기본 정보
| 부스 | I3307 |
| 국가 | TW |
| 웹사이트 | www.ultrabandtech.com |
회사 소개
Ultraband Technologies는 대만에 기반을 둔 III-V 화합물 반도체 팹리스 IC 설계 회사입니다. 당사는 5G 무선용 Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMIC), RF 프런트엔드 모듈, 저궤도(LEO) IC 및 III-V 전력 소자 설계에 주력하고 있습니다. 또한 Epitaxial Structures와 Device Layouts의 최적화에도 전념하고 있습니다. 5G MMIC 분야에서는 28GHz 및 39GHz 대역의 고주파 mmWave GaN IC, 즉 스위치, LNA (Low Noise Amplifiers), PA (Power Amplifiers)에 주력합니다. 당사는 AiP, Beam-forming IC array, Up/Down converters 및 control IC modules를 포함한 5G mmWave 소형 셀용 고주파 Antenna RF 프런트엔드 모듈 개발에 전념하고 있습니다. 첨단 화합물 반도체 전력 소자 분야에서는 고항복전압 D-mode GaN 전력 소자 및 E-mode GaN 전력 소자 개발을 중점적으로 추진합니다. 이들 제품은 충전소, 온보드 충전기, 고출력 급속 충전기 및 컴퓨팅 서버 전원공급장치에 사용되는 AC/DC, DC/DC 인버터 및 컨버터에 모두 적용됩니다.
전시 제품
첨단 GaN, GaAs 및 InP 기술로 차세대 무선통신, 전력 변환 및 안테나 통합의 새로운 장을 엽니다. Ultraband Technologies의 RF 제품은 마이크로파부터 밀리미터파 대역까지 아우르며, GaN HEMT-on-SiC, GaAs pHEMT 및 InP HEMT 기술을 채택하여 높은 선형성, 낮은 잡음, 넓은 대역폭의 솔루션을 제공합니다. 5G mmWave, 위성통신, 레이더, IoT 등 고주파·고속 환경에 적용되어 정확한 신호 전송과 안정적인 시스템 성능을 보장합니다. 밀리미터파는 30–300 GHz 대역을 포괄하며 높은 대역폭, 낮은 지연시간 및 대용량 전송 특성을 갖고 있어 5G, 위성통신, 레이더 및 센싱의 핵심 기술입니다. GaN, GaAs 및 InP 등의 화합물 반도체 공정을 통해 Ultraband Technologies는 고효율·고선형성의 밀리미터파 전력증폭기(PA), 저잡음증폭기(LNA) 및 안테나 프런트엔드 모듈(FEM)을 구현합니다.
역량 및 제품
- 5G 무선 MMIC 설계
- RF 프런트엔드 모듈 설계
- 저지구궤도 LEO IC 설계
- III-V족 전력 소자 설계
- 에피택시 구조 및 소자 레이아웃 최적화
- 28/39GHz GaN 스위치
- 28／39GHz GaN LNA／PA
- 5G 밀리미터파 소형 기지국 RF 프런트엔드 모듈
- AiP／빔포밍·주파수 변환·제어 IC
- 고항복전압 D/E-mode GaN 전력 소자
- 밀리미터파 PA/LNA/FEM