기본 정보
| 부스 | R8018 |
| 국가 | JP |
| 웹사이트 | www.ntt-at.com |
회사 소개
NTT Advanced Technology Corporation은 1976년 12월 17일 설립되었고 본사는 Tokyo에 있습니다. 자본금은 5 billion yen, NTT, Inc. 지분은 100％이며 2026년 3월 기간 매출은 74.3 billion yen, 2026년 3월 31일 기준 직원 수는 2,165명입니다. 회사는 “Human Power and Technology”를 기업 사명으로 두고 인적 역량과 기술 역량을 결합해 고객과 함께 제품과 사업을 창출합니다. 사업 환경은 AI 등 디지털 기술을 중심으로 한 ICT의 빠른 발전과 지구 온난화, 노동력 부족, 사회 인프라 노후화 같은 과제를 포함합니다. 회사는 미래지향적 관점에서 기술을 강화해 새로운 가치를 만들고 고객 요구와 사회 문제에 대응한다고 설명합니다. Application Business는 AI, RPA 등 디지털 기술을 활용해 DX와 energy 분야를 포함한 데이터 유통 사업용 애플리케이션과 서비스를 개발·판매합니다. Materials & Nanotechnology Business는 첨단 소재와 나노 가공 같은 핵심 기술을 기반으로 나노전자, 광학, 환경 분야의 제품과 서비스를 개발·판매합니다. Social Platform Business는 IOWN으로 대표되는 네트워크·보안 기술을 바탕으로 설계, 구축, 운영, 유지보수, 모니터링까지 수행합니다. Total Solution Business는 자체 제품·서비스와 상용 제품을 결합해 CX 개선을 위한 종합 솔루션을 개발·판매합니다. 그룹 회사에는 NTT-AT SYSTEMS CORPORATION, NTT-AT TECHNO COMMUNICATIONS CORPORATION, NTT-AT IPS CORPORATION, NTT-AT CREATIVE CORPORATION, NTT-AT MTACK CORPORATION이 포함됩니다. 첨단 기술 사업에서는 광학, 나노전자, 환경 분야를 중심으로 제품과 서비스를 취급합니다. NTT 연구소에 축적된 고급 기술을 기반으로 제품 개발·판매, 기술 이전·컨설팅, 연구개발 지원을 수행합니다. 또한 폭넓은 핵심 기술과 R&D 경험을 바탕으로 고객에게 실제로 필요한 기술을 식별하고 제공하는 것을 중시합니다.
전시 제품
NTT Advanced Technology Corporation은 연구, 개발, 응용, 상용화 단계에 필요한 맞춤형 nanoimprint 몰드를 제공하며 반도체 미세가공 기술을 nanoimprint 몰드에 20년 넘게 적용해 왔습니다. 1000개가 넘는 nanoimprint 몰드 공급 경험을 제시하며 대학, 연구기관, 기업과 반도체, 광학, IT, bio, medical 등 다양한 분야의 주문을 받습니다. 몰드 소재는 nanoimprint 용도에 맞춰 quartz, silicon 등을 지정할 수 있습니다. 미세가공 범위는 최소 20nm pattern에서 μm 수준까지이며 높은 종횡비 구조도 가능합니다. 패턴은 단일 패턴 반복 배열부터 회로 패턴 같은 복잡한 형상까지 지원하고 hologram용 다단 단차 패턴도 제공합니다. 3차원 형상은 microlens arrays(MLA), inverted pyramid patterns 등을 가공하며 맞춤형 규격에 대한 상세 상담도 지원합니다. 질화물 반도체 에피택셜 웨이퍼는 silicon(Si), sapphire(Al2O3), silicon carbide(SiC), gallium nitride(GaN) 기판 위에 결정을 성장시킬 수 있고 질화물 시스템에 사용되는 기판 종류를 처리할 수 있습니다. 여러 기판 유형을 이용한 개발 검토를 병렬로 진행할 수 있으며 소량 프로토타입부터 양산까지 주문을 받습니다. 대구경 8-inch silicon 기판에도 대응하며 관련 부서와 협력해 소자 제작과 소재 분석도 수행할 수 있습니다. 응용 예에는 USB 소형 급속 충전기, LED 가로등, 이동통신 기지국용 전력 소자, 자동차용 전력 소자, 가전용 전력 소자, 내환경 소자가 포함됩니다. 6 inch Si의 power application용 HEMT 구조 예가 있으며 6 inch와 8 inch Si AlGaN/GaN HEMT 라인업에는 GaN cap, in-situ SiN(~5nm), in-situ SiN(~40nm), p-GaN(~80nm) 옵션이 있습니다. 부품 번호는 SEE61K22227S20G, SEE61K22227S30G, SEE61K22515S30G, SEE61K22520S30G, SEE61K22525S30G, SEE61K23020S30G, SEE61K21745N30G, SEE61K22520N30G, SEE61K22520N35G, SEE61K22520N40G, SEE61K22526N15G, SEE61K22526N20G, SEE61K22526N35G, SEE61K22527N35G, SEE61K23020N30G, SEE61K02822S30G가 제시됩니다. Si 기판 구조는 GaN cap 2 (nm) 또는 cap 없음, AlGaN barrier Al content 20~30 (%) 및 두께 15~27 (nm), GaN channel 150~400 (nm), C-doped buffer ~3900 (nm)로 제시됩니다. 특성은 sheet resistance 350~400 ohm/sq.(AlN spacer 포함) 또는 450~500 ohm/sq.(미포함), electron mobility ~1700 to 1900 cm2 /Vs, FWHM (002) <800 arcsec, FWHM (102) <1400 arcsec, breakdown voltage 800V to 1000V, bowing value < 50um입니다. 다른 AlGaN/GaN HEMT 예는 doped 또는 undoped 0-5nm GaN cap, AlN spacer 포함 또는 미포함 AlGaN barrier(Al-content 10-50%, 두께 <~50nm), 1-3 μm (Al)GaN buffer를 사용할 수 있습니다. 기판 선택지는 Si 4 to 8 inches, Sapphire 2 to 4 inches, SiC 2～6 inch, GaN 2 to 4 inches입니다. 관련 지원에는 소자와 소재의 형상·구조·결정 구조 관찰, 무기·유기 분야의 미량 분석부터 주성분 분석까지의 화학 분석, 소자 프로토타입 공정을 외주화하는 semiconductor process service가 포함됩니다. 광통신용 접착 기술은 주요 기술 중 하나이며 굴절률 정합, 정밀 고정, 내열·고탄성, 낮은 수분 투과 요구에 맞춰 접착제와 수지를 개발·상용화합니다. 가시광 영역에서 높은 투명도를 가진 UV 경화형 고굴절률 수지도 제공합니다. NH700 series는 높은 굴절률, 높은 투명도, 환경 저항성을 갖춘 광학 소재이며 용제 함유형은 박막 형성에 적합합니다. 규격은 굴절률 1.8 또는 1.9, 막 두께 200nm~1μm(typical value 300nm), transmittance >90%(reflection loss 포함), haze <0.1%, UV curing입니다. 맞춤 범위는 굴절률 1.6~1.9 이상, spin coat, inkjet, bar coat, dispense 적용, 박막 200 nm 이상에서 두꺼운 막 100 μm 이하까지입니다. 제품 특성은 높은 굴절률, 높은 투명도, 낮은 haze, lightfastness, 내열성, 우수한 nanoimprintability, adhesion을 포함합니다. 응용 예는 XR devices용 optical waveguide, resin lens, silicon photonics communication devices, nanoimprint resin, optical glue, optical coating agents입니다. Nanoimprint는 nanoscale 요철 pattern을 가진 몰드를 수지가 코팅된 기판에 눌러 열 또는 광경화로 패턴을 수지에 전사하는 공정이며 기존 nanoscale 가공보다 간단하고 저비용인 양산 기술로 설명됩니다. nanoimprint lithography의 pillar pattern 예는 폭 0.5-5μm, 깊이 350 nm입니다.
역량 및 제품
- 석영 및 실리콘 나노임프린트 몰드 맞춤 제작
- 20nm 미세 패턴 몰드 가공
- 다단 홀로그램 패턴 몰드 가공
- 마이크로렌즈 어레이 및 역피라미드 몰드 가공
- 질화물 반도체 에피택셜 웨이퍼 맞춤 제조
- AlGaN/GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼
- InAlN/GaN HEMT 에피택셜 웨이퍼
- 반도체 소자 시제품 제작 서비스
- 반도체 소자 및 소재 형상·결정구조 분석
- 유기 및 무기 소재 화학 분석
- UV 경화형 고굴절률 광학 수지 맞춤 제작
- 굴절률 정합 광학 접착제 개발
- 정밀 고정용 광학 접착제 개발
- 내열 고탄성 광학 접착제 개발
- 저투습 광학 접착제 개발
- AI·RPA 데이터 유통 애플리케이션 개발
- 네트워크 및 사이버보안 플랫폼 설계·구축·운영·유지보수
- 광학 및 나노기술 이전·컨설팅·연구개발 지원