기본 정보
| 부스 | I3307 |
| 국가 | TW |
| 웹사이트 | www.ultrabandtech.com |
회사 소개
Ultraband Technologies, Inc.는 대만에 기반을 둔 III-V족 화합물 반도체 팹리스 IC 설계 회사로 2020년 3월 설립되었으며 납입 자본금은 NT$500 million입니다. 5G 무선 Monolithic Microwave Integrated Circuits(MMIC), RF Frontend Modules, Low Earth Orbit(LEO) IC, III-V Power Devices 설계에 주력하고 Epitaxial Structures와 Device Layouts 최적화도 수행합니다. 고성능 전력 증폭기 반도체 설계에는 GaN HEMTs와 GaAs pHEMTs 등 III-V족 화합물 반도체 기술을 활용해 무선 통신 시스템의 효율, 선형성, 신뢰성을 높입니다. RF MMIC 제품은 마이크로파부터 밀리미터파까지 PA, LNA, switch, 안테나 프런트엔드 모듈을 포괄하며 GaN-on-SiC, GaAs pHEMT, InP HEMT 공정을 사용해 5G mmWave n257, n258, n261을 지원하고 소형 기지국, 레이더, 위성통신, IoT에 적용됩니다. Ultraband Technologies, Inc.는 고항복전압 D-mode 및 E-mode GaN 전력 소자를 개발해 충전소, 온보드 충전기, 급속 충전 장치, 서버 전원 시스템의 AC/DC 및 DC/DC 컨버터에 적용하며 전력 시스템, 재생에너지, 전기차, 항공우주·방위 분야도 대상으로 합니다. GaN-on-SiC 전력 소자는 고효율, 저손실, 장기 안정성을 중시하며 엄격한 품질 관리로 가혹한 환경에서도 일관된 신뢰성을 확보합니다. SYSTEM & MODULE 팀은 차세대 SATCOM 및 위상배열 모듈을 개발하며 전자식 빔 조향을 지원하는 LEO용 Azhdarchidae Ku-band 위상배열 단말, 가정용 수신기부터 지상국까지 확장 가능한 모듈형 Quetzalcoatlus 시스템, BVLOS 비행을 지원하는 AzhdaeQ UAV 모듈을 통해 위성 인터넷, 항공 및 해상 통신, 미래 mesh networks를 지원합니다. 회사는 Epitaxial Structure 설계, Device Layout 최적화, 엄격한 품질 관리, 신속한 양산까지 이어지는 엔드투엔드 역량도 보유합니다.
전시 제품
5G MMIC 분야에서 Ultraband Technologies, Inc.는 28GHz와 39GHz의 고주파 mmWave GaN IC에 집중하며 Switches, LNA(Low Noise Amplifiers), PA(Power Amplifiers)를 포함합니다. 5G mmWave small cell용으로 AiP, Beam-forming IC arrays, Up/Down converters, control IC modules를 포함한 고주파 Antenna RF front-end modules를 개발합니다. RF 제품은 마이크로파부터 밀리미터파까지 포괄하며 GaN HEMT-on-SiC, GaAs pHEMT, InP HEMT 기술을 이용해 고선형성, 저잡음, 광대역 특성을 제공하고 5G mmWave, 위성통신, 레이더, IoT에 적용됩니다. 밀리미터파는 30~300 GHz 대역을 포괄하며 고대역폭, 저지연, 대용량 전송 특성을 갖습니다. GaN, GaAs, InP 화합물 반도체 공정을 통해 고효율·고선형성 밀리미터파 전력 증폭기(PA), 저잡음 증폭기(LNA), 안테나 프런트엔드 모듈(FEM)을 개발합니다. mmWave 제품군에는 III-V족 반도체 기술로 최적화된 Ku-band 및 Ka-band switches, LNAs, PAs도 포함되며 Satellite Ground Terminal과 기타 Ku·Ka 대역 응용에 적합합니다. UltrabandTech는 반도체 소자 개발, IC 설계, 패키징, 전력 관리, 안테나 모듈 시스템 통합을 아우르는 종합 R&D 역량을 보유하며 MMIC(PA, LNA, Switch and FEM), 3D MMIC package, cavity sandwich 패키징으로 통합되는 수동 IPD 및 능동 III-V compound parts, 5G FR2와 위성통신용 안테나 모듈 설계를 포함합니다. GaN-on-SiC 전력 소자의 온저항 범위는 30 mΩ~150 mΩ로 제시되며 안테나 모듈은 다양한 크기로 확장해 서로 다른 응용 요구에 대응할 수 있습니다.
역량 및 제품
- 28GHz/39GHz 5G mmWave GaN MMIC
- 5G mmWave AiP·Beam-forming·Up/Down Converter 프런트엔드 모듈
- Ku/Ka 대역 위성통신 MMIC
- 650V~1200V GaN-on-SiC 전력 소자
- 3D MMIC 패키징
- IPD/III-V cavity sandwich 패키징
- SATCOM 위상배열 모듈
- 에피택셜 구조 설계 및 소자 레이아웃 최적화