基本情報
| ブース | I3307 |
| 国 | TW |
| ウェブサイト | www.ultrabandtech.com |
会社概要
Ultraband Technologies, Inc. は台湾を拠点とするIII-V族化合物半導体のファブレスIC設計会社で、2020年3月に設立され、払込資本金はNT$500 millionです。5G無線Monolithic Microwave Integrated Circuits（MMIC）、RF Frontend Modules、Low Earth Orbit（LEO）IC、III-V Power Devicesの設計に注力し、Epitaxial StructuresとDevice Layoutsの最適化にも取り組んでいます。高性能パワーアンプ半導体の設計では、GaN HEMTsやGaAs pHEMTsなどのIII-V族化合物半導体技術を活用し、無線通信システムの高効率、高線形性、信頼性を追求します。RF MMIC製品はマイクロ波からミリ波までのPA、LNA、switch、アンテナフロントエンドモジュールをカバーし、GaN-on-SiC、GaAs pHEMT、InP HEMTプロセスを採用して、5G mmWaveのn257、n258、n261をサポートし、小型基地局、レーダー、衛星通信、IoTに使用されます。Ultraband Technologies, Inc. は高耐圧のD-modeおよびE-mode GaNパワーデバイスを開発し、充電ステーション、車載充電器、急速充電機器、サーバー電源向けのAC/DC、DC/DCコンバータに使用するとともに、電力システム、再生可能エネルギー、電気自動車、航空宇宙・防衛分野も対象としています。GaN-on-SiCパワーデバイスでは、高効率、低損失、長期安定性を重視し、厳格な品質管理によって過酷な環境でも一貫した信頼性を確保します。SYSTEM & MODULEチームは次世代SATCOMとフェーズドアレイモジュールを開発し、電子ビームステアリングを備えたLEO向けAzhdarchidae Ku-bandフェーズドアレイ端末、家庭用受信機から地上局まで拡張可能なモジュール型Quetzalcoatlusシステム、BVLOS飛行を可能にするAzhdaeQ UAVモジュールを提供し、衛星インターネット、航空・海上通信、将来のmesh networksに対応します。さらに、Epitaxial Structure設計、Device Layout最適化、厳格な品質管理、迅速な量産までのエンドツーエンド能力を備えています。
展示製品
5G MMICでは、Ultraband Technologies, Inc. は28GHzおよび39GHzの高周波mmWave GaN ICに注力し、Switches、LNA（Low Noise Amplifiers）、PA（Power Amplifiers）を含みます。5G mmWave small cell向けに、AiP、Beam-forming IC arrays、Up/Down converters、control IC modulesを含む高周波Antenna RF front-end modulesを開発しています。RF製品はマイクロ波からミリ波までをカバーし、GaN HEMT-on-SiC、GaAs pHEMT、InP HEMT技術によって高線形性、低雑音、広帯域を実現し、5G mmWave、衛星通信、レーダー、IoTに使用されます。ミリ波は30～300 GHz帯をカバーし、高帯域幅、低遅延、大容量伝送の特性を持ちます。GaN、GaAs、InPの化合物半導体プロセスにより、高効率・高線形性のミリ波パワーアンプ（PA）、低雑音アンプ（LNA）、アンテナフロントエンドモジュール（FEM）を開発しています。ミリ波製品群には、III-V族半導体技術で最適化されたKu-bandおよびKa-bandのswitches、LNAs、PAsも含まれ、Satellite Ground Terminalやその他のKu・Ka帯用途に対応します。UltrabandTechは半導体デバイス開発、IC設計、パッケージング、電源管理、アンテナモジュールシステム統合までの総合的なR&D能力を持ち、MMIC（PA、LNA、Switch and FEM）、3D MMIC package、cavity sandwichパッケージングで統合する受動IPDと能動III-V compound parts、5G FR2および衛星通信用アンテナモジュール設計を含みます。GaN-on-SiCパワーデバイスのオン抵抗は30 mΩ～150 mΩとされ、アンテナモジュールは異なるサイズへ拡張して各種用途に対応できます。
対応領域・製品
- 28GHz／39GHz 5G mmWave GaN MMIC
- 5G mmWave AiP・Beam-forming・Up/Down Converterフロントエンドモジュール
- Ku／Ka帯衛星通信MMIC
- 650V～1200V GaN-on-SiCパワーデバイス
- 3D MMICパッケージ
- IPD／III-V cavity sandwichパッケージ
- SATCOMフェーズドアレイモジュール
- エピタキシャル構造設計・デバイスレイアウト最適化