基本情報
| ブース | J3046 |
| 国 | TW |
| ウェブサイト | www.uni-test.com/en/semiconductor/semiconductor_list.php |
会社概要
UniTest Taiwan Co., Ltd.はUniTestのTaiwan Branchであり、UniTestの投資と協力によって設立された新竹・竹北の台湾登記拠点として、アジアのメモリメーカーにメモリテスト装置のマーケティング、設置、技術サービスを提供する。台湾拠点の登記事業範囲には、機械製造、精密機器の卸売・小売、一般機器、機械卸売、電子材料、輸出入、電子部品製造が含まれ、サービス範囲にはDDR2およびDDR3のICとmodule test equipmentも含まれる。UniTestは、半導体をロボティクス、自動運転車、AIなど将来技術の基盤と位置付け、市場による新しい半導体の開発・供給需要が業界の継続的な成長を支えているとしている。同社は、半導体設備の国産化への使命感をもって20年以上前に事業を開始し、困難な時期を経ても国内生産に向けた研究開発と挑戦を継続してきたとしている。その取り組みにより、DRAMとNAND FLASHのウェハ、コンポーネント、モジュール、SSDまでを含むtesterのフルラインアップを構築し、システム半導体testerの開発ではburn-in testerとPMIC testerを実現し、CIS、RF、AP testerへの拡張も掲げている。半導体事業に加えてUniTestはエネルギー事業も展開し、2019年にはペロブスカイト太陽電池モジュールが同分野で最高効率として認定され、グリーンエネルギー事業開始から10年後の成果であったとしている。UniTestはまた、UN Global Compactの10原則を遵守し、持続可能な開発目標を推進し、安全で健康的な職場環境を整え、ESG経営遵守の意思を公に示し、人権・倫理経営を通じて従業員、顧客、パートナー、その他の利害関係者の人権を尊重する環境を構築するとしている。UniTestはHead OfficeとIcheon Officeを運営し、Pyeongtaek新工場も掲げており、Pyeongtaek製造施設は2021年12月に完成し稼働した。UniTestのCI標準では、test-box要素に#0072bb、「Uni」に#939496、「Test」に#e4e5e7を指定し、フォントをArial Blackとし、特殊な媒体や環境では適した補助色を選べるとしている。会社沿革は2000年3月のISOA-TECH法人設立から始まり、2002年にはA4000 DDR Memory Testerの開発、ベンチャー企業認証、UniTest Co., Ltd.への商号変更、付設研究所の設立が続き、2004年にはHynixとメモリコンポーネントおよびモジュールtesterの共同開発契約を締結した。2005年にはDDRおよびDDR2メモリtesterを開発し、ISO 9001/14001を取得し、UNI460でKT Markを取得し、台湾法人を設立し、2006年にはUNI480やUNI840などを追加し、CE関連認証とINNOBIZ認証を取得してKOSDAQに上場した。2007年から2009年には、UNI580、UNI5100、UNI5200、UNI4200など量産用・ハイエンドのメモリtester開発、次世代世界一流商品生産企業の認定、ナノ半導体源泉技術商用化事業、UNI930高速burn-in装置の開発、太陽光発電とLED照明分野への参入が沿革に記録されている。2010年から2014年には、ナノ半導体装置源泉技術の商用化成功、世界一流商品認定、太陽光発電分野での参加・供給者指定、2011年の30 Million Dollar Export Tower、米国法人設立、TESTIAN買収による非メモリ市場参入、UNI91K、UNI5400、UNI51K testerの開発が記録されている。2015年から2019年には、量産用DDR4およびDDR5高速testerの開発、中国オフィス開設、NAND FLASH hybrid burn-in testerとPCIe Gen4 UNI92K testerの開発、50 Million Dollarおよび70 Million Dollar Export Towerの受賞、半導体tester 1000号機の納入、NRELによるペロブスカイト太陽電池効率の認証が記録されている。より最近の沿革には、2020年のKorea Electric Power Corporationとのガラス窓型太陽電池商用化MOU、2021年のKEPCOとの窓一体型太陽電池試作品共同開発協約、2021年のPyeongtaek工場完成、2025年3月の共同代表体制への変更が含まれる。
展示製品
UniTestの半導体テスト分野は、ウェハテスト、パッケージ後のデバイスおよびモジュールテスト、高温・低温のメモリburn-in、PCIe NVMe SSDテスト、ロジックおよびPower IC burn-inに加え、速度、data Read/WriteまたはRead/Write/Erase、Refresh、repair機能、初期不良を評価するための各種メモリテスト機能を含む。Back End Process前のDRAMおよびPCRAMウェハ向けUNI650は、速度、data Read/Write/Erase、repairなどの電気性能を検査し、3,072 parallelism、222MHz test rate、1A(3V)、1,500 x 1,000 x 1,900 mmのMain Frame、940 x 1,490 x 984 mmのTest Head、Linuxを仕様としている。UNI610はNAND Flashの後工程前に同様のウェハレベル電気検査を行い、1,024 parallelism、50MHz test rate、400mA(5V)、1,000 x 800 x 1,688 mmのMain Frame、600 x 750 x 800 mmのTest Head、Linuxを備える。DRAMメモリburn-in用のUNI940Aは、6,144 parallelism、-10℃ ~ 125℃の温度範囲、400Mbps test frequency、3,600 x 2,000 x 2,225 mmの外形、Linuxを仕様としている。UNI940FLはメモリ半導体の全工程完了後に高温・低温でNAND Flashデバイスを動作させて初期不良と故障を検出し、9,216 parallelism、25℃ ~ 110℃、50Mbps test frequency、3,400 x 1,800 x 2,300 mm、Linuxを仕様としている。UNI5900はメモリ半導体工程完了後のパッケージ済みLPDDR4、GDDR5、DDR5デバイスについて、速度、data Read/Write、Refreshなどの電気性能を検査し、512 parallelism、9Gbps speed、-40℃ ~ 125℃、800 x 1,020 x 2,155 mmのMain Frame、1,400 x 1,000 x 962 mmのTest Head、Linuxを示している。UNI480Eは複数チップからなるDDR2、DDR3、DDR4のDRAMモジュールについて、モジュール速度、data Read/Write、Refreshなどの電気性能を検査し、12 parallelism、800Mbps speed、温度範囲Depends on Handler、1,300 x 800 x 1,566 mmのMain Frame、714 x 470 x 742 mmのTest Head、Windows XPを示している。PCIe Gen4 SSD向けUNI92Kはストレージデバイスの性能を検査して初期不良を検出し、PCIe NVMeを使うM.2、U.2/U.3、FHHL、BGA form factorに対応し、512 parallelism、16Gbps data rate、-40℃ ~ 125℃、3,300 x 1,800 x 2,300 mm、Linuxを仕様としている。UNI92KR-6BもPCIe Gen4 SSDの初期エラー検出を対象とし、PCIe NVMeを使うM.2、U.2/U.3、FHHL form factorに対応し、192 parallelism、16Gbps data rate、70℃±5℃ with loading、720 x 1,250 x 2600 mm、Linuxを示している。FECBIS-CPはhigh voltageとhigh peak currentに特化したPower IC burn-in solutionで、3 Slot per Zone、Max 2 pattern zones、6 pattern slots、1 temperature zone、最大64 driver-receivers、各pinのleading/trailing edgeと8 on-the-fly timing setsを持つprogrammable clocks、vector memory内でmicro-programmableなsequence controllerを備える。F-1 burn-in testerはFECBIS-1からアップグレードされた高仕様版とされ、Max 32 user-set pattern zones、temperature zone当たり16 slots、Ambient to 150’Cの2 temperature zones、ParallelおよびSerial slot synchronization、最大256 driver-receiversと512 option、MAX 10 MHz system rep rate、同様のprogrammable-clockおよびvector-memory sequence-control機能を備える。FECBIS-1はlow-noise test channels、multi VIH level、SERDES ChipとTCON向けのhigh frequency、high peak currentに特化し、Max 24 user-set pattern zones、temperature zone当たり8 slots、-40’C to 150’Cの3 temperature zones、ParallelおよびSerial synchronization、最大256 driver-receiversと512 option、MAX 10 MHz system rep rate、programmable clocks、micro-programmable sequence controllerを示している。UniTestはphotovoltaic generationをsolar cellによって太陽光を直接電気エネルギーへ変換する技術と定義し、photovoltaic systemはsolar-cell module、storage batteries、power transformerから構成されると説明する。solar-cellの説明では、金属と半導体の接触面または半導体PN junctionで光電効果によりphoto-electromotive forceが生じ、silicon photoelectric cellはsolar cellに利用されるPN-junction型であるとしている。さらにsolar cellはN-typeとP-type半導体を接合した構造で、吸収した太陽エネルギーによって荷電粒子が生成され、電子はN-type側、正孔はP-type側へ集まって電位が生じ、負荷を接続すると電流が流れると説明している。太陽光ページは、無公害で事実上無限のクリーンエネルギー、必要な場所での発電、容易な保守と無人運転、少なくとも20年の寿命を利点として挙げている。同ページは、地域ごとの日射への依存、エネルギー密度が低いため広い面積が必要であること、設置場所の制約、高い設置費用を太陽光発電の欠点または制約として挙げている。また、solar cellはsiliconに代表されるsemiconductorであり、semiconductor technologyとsemiconductor characteristicsの進歩を基礎に発展したと説明し、UniTestのグリーンエネルギー活動を半導体技術と結び付けている。ペロブスカイト計画は、silicon moduleを置き換える低価格・高効率の第三世代organic/inorganic hybrid photovoltaic moduleを説明し、14.8% sub-module efficiency、2016年8月のResearch Institute of Chemical Technologyとのペロブスカイトtechnology-transfer contract、Perovskite Module Development Research Centerでの開発を記録している。ペロブスカイトモジュールはsilicon moduleより軽量で安価、flexible moduleとして電気製品、曲面建築物、車両に利用可能で、透明度を調整して視認性が必要な場所に適用でき、tandem photovoltaic moduleにも利用でき、低照度でも発電して屋内利用が可能で、例としてindoor IOTとglass-window typeが示されている。Solar Gate PV050K-G3LX-JW inverterは50kW定格で、51.5kW PV Max. Power、580Vdc Start Voltage、1000Vdc Max. Voltage、580~1000Vdc Voltage Range、580~800Vdc MPPT Range、650Vdc Rated Voltage、88.8A Max. Current、3P4W 380Vac nominal output、59.3~60.5Hz Frequency Range、75.8A Max Currentを示している。システム仕様にはEuro Efficiency >97%、Max Efficiency >98.0%、default Power Factor >0.99、Transformer-Less Type、610 X 890 X 315 mm、90Kg、Forced Air Cooling、IP55 enclosure、Graphic LCD、RS485 communication、-20°C~50°C operating-temperature rangeが含まれる。inverterの機能説明では、既存のIGBT elementsより高効率でpower transformationを行うためSIC semiconductor elementsを使用し、wall-hanging outdoor installation、inverterとjoint boxのall-in-one構成、patent no. 10-1926326に関連するsunrise/sunset hunting preventionとAC SMPS control、工業・建築・住宅向け分散電力システムへの適合、inverter error検出時の自動停止、solar cellを最大電力状態に維持するMPPT controlを挙げている。
対応領域・製品
- メモリーモジュール電気特性テスター
- DRAM／PCRAMウエハー電気特性テスター
- NAND Flashウエハー電気特性テスター
- メモリー高温・低温バーンイン試験装置
- LPDDR4／GDDR5／DDR5パッケージメモリー電気特性テスター
- PCIe NVMe SSD初期不良検出テスター
- SERDES／TCONロジックチップ用バーンイン試験装置
- 高電圧・高ピーク電流対応パワーICバーンイン装置
- PMICテスター
- 柔軟性・透明度調整・低照度動作に対応するペロブスカイト太陽電池モジュール
- 50 kW太陽光発電用インバーター