基本資料
| 攤位 | X0031 |
| 國別 | JP |
| 網站 | www.neg.co.jp |
公司簡介
Nippon Electric Glass Co., Ltd. 提供半導體支撐與封裝用途的高精度玻璃材料，涵蓋低膨脹至高膨脹玻璃，並可依要求的熱膨脹係數提供對應玻璃。其半導體相關產品包含高精度載板用玻璃晶圓、細間距 TGV 用玻璃芯基板、Cu 附著用奈米級粗化表面，以及半導體製造用 Extreme-Environment Battery。公司亦供應光通訊、醫療及感測用途的 Micro Glass Prisms，以及用於光通訊與其他用途的 Micro Lens Arrays，後者以精密玻璃成形取得高尺寸精度。針對 Wafer Level Chip Size Package CMOS 影像感測器，公司提供低膨脹、無鹼、免拋光的蓋板玻璃晶圓。支撐玻璃系列包含 ABC-G、A58、A66S、A69、A75、A91S 等玻璃代碼，CSP 玻璃晶圓則列有 ABC-1。公司並記載熱膨脹、楊氏模數、介電特性、體積電阻率、折射率與光學穿透率等材料特性，供電子與半導體用途進行材料選擇。
展出產品
Glass Wafer for Supporting Semiconductors 是在半導體封裝製程中支撐晶片與其他元件的高精度載板，而不是僅以一般玻璃名稱呈現的基板。支撐玻璃涵蓋低膨脹至高膨脹範圍，其他熱膨脹係數的玻璃亦可依需求提供。所列支撐玻璃晶圓可在 Φ12 inch 達到 TTV <1 μm，並支援 T7 code。ABC-G、A58、A66S、A69、A75、A91S 的熱膨脹係數，在 20-220℃ 條件下列為 3.6 至 8.7 ppm/℃，在 20-260℃ 條件下列為 3.7 至 8.8 ppm/℃。同一特性表列出 70 至 77 GPa 的楊氏模數、1MHz、25℃ 下 5.3 至 7.7 的介電常數、0.001 至 <0.03 的 tan δ，以及 150℃ 與 250℃ 的體積電阻率資料。用途包含先進封裝支撐基板、化合物半導體支撐基板及精密研磨支撐基板。Cu 附著用奈米級粗化表面在 60 GHz 的傳輸損耗影響為 ≤0.01 dB/cm。Extreme-Environment Battery for Semiconductor Manufacturing 可在 200℃ 以上可靠運作。半導體封裝用玻璃芯基板為細間距 TGV 設計，相較玻璃環氧等有機材料基板具有更佳平坦度、平滑度與剛性，適合更大尺寸。Micro Glass Prisms 對應光通訊、醫療與感測，Micro Lens Arrays 則對應光通訊與其他用途，並以精密玻璃成形達成高尺寸精度。Glass Wafer for CSP 為低膨脹、無鹼、免拋光玻璃晶圓，用作 Wafer Level Chip Size Package CMOS 影像感測器蓋板玻璃；其特性亦包含 As- and Sb-free、優良表面品質與多種薄膜鍍層選項。ABC-1 的列示特性包括 30～380℃ 下 37 ×10-7/K 的熱膨脹係數、2.52 ×103kg/m3 密度、78 GPa 楊氏模數與 0.2 泊松比；另列有 350℃ 下體積電阻率 Log ρ 13.0、1MHz、RT 下介電常數 5.6 與 tan δ 0.001、587.6nm 下折射率 1.53，以及 λ=550nm 下 92% 穿透率。相關產品資訊另列 Zero CTE Glass: ZERO™、Neoceram N-0 and N-11 與 Negative Thermal Expansion Ceramic Substrate: CERSAT™。
能力與產品項目
- 半導體支撐玻璃晶圓
- 客製熱膨脹係數玻璃
- Cu附著用奈米粗化玻璃表面
- 半導體製造用極端環境電池
- 細間距TGV半導體封裝玻璃芯基板
- 光通訊／醫療／感測微型玻璃稜鏡
- 光通訊微透鏡陣列
- WLCSP CMOS影像感測器蓋板玻璃