基本情報
| ブース | R8018 |
| 国 | JP |
| ウェブサイト | www.ntt-at.com |
会社概要
NTTアドバンステクノロジ株式会社は 1976 年 12 月 17 日に設立され、本社は Tokyo にあります。資本金は 5 billion yen、株主は NTT, Inc. 100％、2026 年 3 月期の売上高は 74.3 billion yen、2026 年 3 月 31 日時点の従業員数は 2,165 です。企業理念「Human Power and Technology」のもと、人の力と技術力を掛け合わせ、顧客とともに製品や事業を創出します。事業環境として AI などデジタル技術を中心とする ICT の急速な進化と、地球温暖化、人手不足、社会インフラ老朽化などの課題を捉えています。将来を見据えて技術を高め、新たな価値を生み出し、顧客ニーズと社会課題に応える方針です。Application Business は AI、RPA などを活用し、DX、energy などのデータ流通事業で使われるアプリケーションとサービスを開発・販売します。Materials & Nanotechnology Business は先端材料とナノ加工技術などを基盤に、ナノエレクトロニクス、光、環境分野の製品・サービスを開発・販売します。Social Platform Business は IOWN に代表されるネットワーク・セキュリティ技術を基盤に、設計、構築、運用、保守、監視までを扱います。Total Solution Business は自社製品・サービスに市販製品を組み合わせ、CX 向上を目的とするトータルソリューションを開発・販売します。グループ会社には NTT-AT SYSTEMS CORPORATION、NTT-AT TECHNO COMMUNICATIONS CORPORATION、NTT-AT IPS CORPORATION、NTT-AT CREATIVE CORPORATION、NTT-AT MTACK CORPORATION があります。先端技術分野では、光関連、ナノエレクトロニクス、環境分野を中心に製品・サービスを取り扱います。NTT 研究所で蓄積された高度な技術を基盤に、製品開発・販売、技術移転・コンサルティング、研究開発支援を行います。また、幅広いコア技術と研究開発経験をもとに、顧客が必要とする技術を見極めて提供することを重視しています。
展示製品
NTTアドバンステクノロジ株式会社は、研究、開発、応用、事業化の各段階向けにカスタム nanoimprint モールドを提供し、半導体微細加工技術を nanoimprint モールドへ 20 年以上適用してきました。供給実績は 1000 個を超え、大学、研究機関、企業のほか、半導体、光学、IT、bio、medical など幅広い分野から注文を受けています。モールド材料は用途に応じて quartz や silicon などを指定できます。微細加工は最小 20nm pattern から μm オーダーまで対応し、高アスペクト比も可能です。パターンは単一形状の繰り返し配列から回路パターンなどの複雑形状まで対応し、hologram 向けなどの多段段差パターンも製作します。三次元形状では microlens arrays（MLA）や inverted pyramid patterns を加工でき、カスタム仕様について詳細な事前相談にも対応します。窒化物半導体エピタキシャルウェハでは、silicon（Si）、sapphire（Al2O3）、silicon carbide（SiC）、gallium nitride（GaN）基板上で結晶成長でき、窒化物系で用いる各種基板に対応します。複数の基板種を使う開発検討を並行して進められ、少量試作から量産まで注文を受け付けます。大口径 8-inch silicon 基板にも対応し、関連部門との連携でデバイス製作と材料分析も可能です。用途例は USB 小型急速充電器、LED 街路灯、モバイル基地局用パワーデバイス、車載パワーデバイス、家電用パワーデバイス、耐環境デバイスです。6 inch Si 上の power application 向け HEMT 構造例があり、6 inch・8 inch Si の AlGaN/GaN HEMT ラインアップでは GaN cap、in-situ SiN（~5nm）、in-situ SiN（~40nm）、p-GaN（~80nm）を用意します。品番は SEE61K22227S20G、SEE61K22227S30G、SEE61K22515S30G、SEE61K22520S30G、SEE61K22525S30G、SEE61K23020S30G、SEE61K21745N30G、SEE61K22520N30G、SEE61K22520N35G、SEE61K22520N40G、SEE61K22526N15G、SEE61K22526N20G、SEE61K22526N35G、SEE61K22527N35G、SEE61K23020N30G、SEE61K02822S30G が記載されています。Si 基板構造では GaN cap が 2 (nm) または cap なし、AlGaN barrier は Al content 20~30 (%)・厚さ 15~27 (nm)、GaN channel は 150~400 (nm)、C-doped buffer は ~3900 (nm) です。特性値は sheet resistance 350~400 ohm/sq.（AlN spacer あり）または 450~500 ohm/sq.（なし）、electron mobility ~1700 to 1900 cm2 /Vs、FWHM (002) <800 arcsec、FWHM (102) <1400 arcsec、breakdown voltage 800V to 1000V、bowing value < 50um です。別の AlGaN/GaN HEMT 例では、doped／undoped の 0-5nm GaN cap、AlN spacer あり／なしの AlGaN barrier（Al-content 10-50%、厚さ <~50nm）、1-3 μm (Al)GaN buffer を使用できます。基板は Si 4 to 8 inches、Sapphire 2 to 4 inches、SiC 2～6 inch、GaN 2 to 4 inches です。関連支援には、デバイス・材料の形態、構造、結晶構造を調べる形態観察、無機・有機の微量分析から主成分分析までの化学分析、デバイス試作工程を外部委託するための semiconductor process service があります。光通信向け接着技術は主要技術の一つで、屈折率整合、精密固定、耐熱・高弾性、低透湿などの要件に応じて接着剤と樹脂を開発・製品化します。可視光域で高い透明性を持つ UV 硬化型高屈折率樹脂も提供します。NH700 series は高屈折率、高透明性、耐環境性を持つ光学材料で、溶剤含有タイプは薄膜形成に適しています。仕様は屈折率 1.8 または 1.9、膜厚 200nm～1μm（typical value 300nm）、transmittance >90%（reflection loss を含む）、haze <0.1%、UV curing です。カスタマイズでは屈折率 1.6～1.9 以上、spin coat、inkjet、bar coat、dispense、薄膜 200 nm 以上から厚膜 100 μm 以下までに対応します。特長は高屈折率、高透明性、低 haze、lightfastness、耐熱性、良好な nanoimprintability、adhesion です。用途例は XR devices 用 optical waveguide、resin lens、silicon photonics communication devices、nanoimprint resin、optical glue、optical coating agents です。Nanoimprint は nanoscale の凹凸 pattern を持つモールドを樹脂塗布基板へ押し当て、加熱または光硬化でパターンを樹脂へ転写する加工で、従来の nanoscale 加工より簡便で低コストな量産技術として位置付けられています。nanoimprint lithography の pillar pattern 例は幅 0.5-5μm、深さ 350 nm です。
対応領域・製品
- 石英・シリコン製ナノインプリントモールドのカスタマイズ
- 20nm 微細パターンモールド加工
- 多段ホログラムパターンモールド加工
- マイクロレンズアレイ・逆ピラミッドモールド加工
- 窒化物半導体エピタキシャルウェーハのカスタム製造
- AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ
- InAlN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ
- 半導体デバイス試作サービス
- 半導体デバイス・材料の形態・結晶構造解析
- 有機・無機材料の化学分析
- UV 硬化型高屈折率光学樹脂のカスタマイズ
- 屈折率整合光学接着剤の開発
- 精密固定用光学接着剤の開発
- 耐熱高弾性光学接着剤の開発
- 低透湿光学接着剤の開発
- AI・RPA データ流通アプリケーション開発
- ネットワーク・セキュリティ基盤の設計・構築・運用保守
- 光学・ナノ技術の移転・コンサルティング・研究開発支援