基本資料
| 攤位 | J3046 |
| 國別 | TW |
| 網站 | www.uni-test.com/en/semiconductor/semiconductor_list.php |
公司簡介
UniTest Taiwan Co., Ltd. 是 UniTest 的 Taiwan Branch，也是位於新竹竹北、透過 UniTest 投資與合作成立的台灣登記營運據點，為亞洲記憶體製造商提供記憶體測試設備的行銷、安裝與技術服務。該台灣營運據點登記的營業範圍包括機械製造、精密儀器批發與零售、一般儀器、機械批發、電子材料、進出口與電子零組件製造，服務範圍並包括 DDR2 與 DDR3 IC 及 module test equipment。UniTest 將半導體描述為機器人、自動駕駛車與 AI 等未來技術的基礎，並表示市場對新半導體開發與供應的需求持續推動產業成長。公司表示，二十多年前即以半導體設備國產化為使命開始經營，歷經各種困難仍持續投入國產化相關的研究、開發與挑戰。這些工作形成涵蓋 DRAM 與 NAND FLASH 晶圓、元件、模組及 SSD 的完整 tester 產品線，系統半導體 tester 的開發則延伸至 burn-in tester 與 PMIC tester，並規劃擴大到 CIS、RF 與 AP tester。除半導體事業外，UniTest 也發展能源事業，並表示其鈣鈦礦太陽能電池模組在 2019 年獲認定為該領域最高效率，這項成果是在投入綠色能源事業十年後取得。UniTest 亦表示遵循 UN Global Compact 的 10 項原則、推動永續發展目標、建立安全健康的工作環境、公開表達遵循 ESG 經營的意志，並透過人權與倫理經營，建立尊重員工、客戶、合作夥伴與其他利害關係人的環境。UniTest 設有 Head Office 與 Icheon Office，也列有 Pyeongtaek 新工廠；Pyeongtaek 製造設施於 2021 年 12 月完工並投入運作。UniTest 的企業識別標準指定 test-box 元素使用 #0072bb、「Uni」使用 #939496、「Test」使用 #e4e5e7，字型為 Arial Black，特殊媒體或環境則可選用適合的輔助色。公司沿革從 2000 年 3 月成立 ISOA-TECH 開始，2002 年陸續開發 A4000 DDR Memory Tester、取得創投企業認證、將商號變更為 UniTest Co., Ltd. 並成立附屬研究中心，之後於 2004 年與 Hynix 簽署記憶體元件與模組 tester 共同開發協議。2005 年，UniTest 開發 DDR 與 DDR2 記憶體 tester、取得 ISO 9001/14001、以 UNI460 取得 KT Mark，並成立台灣法人；2006 年再加入 UNI480、UNI840 等產品，取得 CE 相關認證與 INNOBIZ 認證，並在 KOSDAQ 掛牌。2007 至 2009 年間，沿革記錄 UNI580、UNI5100、UNI5200、UNI4200 等量產與高階記憶體 tester 開發、獲認定為次世代世界一流商品生產企業、參與奈米半導體源技術商業化計畫、開發 UNI930 高速 burn-in 設備，並進入太陽光電發電與 LED 照明領域。2010 至 2014 年間，UniTest 記錄完成奈米半導體設備源技術商業化、取得世界一流商品認定、參與並取得太陽光電相關供應資格、於 2011 年獲得 30 Million Dollar Export Tower、成立美國法人、收購 TESTIAN 進入非記憶體市場，並開發 UNI91K、UNI5400 與 UNI51K tester。2015 至 2019 年間，公司開發量產用 DDR4 與 DDR5 高速 tester、設立中國辦事處、開發 NAND FLASH hybrid burn-in tester 與 PCIe Gen4 UNI92K tester、獲得 50 Million Dollar 與 70 Million Dollar Export Tower、達成第 1000 台半導體 tester 出貨，並取得 NREL 對鈣鈦礦太陽能電池效率的認證。較近期的沿革記錄包括 2020 年與 Korea Electric Power Corporation 簽署玻璃窗型太陽能電池商業化 MOU、2021 年與 KEPCO 簽署窗戶整合型太陽能電池原型共同開發協議、2021 年完成 Pyeongtaek 工廠，以及 2025 年 3 月改為共同代表體制。
展出產品
UniTest 的半導體測試供應範圍涵蓋晶圓測試、封裝後元件與模組測試、高低溫記憶體 burn-in、PCIe NVMe SSD 測試、邏輯與 Power IC burn-in，以及評估速度、data Read/Write 或 Read/Write/Erase、Refresh、repair 功能與初期不良所需的各類記憶體測試功能。針對 Back End Process 前的 DRAM 與 PCRAM 晶圓，UNI650 檢查速度、data Read/Write/Erase 與 repair 等電性表現，規格包括 3,072 parallelism、222MHz test rate、1A(3V) 電流、1,500 x 1,000 x 1,900 mm Main Frame、940 x 1,490 x 984 mm Test Head，以及 Linux 作業系統。UNI610 在 NAND Flash 後段製程前執行相應的晶圓級電性檢查，規格包括 1,024 parallelism、50MHz test rate、400mA(5V)、1,000 x 800 x 1,688 mm Main Frame、600 x 750 x 800 mm Test Head，以及 Linux。用於 DRAM 記憶體 burn-in 的 UNI940A 規格包括 6,144 parallelism、-10℃ ~ 125℃ 溫度範圍、400Mbps test frequency、3,600 x 2,000 x 2,225 mm 尺寸，以及 Linux。UNI940FL 在記憶體半導體所有製程完成後，於高溫與低溫環境驅動 NAND Flash 元件以檢出初期不良與失效，規格包括 9,216 parallelism、25℃ ~ 110℃、50Mbps test frequency、3,400 x 1,800 x 2,300 mm 尺寸，以及 Linux。UNI5900 在記憶體半導體製程完成後檢查已封裝的 LPDDR4、GDDR5 與 DDR5 元件，確認速度、data Read/Write、Refresh 等電性表現；其規格列有 512 parallelism、9Gbps speed、-40℃ ~ 125℃、800 x 1,020 x 2,155 mm Main Frame、1,400 x 1,000 x 962 mm Test Head，以及 Linux。UNI480E 檢查由多顆晶片組成的 DDR2、DDR3 與 DDR4 DRAM 模組電性表現，包括模組速度、data Read/Write 與 Refresh，並列有 12 parallelism、800Mbps speed、Depends on Handler 的溫度範圍、1,300 x 800 x 1,566 mm Main Frame、714 x 470 x 742 mm Test Head，以及 Windows XP。針對 PCIe Gen4 SSD，UNI92K 透過檢查儲存裝置效能來檢出初期不良，支援搭配 PCIe NVMe 的 M.2、U.2/U.3、FHHL 與 BGA form factor；規格包括 512 parallelism、16Gbps data rate、-40℃ ~ 125℃、3,300 x 1,800 x 2,300 mm 尺寸，以及 Linux。UNI92KR-6B 同樣用於 PCIe Gen4 SSD 的初期錯誤檢出，支援搭配 PCIe NVMe 的 M.2、U.2/U.3 與 FHHL form factor，規格包括 192 parallelism、16Gbps data rate、70℃±5℃ with loading、720 x 1,250 x 2600 mm 尺寸，以及 Linux。FECBIS-CP 是專為 high voltage 與 high peak current 設計的 Power IC burn-in solution，採 3 Slot per Zone、Max 2 pattern zones、6 pattern slots、1 temperature zone、最多 64 driver-receivers，並具備每 pin leading/trailing edge 與 8 組 on-the-fly timing sets 的 programmable clocks，以及在 vector memory 中可 micro-programmable 的 sequence controller。F-1 burn-in tester 被描述為由 FECBIS-1 升級的高規格版本，具 Max 32 user-set pattern zones、每個 temperature zone 16 slots、2 個 Ambient to 150’C 的 temperature zones、Parallel 與 Serial slot synchronization、最多 256 driver-receivers 並可選 512、MAX 10 MHz system rep rate，以及相同的 programmable-clock 與 vector-memory sequence-control 功能。FECBIS-1 針對 low-noise test channels、multi VIH level、SERDES Chip 與 TCON 的 high frequency，以及 high peak current，並列有 Max 24 user-set pattern zones、每個 temperature zone 8 slots、3 個 -40’C to 150’C temperature zones、Parallel 與 Serial synchronization、最多 256 driver-receivers 並可選 512、MAX 10 MHz system rep rate、programmable clocks 與 micro-programmable sequence controller。UniTest 將 photovoltaic generation 定義為透過 solar cell 把陽光直接轉成電能的技術，並描述 photovoltaic system 由 solar-cell module、storage batteries 與 power transformer 組成。solar-cell 說明指出，在金屬與半導體接觸面或半導體 PN junction 上，光電效應會產生 photo-electromotive force，並指出 silicon photoelectric cell 是用於 solar cell 的 PN-junction 類型。UniTest 進一步說明 solar cell 由 N-type 與 P-type 半導體接合而成，吸收的太陽能會產生帶電粒子，使電子往 N-type 側集中、電洞往 P-type 側集中，形成電位，並在接上負載後讓電流流動。太陽光電頁面列出的優點包括無污染且近乎無限的潔淨能源、可在需要電力的地點發電、維護容易且可無人運轉，以及至少 20 年的使用壽命。同一頁面也將依賴各地太陽輻射、因能源密度低而需要大面積、安裝地點受限，以及安裝成本高列為太陽光電的缺點或限制。UniTest 也以 solar cell 是由 silicon 代表的 semiconductor、其發展建立在 semiconductor technology 與 semiconductor characteristics 的進步之上，連結綠色能源活動與半導體技術。鈣鈦礦計畫描述第三代 organic/inorganic hybrid photovoltaic module，定位為可替代 silicon module 的低價格、高效率方案；該計畫記錄 14.8% sub-module efficiency、2016 年 8 月與 Research Institute of Chemical Technology 簽署鈣鈦礦 technology-transfer contract，以及透過 Perovskite Module Development Research Center 進行開發。鈣鈦礦模組被描述為比 silicon module 更輕且更便宜，可製作 flexible module 以應用於各種電器、曲面建築與車輛，可調整透明度以用於需要高可視性的區域，可應用於 tandem photovoltaic module，並能在低照度下發電以供室內使用，應用例包括 indoor IOT 與 glass-window type。Solar Gate PV050K-G3LX-JW inverter 額定容量為 50kW，具 51.5kW PV Max. Power、580Vdc Start Voltage、1000Vdc Max. Voltage、580~1000Vdc Voltage Range、580~800Vdc MPPT Range、650Vdc Rated Voltage、88.8A Max. Current，以及 3P4W 380Vac nominal output、59.3~60.5Hz Frequency Range 與 75.8A Max Current。其系統規格列有 Euro Efficiency >97%、Max Efficiency >98.0%、default Power Factor >0.99、Transformer-Less Type、610 X 890 X 315 mm 尺寸、90Kg 重量、Forced Air Cooling、IP55 enclosure、Graphic LCD、RS485 communication，以及 -20°C~50°C operating-temperature range。inverter 功能說明指出使用 SIC semiconductor elements，以較既有 IGBT elements 更高效率進行 power transformation，並描述 wall-hanging outdoor installation、inverter 與 joint box 的 all-in-one 設計、與 patent no. 10-1926326 相關的 sunrise/sunset hunting prevention 與 AC SMPS control、適用於工業／建築／住宅分散式電力系統、偵測 inverter error 時自動停止，以及讓 solar cell 維持最大功率狀態的 MPPT control。
能力與產品項目
- 記憶體模組電性測試機
- DRAM／PCRAM 晶圓電性測試機
- NAND Flash 晶圓電性測試機
- 記憶體高低溫燒機測試設備
- LPDDR4／GDDR5／DDR5 封裝記憶體電性測試機
- PCIe NVMe SSD 早期缺陷測試機
- SERDES／TCON 邏輯晶片燒機測試設備
- 高電壓與高峰值電流功率 IC 燒機設備
- PMIC 測試機
- 柔性、可調透明度與低照度鈣鈦礦太陽能模組
- 50 kW 太陽能逆變器