六甲電子株式会社

SEMICON Taiwan 2026 出展社 · ブース K2168

ブース K2168国 JP製品トピック 9 件
開催情報

基本情報

ブースK2168
国JP
ウェブサイトwww.rokkodenshi.com
出展社情報

会社概要

六甲電子株式会社は、半導体製造工程において、Silicon、SiC、LT、LN、Sapphire ウエハの通常、薄型、超薄型の研削・研磨を行い、ウエハ再生、ウエハ洗浄、SiC、Sapphire、LT、MEMS 用途向けの特殊ウエハ加工も提供しています。 一体化した研削・研磨工程により、センサーおよびパワーデバイス用途で必要となる薄型かつ鏡面仕上げの表面を提供します。 4~8 inch のウエハを試作および量産の双方で仕上げ厚み 15~100 μm に加工でき、grinding-finish (#8000) や polishing-only services といった特殊加工ニーズにも対応します。 六甲電子株式会社は品質を最優先事項としており、厚み精度や研磨精度を含む工程パラメータを測定・監視するとしています。 加工技術では、半導体の特性や性能に影響する高精度の Silicon ウエハ研削・研磨技術を開発、改良、更新し、製造しており、MEMS などの特殊ウエハについても開発および量産で研削・研磨を行い、多様な半導体製造ニーズに対応しています。 同社は加工技術情報の中で「平成24年度西宮市 優良事業所顕彰受賞」も掲げています。

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展示製品

薄く仕上げるウエハについて、六甲電子株式会社は薄化前に予防加工を行うことができます。仕上げ厚みが薄くなるにつれて加工前ウエハのベベル形状がナイフのように尖り、チッピングの原因になるためです。 研削では厚みのばらつきを抑えるよう精密に加工し、対象製品に合わせて複数種類の grinder から適切な装置を選択します。 対応ウエハサイズは 4~8 inch で、研削の説明では試作から量産まで仕上げ厚み 100um 以下に対応します。 研削後の Silicon ウエハは、微細な表面凹凸を研磨して鏡面に仕上げ、表面性能に影響を与えないよう慎重かつ迅速に処理し、ひずみやキズを避けるため高い精密度を確保します。 表面にパターンがあり裏面を薄化するウエハでは、顧客工程へ戻す前に薄化面だけを RCA 洗浄して金属コンタミを除去でき、RCA 洗浄が表面のパターン面へ回り込まないようにできます。 100um 以下に加工した Silicon および化合物ウエハでは、薄化後にウエハ単体で次工程へ移動することが難しい場合、サポート基板を使って dicing 工程まで支え続けることができます。 両面研磨機により面内 TTV<1um を実現でき、接合基板材となる Silicon の加工に対応します。 Monitor wafer の再生では、顧客の各工程で必要なウエハを再生研磨し、厚み管理、particle 管理、金属汚染管理を要望に合わせて行い、4~8 inch に対応します。 SiC ウエハは 8 inch まで、研削、研磨、RCA 洗浄、各種検査、epi 再生加工に対応します。 化合物ウエハについては、六甲電子株式会社は各種ウエハ、各種加工、各種検査に対応可能としています。 CMP は酸化膜平坦化に対応し、研削後に CMP を行っても必要な超平坦化を達成できない場合は、最終仕上げとして trimming を用いて nm レベルの平坦化を実現します。 Monitor wafer の膜除去では、etching で各種膜だけを除去し、RCA 洗浄でコンタミを取り除き、各種検査で完全除去を確認できます。particle 保証も必要な場合は通常の再生加工で対応できます。 frame-mount のサポートサービスでは、薄化ウエハが顧客の加熱・薬品工程を通過した後に受け入れ、dicing ring にマウントし、サポート材を外して返却します。 透明体の化合物ウエハや Silicon ウエハなど、さまざまな半導体 device wafer 向けに有償の受託検査サービスも提供します。 加工領域にはさらに、back grinding、polishing、patterned-wafer RCA cleaning、temporary bonding、double-side polishing、Premium process、検査装置、Sapphire・SiC 専用 grinders、knife-edge prevention processing などが含まれます。

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