基本資料
| 攤位 | I3307 |
| 國別 | TW |
| 產品分類 | Circuit Design; Electronic Design Services (EDS); System Level Design (SLD) · Manufacturing Process Support and Development · Device; Wafer; Display Panel Handling Products |
| 網站 | www.ultrabandtech.com |
公司簡介
Ultraband Technologies 是一家總部位於台灣的 III-V 族化合物半導體無晶圓廠（fabless）IC 設計公司。我們專注於設計 5G 無線單晶微波積體電路（MMIC）、RF 前端模組、低地球軌道（LEO）IC 與 III-V 族功率元件。我們也致力於最佳化磊晶結構與元件佈局。在 5G MMIC 方面，我們聚焦於高頻毫米波 GaN IC，包括 28GHz 與 39GHz 頻寬的開關、LNA（低雜訊放大器）與 PA（功率放大器）。我們致力於為 5G 毫米波小型基地台開發高頻天線 RF 前端模組，包括 AiP、波束成形 IC 陣列、上／下變頻器與控制 IC 模組。在先進化合物半導體功率元件方面，我們著重於開發高崩潰電壓的 D-mode GaN 功率與 E-mode GaN 功率元件。這些元件皆用於充電站、車載充電器、高瓦數快速充電器與運算伺服器電源供應器中的 AC/DC、DC/DC 逆變器與轉換器。
能力與產品項目
- 28GHz 與 39GHz mmWave GaN IC Switches、LNA 與 PA
- 5G 無線 Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMIC)
- Device Layouts 最佳化
- Epitaxial Structures 最佳化
- III-V Power Devices
- III-V 化合物半導體 fabless IC 設計
- Low Earth Orbit (LEO) ICs
- RF Frontend Modules
- 含 AiP 與 Beam-forming IC array 的 5G mmWave 小型基地台 Antenna RF 前端模組
- 高崩潰電壓 D-mode GaN power 與 E-mode GaN power 元件