UniTest Taiwan Co., Ltd.

기본 정보

회사 소개

UniTest Taiwan Co., Ltd.는 UniTest의 Taiwan Branch이며, UniTest의 투자와 협력을 통해 설립된 신주 주베이의 대만 등록 운영 거점으로서 아시아 메모리 제조사에 메모리 테스트 장비의 마케팅, 설치 및 기술 서비스를 제공한다. 대만 운영 거점의 등록 사업 범위에는 기계 제조, 정밀기기 도소매, 일반 기기, 기계 도매, 전자재료, 수출입 및 전자부품 제조가 포함되며, 서비스 범위에는 DDR2 및 DDR3 IC와 module test equipment도 포함된다. UniTest는 반도체를 로봇, 자율주행차, AI 등 미래 기술의 기반으로 설명하며, 새로운 반도체의 개발과 공급에 대한 시장 수요가 산업의 지속적인 성장을 이끈다고 밝힌다. 회사는 반도체 장비 국산화에 대한 사명감을 바탕으로 20여 년 전에 사업을 시작했으며, 어려운 시기에도 국내 생산을 위한 연구개발과 도전을 지속했다고 설명한다. 그 결과 DRAM과 NAND FLASH의 wafer, component, module 및 SSD까지 아우르는 tester full lineup을 구축했고, 시스템 반도체 tester 개발을 통해 burn-in tester와 PMIC tester를 갖추었으며 CIS, RF, AP tester로의 확대도 제시한다. 반도체 사업과 함께 UniTest는 에너지 사업도 전개했으며, 2019년에는 페로브스카이트 태양전지 모듈이 해당 분야 최고 효율로 공인되었고 이는 그린에너지 사업을 시작한 지 10년 만의 성과였다고 밝힌다. UniTest는 또한 UN Global Compact의 10대 원칙을 준수하고 지속가능발전 목표를 이행하며, 안전하고 건강한 근로환경을 조성하고 ESG 경영 준수 의지를 공개적으로 표명하며, 인권 및 윤리경영을 통해 임직원, 고객, 협력업체와 기타 이해관계자의 인권이 존중되는 환경을 구축한다고 설명한다. UniTest는 Head Office와 Icheon Office를 운영하고 Pyeongtaek 신공장도 두고 있으며, Pyeongtaek 제조시설은 2021년 12월 준공되어 가동되었다. UniTest의 CI 표준은 test-box 요소에 #0072bb, ‘Uni’에 #939496, ‘Test’에 #e4e5e7을 지정하고 Arial Black을 글꼴로 사용하며, 특수 매체나 환경에는 적합한 보조 색상을 선택할 수 있다고 설명한다. 회사 연혁은 2000년 3월 ISOA-TECH 법인 설립에서 시작하며, 2002년에는 A4000 DDR Memory Tester 개발, 벤처기업 인증, UniTest Co., Ltd.로의 상호 변경, 부설연구소 설립이 이어졌고 2004년에는 Hynix와 메모리 component 및 module tester 공동개발 계약을 체결했다.2005년 UniTest는 DDR 및 DDR2 메모리 tester를 개발하고 ISO 9001/14001을 획득했으며 UNI460으로 KT Mark를 취득하고 대만 법인을 설립했고, 2006년에는 UNI480과 UNI840 등의 제품을 추가하고 CE 관련 인증과 INNOBIZ 인증을 획득한 뒤 KOSDAQ에 상장했다.2007년부터 2009년까지의 연혁에는 UNI580, UNI5100, UNI5200, UNI4200 등 양산 및 고급 메모리 tester 개발, 차세대 세계일류상품 생산기업 선정, 나노반도체 원천기술 상용화 사업, UNI930 고속 burn-in 장비 개발, 태양광발전 및 LED 조명 분야 진출이 기록되어 있다.2010년부터 2014년까지 UniTest는 나노반도체 장비 원천기술 상용화 성공, 세계일류상품 인정, 태양광 관련 사업 참여 및 공급자 지정, 2011년 30 Million Dollar Export Tower, 미국 법인 설립, TESTIAN 인수를 통한 비메모리 시장 진입, UNI91K, UNI5400, UNI51K tester 개발을 기록했다.2015년부터 2019년까지 회사는 양산용 DDR4 및 DDR5 고속 tester를 개발하고 중국 사무소를 열었으며 NAND FLASH hybrid burn-in tester와 PCIe Gen4 UNI92K tester를 개발했고, 50 Million Dollar와 70 Million Dollar Export Tower를 수상하고 반도체 tester 1000호기 납품을 달성했으며 NREL의 페로브스카이트 태양전지 효율 인증을 기록했다. 최근 연혁에는 2020년 Korea Electric Power Corporation과 유리창형 태양전지 사업화 MOU 체결, 2021년 KEPCO와 창호 일체형 태양전지 시제품 공동개발 협약, 2021년 Pyeongtaek 공장 완공, 2025년 3월 공동대표 체제로의 변경이 포함된다.

전시 제품

UniTest의 반도체 테스트 공급 범위는 wafer testing, 패키지 후 device와 module testing, 고온 및 저온 메모리 burn-in, PCIe NVMe SSD testing, logic 및 Power IC burn-in과 함께 speed, data Read/Write 또는 Read/Write/Erase, Refresh, repair 기능 및 초기 불량을 평가하는 데 필요한 다양한 메모리 테스트 기능을 포함한다. Back End Process 전 DRAM 및 PCRAM wafer용 UNI650은 speed, data Read/Write/Erase, repair 등 전기적 성능을 검사하며 3,072 parallelism, 222MHz test rate, 1A(3V), 1,500 x 1,000 x 1,900 mm Main Frame, 940 x 1,490 x 984 mm Test Head, Linux를 사양으로 제시한다. UNI610은 NAND Flash 후공정 전에 동일한 wafer 수준 전기 검사를 수행하며 1,024 parallelism, 50MHz test rate, 400mA(5V), 1,000 x 800 x 1,688 mm Main Frame, 600 x 750 x 800 mm Test Head, Linux를 갖춘다. DRAM 메모리 burn-in용 UNI940A는 6,144 parallelism, -10℃ ~ 125℃ 온도 범위, 400Mbps test frequency, 3,600 x 2,000 x 2,225 mm 크기, Linux를 사양으로 제시한다. UNI940FL은 메모리 반도체의 모든 공정이 완료된 뒤 고온 및 저온에서 NAND Flash device를 구동해 초기 불량과 failure를 검출하며 9,216 parallelism, 25℃ ~ 110℃, 50Mbps test frequency, 3,400 x 1,800 x 2,300 mm, Linux를 제시한다. UNI5900은 메모리 반도체 공정 완료 후 패키지된 LPDDR4, GDDR5, DDR5 device의 speed, data Read/Write, Refresh 등 전기적 성능을 검사하며 512 parallelism, 9Gbps speed, -40℃ ~ 125℃, 800 x 1,020 x 2,155 mm Main Frame, 1,400 x 1,000 x 962 mm Test Head, Linux를 제시한다. UNI480E는 여러 chip으로 구성된 DDR2, DDR3, DDR4 DRAM module의 전기적 성능을 검사하며 module speed, data Read/Write, Refresh를 포함하고 12 parallelism, 800Mbps speed, Depends on Handler 온도 범위, 1,300 x 800 x 1,566 mm Main Frame, 714 x 470 x 742 mm Test Head, Windows XP를 제시한다. PCIe Gen4 SSD용 UNI92K는 storage device 성능을 검사해 초기 불량을 검출하고 PCIe NVMe 기반 M.2, U.2/U.3, FHHL, BGA form factor에 대응하며 512 parallelism, 16Gbps data rate, -40℃ ~ 125℃, 3,300 x 1,800 x 2,300 mm, Linux를 사양으로 제시한다. UNI92KR-6B도 PCIe Gen4 SSD의 초기 오류 검출을 대상으로 하며 PCIe NVMe 기반 M.2, U.2/U.3, FHHL form factor에 대응하고 192 parallelism, 16Gbps data rate, 70℃±5℃ with loading, 720 x 1,250 x 2600 mm, Linux를 제시한다. FECBIS-CP는 high voltage와 high peak current에 특화된 Power IC burn-in solution으로 3 Slot per Zone, Max 2 pattern zones, 6 pattern slots, 1 temperature zone, 최대 64 driver-receivers, 각 pin의 leading/trailing edge와 8 on-the-fly timing sets를 제공하는 programmable clocks, vector memory에서 micro-programmable한 sequence controller로 구성된다. F-1 burn-in tester는 FECBIS-1에서 업그레이드된 고사양 버전으로 설명되며 Max 32 user-set pattern zones, temperature zone당 16 slots, Ambient to 150’C 범위의 2 temperature zones, Parallel 및 Serial slot synchronization, 최대 256 driver-receivers와 512 option, MAX 10 MHz system rep rate, 동일한 programmable-clock 및 vector-memory sequence-control 기능을 갖춘다. FECBIS-1은 low-noise test channels, multi VIH level, SERDES Chip과 TCON용 high frequency, high peak current에 특화되며 Max 24 user-set pattern zones, temperature zone당 8 slots, -40’C to 150’C 범위의 3 temperature zones, Parallel 및 Serial synchronization, 최대 256 driver-receivers와 512 option, MAX 10 MHz system rep rate, programmable clocks, micro-programmable sequence controller를 제시한다. UniTest는 photovoltaic generation을 solar cell을 통해 햇빛을 직접 전기에너지로 변환하는 기술로 정의하고 photovoltaic system은 solar-cell module, storage batteries, power transformer로 구성된다고 설명한다. solar-cell 설명은 금속과 반도체의 접촉면 또는 반도체 PN junction에서 광전효과로 photo-electromotive force가 발생하며 silicon photoelectric cell은 solar cell에 사용되는 PN-junction 유형이라고 설명한다. 또한 solar cell은 N-type과 P-type 반도체를 접합한 구조이며 흡수한 태양에너지로 대전 입자가 생성되어 전자는 N-type 쪽으로, 정공은 P-type 쪽으로 모이면서 전위가 형성되고 부하를 연결하면 전류가 흐른다고 설명한다. 태양광 페이지는 무공해이면서 사실상 무한한 청정에너지, 필요한 장소에서의 발전, 쉬운 유지보수와 무인 운전, 최소 20년의 수명을 장점으로 제시한다. 같은 페이지는 지역별 일사량 의존, 낮은 에너지 밀도로 인한 넓은 면적 필요, 제한된 설치 장소, 높은 설치비를 태양광 발전의 단점 또는 제약으로 제시한다. UniTest는 solar cell이 silicon으로 대표되는 semiconductor이며 semiconductor technology와 semiconductor characteristics의 발전을 바탕으로 개발되었다고 설명함으로써 UniTest의 그린에너지 활동과 반도체 기술을 연결한다. 페로브스카이트 프로그램은 silicon module을 대체할 저가격·고효율의 3세대 organic/inorganic hybrid photovoltaic module을 설명하며 14.8% sub-module efficiency, 2016년 8월 Research Institute of Chemical Technology와의 페로브스카이트 technology-transfer contract, Perovskite Module Development Research Center를 통한 개발을 기록한다. 페로브스카이트 모듈은 silicon module보다 가볍고 저렴하며 flexible module 제작을 통해 전기제품, 곡면 건물, 차량에 적용할 수 있고, 투명도를 조절해 시인성이 필요한 분야에 사용할 수 있으며, tandem photovoltaic module에 적용할 수 있고, 저조도에서도 발전해 실내용으로 사용할 수 있으며 예시로 indoor IOT와 glass-window type이 제시된다. Solar Gate PV050K-G3LX-JW inverter는 50kW 정격으로 51.5kW PV Max. Power, 580Vdc Start Voltage, 1000Vdc Max. Voltage, 580~1000Vdc Voltage Range, 580~800Vdc MPPT Range, 650Vdc Rated Voltage, 88.8A Max. Current, 3P4W 380Vac nominal output, 59.3~60.5Hz Frequency Range, 75.8A Max Current를 제시한다. 시스템 사양에는 Euro Efficiency >97%, Max Efficiency >98.0%, default Power Factor >0.99, Transformer-Less Type, 610 X 890 X 315 mm 크기, 90Kg 무게, Forced Air Cooling, IP55 enclosure, Graphic LCD, RS485 communication, -20°C~50°C operating-temperature range가 포함된다. inverter 기능 설명은 기존 IGBT elements보다 높은 효율로 power transformation을 수행하기 위해 SIC semiconductor elements를 사용한다고 밝히며 wall-hanging outdoor installation, inverter와 joint box의 all-in-one 구성, patent no. 10-1926326과 관련된 sunrise/sunset hunting prevention 및 AC SMPS control, 산업·건물·주거용 분산 전력 시스템 적합성, inverter error 감지 시 자동 정지, solar cell을 최대 출력 상태로 유지하는 MPPT control을 설명한다.

역량 및 제품

• DRAM 및 PCRAM 웨이퍼 전기적 특성 검사 장비
• NAND Flash 웨이퍼 전기적 특성 검사 장비
• LPDDR4, GDDR5 및 DDR5 패키지 메모리 검사 장비
• DRAM 메모리 검사 장비
• NAND Flash 메모리 고온·저온 번인 검사 장비
• DDR2, DDR3 및 DDR4 DRAM 메모리 모듈 검사 장비
• PCIe Gen4 SSD 성능 검사 장비
• 고전압 및 고피크 전류 Power IC 번인 검사 장비
• 고주파 SERDES 및 TCON 로직 IC 번인 검사 장비
• PMIC 검사 장비
• 50kW 태양광 인버터
• 페로브스카이트 태양광 모듈
• 플렉시블 페로브스카이트 태양광 모듈
• 투명도 조절형 페로브스카이트 태양광 모듈
• 저조도 실내용 페로브스카이트 태양광 모듈

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