基本情報
| ブース | I3307 |
| 国 | TW |
| 製品カテゴリ | Circuit Design; Electronic Design Services (EDS); System Level Design (SLD) · Manufacturing Process Support and Development · Device; Wafer; Display Panel Handling Products |
| ウェブサイト | www.ultrabandtech.com |
会社概要
Ultraband Technologies は、台湾に拠点を置く III-V 族化合物半導体のファブレス IC 設計会社です。当社は、5G ワイヤレス向けのモノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）、RF フロントエンドモジュール、低軌道（LEO）IC、III-V 族パワーデバイスの設計に注力しています。また、エピタキシャル構造とデバイスレイアウトの最適化にも取り組んでいます。5G MMIC については、28GHz・39GHz 帯域のスイッチ、LNA（低雑音増幅器）、PA（電力増幅器）など、高周波ミリ波 GaN IC に重点を置いています。5G ミリ波スモールセル向けに、AiP、ビームフォーミング IC アレイ、アップ／ダウンコンバーター、制御 IC モジュールを含む高周波アンテナ RF フロントエンドモジュールの開発に取り組んでいます。先進化合物半導体パワーデバイスについては、高耐圧の D モード GaN パワーおよび E モード GaN パワーデバイスの開発に重点を置いています。これらはいずれも、充電ステーション、車載充電器、高出力急速充電器、コンピューティングサーバー電源向けの AC/DC、DC/DC インバーター＆コンバーターに使用されます。
対応領域・製品
- 28GHz および 39GHz mmWave GaN IC Switches、LNA、PA
- 5G 無線 Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMIC)
- AiP および Beam-forming IC array を備えた 5G mmWave スモールセル向け Antenna RF フロントエンドモジュール
- Device Layouts の最適化
- Epitaxial Structures の最適化
- III-V Power Devices
- III-V 化合物半導体 fabless IC 設計
- Low Earth Orbit (LEO) ICs
- RF Frontend Modules
- 高耐圧 D-mode GaN power および E-mode GaN power デバイス