基本資料
| 攤位 | K2168 |
| 國別 | JP |
| 網站 | www.rokkodenshi.com |
公司簡介
Rokko Electronics Co., Ltd. 支援半導體生產流程，提供 Silicon、SiC、LT、LN 與 Sapphire 晶圓的一般、薄型與超薄型研削及拋光，也提供晶圓再生、晶圓清洗，以及 SiC、Sapphire、LT 與 MEMS 應用的特殊晶圓加工。 其整合式研削與拋光製程可製作感測器與功率元件應用所需的薄型及鏡面完成表面。 公司可處理 4 至 8 inch 晶圓，在試作與量產中加工至 15 至 100 μm 的完成厚度，並可對應 grinding-finish (#8000) 與 polishing-only services 等特殊加工需求。 Rokko Electronics Co., Ltd. 表示品質是營運中的第一優先，製程參數都會量測與監控，其中包括厚度精度與拋光精度。 其加工技術說明涵蓋會影響半導體特性與性能的高精度 Silicon 晶圓研削及拋光技術之開發、改良、更新與製造，同時也在開發與量產階段進行 MEMS 等特殊晶圓的研削和拋光，以因應多樣化半導體製造需求。 公司也在加工技術資訊中列出「平成２４年度西宮市 優良事業所顕彰受賞」這項表彰。
展出產品
對預計薄化完成的晶圓，Rokko Electronics Co., Ltd. 可在薄化前進行預防加工，因為隨著最終晶圓厚度變薄，加工前晶圓的 bevel 形狀可能變得像刀刃，進而成為 chipping 的原因。 其研削製程會精密控制以降低厚度變異，並依待加工產品從多種設備中選擇最合適的 grinder。 支援的晶圓尺寸為 4 至 8 inch，研削說明列出的完成厚度為從試作到量產皆可達 100um 以下。 研削後的 Silicon 晶圓會拋光去除表面的微小凹凸並形成鏡面，同時以謹慎且迅速的拋光方式避免影響表面性能，並以高精密度避免應變與刮傷。 對正面已有圖案且背面需薄化的晶圓，可只針對薄化面進行 RCA 清洗，在送回客戶製程前去除金屬污染，且 RCA 清洗不會繞到正面圖案面。 對加工至 100um 以下的 Silicon 與化合物晶圓，當薄化後無法僅靠晶圓本體安全移動至下一製程時，可使用支撐基板持續支援到 dicing 製程。 雙面拋光設備可實現面內 TTV＜1um，並可用於接合基板材料的 Silicon 加工。 Monitor wafer 再生服務包括客戶各製程所需晶圓的再生拋光，可依需求進行厚度管理、particle 管理與金屬污染管理，並支援 4 至 8 inch 晶圓。 SiC 晶圓可支援至 8 inch，提供研削、拋光、RCA 清洗、各種檢查與 epi 再生加工。 對化合物晶圓，Rokko Electronics Co., Ltd. 表示可支援各種晶圓類型、各種加工與各種檢查。 其 CMP 能力可對應氧化膜平坦化；當研削再接 CMP 仍無法達到所需的超平坦度時，則可用 trimming 作為最終加工以實現 nm 等級平坦化。 針對 monitor wafer 的膜層去除，公司可先以 etching 移除指定膜層，再以 RCA 清洗去除污染，並透過各種檢查確認污染是否完全清除；若還需要 particle 保證，也可改以一般再生加工處理。 其 frame-mount 支援服務可在薄化晶圓通過客戶的加熱或藥品製程後接收晶圓，將其安裝至 dicing ring、移除支撐材料，再返還晶圓。 公司也提供多種半導體 device wafer 的有償委託檢查服務，對象包括透明體化合物晶圓與 Silicon 晶圓。 加工範圍另外列出 back grinding、polishing、patterned-wafer RCA cleaning、temporary bonding、double-side polishing、Premium process、檢查設備、Sapphire 與 SiC 專用 grinders，以及 knife-edge prevention processing 等與晶圓加工相關的領域。
能力與產品項目
- Silicon/SiC/LT/LN/Sapphire 晶圓研削拋光
- 晶圓再生
- 晶圓清洗
- SiC/Sapphire/LT/MEMS 特殊晶圓加工
- 圖案晶圓薄化面 RCA 清洗
- 薄化晶圓暫時接合支撐
- 晶圓雙面拋光 TTV＜1um
- 8 吋 SiC 晶圓研削／拋光／RCA／檢查／Epi 再生
- 氧化膜 CMP 平坦化
- Monitor wafer 膜層蝕刻去除與 RCA 清洗
- 晶圓 nm 級 Trimming 超平坦化
- 薄化晶圓 Frame Mount 服務
- 半導體晶圓委託檢查
- 晶圓 Knife-edge 防止加工