*100mm 石英 8pcs、200nm 成膜溫度低於 50℃、均勻性 < ±3% 扣除儀差後數據、尺寸 W3.5m*L8m*H2.5m、EFEM System 上下料與可選 SECS/GEM 軟體。 Car Wheel Product Line 以粉體製程搭配汽車鋁合金輪毂形成金屬鏡面外觀，作為取代污染水電鍍的製程，適用 OEM 與大量產輪毂鍍膜；輪毂尺寸 Φ23”~Φ18” J：~12”，機台尺寸 L 10.5M x W 2.5M x H 2.6M，產出 2pcs / 1min；(1pcs/2min)。 量產輪毂系統採多腔批次設計，可形成連續式量產系統，支援 Industry 4.0 自動化連結並預留機械手臂接點，也符合車廠生產履歷紀錄要求。 Car Wheel RD & AM tool 適用研發、小量產與改裝輪毂鍍膜，輪毂尺寸 Φ23”~Φ18” J：~12”，機台尺寸 L 3.5M x W 2.5M x H 2.6M，產出 1pcs / 10min，採單或多腔批次，可擴充連續量產，具 One Start 啟動，參數可轉移至量產機。 後視鏡鍍膜應用涵蓋 Automobile / Motorcycle / Truck / Aviation / Medical / Construction，包含 Chrome Mirror Coating、Aluminum Mirror Coating、Blue Mirror Coating，具多腔連續系統、自動上下料、反射率與穿透率調整、產出 < 50s/tray、曲率 300~1450，以及烘烤、切割、倒角、清洗整廠設備。 其他金屬製程設備列出尺寸 L 1200mm x W 10mm、機台 L 6M x W 6M x H 3.5M、每批次 40 min；塑膠製程設備列出尺寸 L 650mm x W 450mm、機台 L 9M x W 2.5M x H 2M、每盤 1 min，適用 2D 產品。 另一個 3D 產品配置列出尺寸 L 1200mm x W 10mm、機台 L 6M x W 6M x H 3.5M、每批次 40 min。 被動元件應用以真空鍍膜精準控制連續薄膜厚度並沉積於目標物，可用於薄膜電阻、薄膜電容、薄膜電感、鉭質元件、薄膜保護元件、高低阻膜、耐溫耐濕阻障膜與車載抗硫化膜。 被動元件設備採多腔連續系統與自動上下料，可選高低溫真空加熱與電漿清潔，提供 Face to Face 高均勻性緻密膜層、生產履歷紀錄，以及低於 40min 的高真空快速再生系統以提高產能。 LED 應用中的 Aluminum Nitride 膜層可提升亮度、縮短 GaN 成長時間、擴大磊晶製程範圍並提升良率；友威列出真空高溫技術、ALN 鍍膜代工，以及 d.n.k、α-STEP、XRD、AFM、Spectroscope、應力量測等品質監控。 一套 Flip Chip Ag 配置工作尺寸 420mm x 650mm、機台 L 3.5M x W 2.2M x H 2.3M，以 24hr/26Day 計算時 2” 產能 300K/Mon，可搭配 2”、4”、6” 治具，具超低溫高速成膜、Lowdamage Ag 複合層、小 Grain 高反射、磁性流體傳動、全機無油與快速換靶。 另一套 Flip Chip Ag 配置工作尺寸 420mm x 650mm、機台 L 4.8M x W 2.3M x H 1.85M，以 24hr/26Day 計算時 2” 45K/Mon、4” 10K/Mon，並具超低溫高速成膜、Lowdamage Ag、超緻密 Ag 複合層、磁性流體傳動、無油設計與快速換靶。 ITO 設備工作尺寸 350mm x 350mm、機台 L 4.2M x W 2.5M x H 2.4M，以 24hr/26Day 計算時 Kioth-I100 2” 116K/Mon、Kioth-I200 2” 230K/Mon，並含自動翻轉 MMC Cathode、小 Grain 控制、高緻密高穿透 ITO、Multi ITO 結構、Super Low Damage 與 Low Damage cathode、磁性流體傳動及無油設計。 ODR Ag reflect layer 系統工作尺寸 300mm x 300mm、機台 L 4.8M x W 1.8M，UHS-20503C4 以 22hr/26Day 計算為 2” 78K/Mon，可搭配 2”、4”、6” 治具，採連續濺鍍、上掀腔門、自動回流與自動化整合，薄膜均勻穩定，Ag 反射率 >91%，並具 Ag Reflect 疊構。 Metal (Multilayer) 系統工作尺寸 250mm x 250mm x 10面、機台 L 3.5M x W 2.2M x H 2.6M，UFE-11005P2 以 24hr/26Day 計算為 2” 63K/Mon，可搭配 2”、4”、6” 治具，具多層與厚膜設計、Low Damage Magnetron Sputtering System、極薄膜沉積、低溫成膜與溫度監控、模組化保養、自動上下料及多層金屬膜推力 >50g。 設備客戶服務包括定期保養維護、海內外即時叫修、24H 客戶支援、真空部品維修與買賣、各材質與規格的生產用靶材銷售、友威設備升級與製程調整，以及非友威設備的改造、移機或功能追加。 外觀鍍膜 OEM 包括以 SDC 濺鍍表面處理在手機、筆電等產品形成金屬光澤，也包括用於無線產品外觀、兼顧美觀且不干擾射頻訊號傳送的 NCVM/NMVM，可應用於手機面板與觸控家電面板。 外觀鍍膜另包括以不同濺鍍製程形成各種外觀顏色的彩色鍍膜，以及透過介電膜堆疊同時取得顏色與穿透效果的光學鍍膜，可形成一般金屬鍍膜或傳統印刷油墨無法呈現的反射光澤與顏色。 功能性薄膜 OEM 的 EMI Coating 在塑膠機殼內濺鍍金屬膜形成電磁屏蔽，可用於手機、筆電、microchip packaging、GPS、MEMS、film antenna、radio devices 等需要電磁防護的產品。 AR Coating 以光學干涉原理在 glass、PET、PC 等透明材料表面沉積多層膜，提高穿透、降低反射並改善影像，可用於鏡頭、顯示面板與手機螢幕。 AF/AS Coating 可用於 glass、PET、PC 等透明材料以及鏡頭蓋、觸控螢幕與手機螢幕，列出的玻璃接觸角為鍍膜前 40~50o、鍍膜後 >110o。 IC carrier (PBGA) 應用以真空濺鍍在基板表面與孔內形成導電膜，搭配相關製程完成線路，適用於 PBGA/CSP/FCCSP 高密度導體的無電鍍設計。 散熱基板應用是在不導電絕緣層或陶瓷上濺鍍導電膜並配合後續製程形成線路，可用於高功率／高瓦數 LED 與 Solar 鋁或陶瓷散熱基板；同一功能鍍膜範圍也包括 LED 反射鍍膜、阻障層與反射鏡 3D 投影。 觸控應用的一般高溫 ITO 具有光穿透與低電阻特性，低蝕刻痕低溫 ITO 則兼具高穿透與低電阻，ITO 線路蝕刻後幾乎看不到蝕刻痕。 ITO 觸控模組線路在 ITO film (glass) 上濺鍍金屬線路層並搭配黃光製程，可製作 < 10um 線路，具有厚度薄、線路細、阻值低與良率高等特性，用以改善傳統印刷線路的限制。 生物科技應用以真空鍍膜製作 biosensors，改善傳統印刷良率不高與電性不穩的問題，提供更高穩定性與靈敏度；此製程結合生物醫學與工程科技，並已通過臨床實驗運用於多種生技產品。 友威的濺鍍製程利用電漿離子轟擊靶材，使靶原子被撞擊逸出並到達基板，經附著、吸附、表面遷徙與成核形成薄膜。 其濺鍍原理是在密閉真空腔體導入 Argon 並施加高電壓，使其游離成 Ar+；離子加速撞擊陰極靶材，靶原子移至基板成膜，二次電子則促進更多 Argon 游離。 磁控濺鍍在 cathode 加裝磁控裝置，使電子以螺旋路徑移動，增加電子與氣體碰撞及氣體游離，產生更多離子撞擊靶材，因此提高鍍膜速率。 Plasma 被描述為由離子、電子、分子與原子團組成的部分游離氣體，在 l00mTorr~數個 mTorr 的低壓下以高電壓產生；離子與電子的連鎖反應形成電漿，因同時含正離子、負電子與中性原子而維持電中性。 Dry etching 是電漿蝕刻而非濕式蝕刻，可分為 Sputter Etching／Ion Beam Etching 的物理蝕刻、化學性 Plasma Etching，以及物理化學複合的 Reactive Ion Etching (RIE)；友威另列出射出產品與玻璃產品的 PVD 製程流程、裝飾／反射／功能／EMI／光學／導電／T.C.O／Anti Finger／Anti-smudge／NCVM 膜分類，以及 Al、Cu、Sus、PC、PET、PMMA、PI、Nylon、FR4、PPO、PPS、PPA、Glass、Wafer、LCP、PU、TPU、TPE、ABS、ABS＋PC、PMMA＋PC 等材料。

展商資料

能力與產品項目

主題群組

相關產品主題

表面處理與分析技術電磁屏蔽材料靜電消散與導電塗層表面處理機能性薄膜電子材料加工與功能性鍍膜奈米與微米級製造技術陶瓷金屬化與接合技術設備維護與維修服務設備翻新與維修EFEM 前端自動化模組CVD、PVD與MOCVD設備PECVD 與 PVD 鍍膜系統半導體功能性鍍膜薄膜鍍膜系統濺鍍鍍膜設備濺鍍靶材MOCVD 反應器與備品打樣到量產製程開發電漿製程設備與技術蝕刻去膠與灰化設備反應離子蝕刻與深蝕刻系統離子束研磨與微修整設備微污染控制真空零組件高精密光學元件先進封裝濕製程解決方案退火與固化爐及烘箱電漿清潔機台
站內導覽

← 主題索引 · ← 展商名單 · ← 展商查找工具 · 搜尋與 AI 找到了誰，主辦方看得到 →