Nippon Electric Glass Co., Ltd.

SEMICON Taiwan 2026 참가업체 · 부스 X0031

부스 X0031국가 JP제품 주제 7개
전시회 정보

기본 정보

부스X0031
국가JP
웹사이트www.neg.co.jp
참가업체 정보

회사 소개

Nippon Electric Glass Co., Ltd.는 반도체 지지 및 패키징용 고정밀 유리 소재를 제공하며 저팽창부터 고팽창까지의 유리와 요청된 열팽창계수에 맞춘 유리를 공급할 수 있습니다. 반도체 관련 포트폴리오에는 고정밀 캐리어용 글라스 웨이퍼, 미세 피치 TGV용 글라스 코어 기판, Cu 접착용 나노스케일 조면 표면, 반도체 제조용 Extreme-Environment Battery가 포함됩니다. 또한 광통신, 의료, 센싱용 Micro Glass Prisms와 광통신 및 기타 용도의 Micro Lens Arrays를 제공하며, 후자는 정밀 유리 성형으로 높은 치수 정밀도를 구현합니다. Wafer Level Chip Size Package CMOS 이미지 센서용으로는 저팽창, 무알칼리, 무연마 커버 글라스 웨이퍼를 제공합니다. 지지 유리 라인업에는 ABC-G, A58, A66S, A69, A75, A91S가 포함되고 CSP 글라스 웨이퍼 정보에는 ABC-1이 제시됩니다. 회사는 열팽창, 영률, 유전 특성, 체적 저항률, 굴절률, 광 투과율 등의 재료 특성을 문서화하여 전자 및 반도체 용도의 소재 선정에 활용할 수 있도록 합니다.

참가업체 정보

전시 제품

Glass Wafer for Supporting Semiconductors는 반도체 패키징 공정에서 칩과 기타 부품을 지지하는 고정밀 캐리어 기판입니다. 지지 유리는 저팽창부터 고팽창까지 폭넓게 제공되며 다른 열팽창계수의 유리도 요청에 따라 공급할 수 있습니다. 기재된 지지 웨이퍼는 Φ12 inch에서 TTV <1 μm가 가능하고 T7 code도 지원합니다. ABC-G, A58, A66S, A69, A75, A91S의 열팽창계수는 20-220℃에서 3.6~8.7 ppm/℃, 20-260℃에서 3.7~8.8 ppm/℃ 범위로 제시됩니다. 같은 특성표에는 70~77 GPa의 영률, 1MHz 및 25℃에서 5.3~7.7의 유전율, 0.001~<0.03의 tan δ, 150℃와 250℃에서의 체적 저항률 데이터가 포함됩니다. 용도에는 첨단 패키지 지지 기판, 화합물 반도체 지지 기판, 정밀 연마 지지 기판이 포함됩니다. Cu 접착용 나노스케일 조면 표면은 60 GHz에서 전송 손실 영향이 ≤0.01 dB/cm입니다. Extreme-Environment Battery for Semiconductor Manufacturing는 200℃를 넘는 환경에서도 안정적으로 작동한다고 설명됩니다. 반도체 패키지용 글라스 코어 기판은 미세 피치 TGV용으로 설계되었고 글라스 에폭시 같은 유기 재료 기반 기판보다 평탄도, 평활도, 강성이 우수하여 대형화에 적합합니다. Micro Glass Prisms는 광통신, 의료, 센싱용이며 Micro Lens Arrays는 광통신 및 기타 용도로 정밀 유리 성형을 통해 높은 치수 정밀도를 제공합니다. Glass Wafer for CSP는 저팽창, 무알칼리, 무연마 웨이퍼로 Wafer Level Chip Size Package CMOS 이미지 센서 커버 글라스에 사용됩니다. As- and Sb-free, 우수한 표면 품질, 다양한 박막 코팅 대응도 제시됩니다. ABC-1 특성에는 30~380℃에서 37 ×10^-7/K의 열팽창계수, 2.52 ×10^3kg/m3의 밀도, 78 GPa의 영률, 0.2의 포아송비가 포함되며, 350℃에서 체적 저항률 Log ρ 13.0, 1MHz 및 RT에서 유전율 5.6과 tan δ 0.001, 587.6nm에서 굴절률 1.53, λ=550nm에서 투과율 92%도 기재되어 있습니다. 관련 제품으로 Zero CTE Glass: ZERO™, Neoceram N-0 and N-11, Negative Thermal Expansion Ceramic Substrate: CERSAT™가 제시됩니다.

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역량 및 제품

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