基本資料
| 攤位 | R8018 |
| 國別 | JP |
| 網站 | www.ntt-at.com |
公司簡介
NTT Advanced Technology Corporation 成立於 1976 年 12 月 17 日，總公司位於 Tokyo。公司資本額為 5 billion yen，NTT, Inc. 持股 100％，截至 2026 年 3 月的期間銷售額為 74.3 billion yen，2026 年 3 月 31 日員工數為 2,165。公司以「Human Power and Technology」為企業使命，結合員工的人力與技術能力，與客戶共同創造產品與事業。其發展方向面對以 AI 等數位技術為核心的 ICT 快速演進，以及全球暖化、勞動力短缺、社會基礎設施老化等課題。公司表示會以前瞻視角強化技術，創造新價值，以回應客戶需求與更廣泛的社會問題。Application Business 運用 AI、RPA 等數位技術，開發與銷售 DX、能源等領域資料流通事業使用的應用程式與服務。Materials & Nanotechnology Business 以先進材料與奈米加工等核心技術，開發及銷售奈米電子、光學與環境領域的產品及服務。Social Platform Business 以 IOWN 所代表的網路與資安技術為基礎，涵蓋設計、建置、營運、維護與監控。Total Solution Business 則把自有產品與服務和商用產品結合，開發及銷售用於改善 CX 的整體方案。集團公司包括 NTT-AT SYSTEMS CORPORATION、NTT-AT TECHNO COMMUNICATIONS CORPORATION、NTT-AT IPS CORPORATION、NTT-AT CREATIVE CORPORATION 與 NTT-AT MTACK CORPORATION。在先端技術相關業務中，公司處理以光學、奈米電子與環境領域為中心的產品與服務，並以 NTT 研究所累積的先進技術為基礎，進行產品開發與銷售、技術移轉與顧問服務，以及研發支援。公司也以廣泛核心技術與研發經驗為基礎，辨識並提供客戶真正需要的技術。
展出產品
NTT Advanced Technology Corporation 提供客製 nanoimprint 模具，支援研究、開發、應用到商業化各階段；其半導體微加工技術已用於 nanoimprint 模具超過 20 年。公司表示已供應超過 1000 個 nanoimprint 模具，客戶包含大學、研究機構、企業，以及半導體、光學、IT、生技、醫療等領域。模具材料可依需求指定，例如 quartz 或 silicon。微加工範圍可從最小 20nm pattern 延伸至 μm 級，並可製作高深寬比結構。圖案可從單一 pattern 的重複陣列到電路等複雜圖案，亦可製作 hologram 等用途的多階段高低差圖案。三維形狀包括 microlens arrays（MLA）與 inverted pyramid patterns，客製模具也支援針對規格的詳細諮詢。氮化物半導體磊晶晶圓方面，公司可在 silicon（Si）、sapphire（Al2O3）、silicon carbide（SiC）與 gallium nitride（GaN）基板上成長晶體，並可處理氮化物系統使用的各類基板。多種基板類型的開發研究可平行進行，並接受從少量原型到量產的訂單。磊晶晶圓能力對應大口徑 8-inch silicon 基板，並可透過相關部門合作進行元件製作與材料分析。應用例包括 USB 小型快速充電器、LED 路燈、行動基地台電源元件、車用電源元件、家電電源元件與耐環境元件。功率應用 HEMT 結構例採 6 inch Si，可供應的 6 inch 與 8 inch Si AlGaN/GaN HEMT 結構包含 GaN cap、in-situ SiN（~5nm）、in-situ SiN（~40nm）及 p-GaN（~80nm）選項。列出的料號包括 SEE61K22227S20G、SEE61K22227S30G、SEE61K22515S30G、SEE61K22520S30G、SEE61K22525S30G、SEE61K23020S30G、SEE61K21745N30G、SEE61K22520N30G、SEE61K22520N35G、SEE61K22520N40G、SEE61K22526N15G、SEE61K22526N20G、SEE61K22526N35G、SEE61K22527N35G、SEE61K23020N30G 與 SEE61K02822S30G。Si 基板結構的 GaN cap 為 2 (nm) 或無 cap，AlGaN barrier 的 Al content 為 20~30 (%)、厚度 15~27 (nm)，GaN channel 為 150~400 (nm)，C-doped buffer 厚度為 ~3900 (nm)。特性包含 sheet resistance 350~400 ohm/sq.（有 AlN spacer）或 450~500 ohm/sq.（無 AlN spacer）、electron mobility ~1700 to 1900 cm2 /Vs、FWHM (002) <800 arcsec、FWHM (102) <1400 arcsec、breakdown voltage 800V to 1000V（視元件結構而定）及 bowing value < 50um。另一 AlGaN/GaN HEMT 例可採 doped 或 undoped 的 0-5nm GaN cap、含或不含 AlN spacer 的 AlGaN barrier，Al-content 10-50%、厚度 <~50nm，以及 1-3 μm (Al)GaN buffer。該例的基板選項為 Si 4 to 8 inches、Sapphire 2 to 4 inches、SiC 2～6 inch、GaN 2 to 4 inches。相關支援包含元件與材料形貌、結構及晶體結構的形貌觀察，從無機與有機微量分析到主成分分析的化學分析，以及委外元件原型製作的 semiconductor process service。光通訊用接著技術也是公司的主要技術之一，可開發用於折射率匹配、精密固定、耐熱與高彈性、低透濕等需求的接著劑與樹脂。公司亦提供可 UV 固化、在可見光範圍具高透明度的高折射率樹脂。NH700 series 為具高折射率、高透明度與耐環境性的光學材料，含溶劑型適合形成薄膜。規格包含折射率 1.8 或 1.9、膜厚 200nm 至 1μm（典型值 300nm）、透過率 >90%（含反射損失）、haze <0.1% 與 UV curing。客製範圍可涵蓋折射率 1.6 至 1.9 或更高，塗佈方式可用 spin coat、inkjet、bar coat、dispense，薄膜厚度可為 200 nm 以上，厚膜可至 100 μm 以下。產品特性包括高折射率、高透明度、低 haze、耐光、耐熱、良好 nanoimprintability 與 adhesion。應用例包含 XR devices 用 optical waveguide、resin lens、silicon photonics communication devices、nanoimprint resin、optical glue 及 optical coating agents。Nanoimprint 是把具有 nanoscale 凹凸 pattern 的模具壓在塗有樹脂的基板上，再以加熱或光固化將凹凸圖形轉印至樹脂，並被描述為相較傳統奈米加工更容易且成本較低的量產技術。nanoimprint lithography 的 pillar pattern 例為寬度 0.5-5μm、深度 350 nm。
能力與產品項目
- 石英與矽奈米壓印模具客製
- 20nm 微細圖案模具加工
- 多階層全像圖案模具加工
- 微透鏡陣列與倒金字塔模具加工
- 氮化物半導體磊晶晶圓客製製造
- AlGaN/GaN HEMT 磊晶晶圓
- InAlN/GaN HEMT 磊晶晶圓
- 半導體元件試製服務
- 半導體元件與材料形貌、晶體結構分析
- 有機與無機材料化學分析
- UV 固化高折射率光學樹脂客製
- 折射率匹配光學接著劑開發
- 精密固定光學接著劑開發
- 耐熱高彈性光學接著劑開發
- 低透濕光學接著劑開發
- AI／RPA 數據流通應用開發
- 網路與資安平台設計建置及維運
- 光學與奈米技術移轉、諮詢及研發支援