基本情報
| ブース | X0031 |
| 国 | JP |
| ウェブサイト | www.neg.co.jp |
会社概要
日本電気硝子株式会社は、半導体の支持・パッケージ用途向けに高精度ガラス材料を提供し、低膨張から高膨張までのガラスに加え、要求される熱膨張係数に合わせたガラスにも対応します。半導体関連の製品群には、高精度キャリア用ガラスウエハ、微細ピッチTGV向けガラスコア基板、Cu密着用ナノスケール粗化表面、半導体製造向けExtreme-Environment Batteryが含まれます。また、光通信・医療・センシング用途のMicro Glass Prismsと、光通信などに用いるMicro Lens Arraysを提供し、後者は精密ガラス成形による高い寸法精度を特徴とします。Wafer Level Chip Size Package CMOSイメージセンサー向けには、低膨張・無アルカリ・研磨不要のカバーガラス用ウエハを提供します。支持ガラスのラインアップにはABC-G、A58、A66S、A69、A75、A91Sがあり、CSP用ガラスウエハにはABC-1が記載されています。これらの製品では、熱膨張、ヤング率、誘電特性、体積抵抗率、屈折率、光透過率などの材料特性を示し、電子・半導体用途の材料選定に対応しています。
展示製品
半導体用サポートガラスは、半導体パッケージ工程でチップなどを支持する高精度キャリア基板です。低膨張から高膨張まで幅広く、その他の熱膨張係数を持つガラスも要望に応じて提供できます。掲載されている支持ウエハでは、Φ12インチでTTV <1μmまで可能で、T7 codeにも対応します。ABC-G、A58、A66S、A69、A75、A91Sの熱膨張係数は、20～220℃で3.6～8.7 ppm/℃、20～260℃で3.7～8.8 ppm/℃とされています。同じ特性表には、ヤング率70～77 GPa、1MHz・25℃で誘電率5.3～7.7、tan δ 0.001～<0.03、150℃および250℃での体積抵抗率データが掲載されています。用途例は、アドバンスドパッケージの支持基板、化合物半導体の支持基板、精密研磨用の支持基板です。Cu密着用ナノスケール粗化表面は、60 GHzで伝送損失への影響が≤0.01 dB/cmとされています。Extreme-Environment Battery for Semiconductor Manufacturingは200℃を超えても安定動作すると説明されています。半導体パッケージ用ガラスコア基板は微細ピッチTGV向けに設計され、ガラスエポキシなど有機材料系基板より平坦性、平滑性、剛性に優れ、大型化に適します。Micro Glass Prismsは光通信、医療、センシング用途、Micro Lens Arraysは光通信などに対応し、精密ガラス成形で高い寸法精度を得ています。Glass Wafer for CSPは低膨張、無アルカリ、研磨不要で、Wafer Level Chip Size Package CMOSイメージセンサーのカバーガラスに使用されます。As- and Sb-free、優れた表面品質、各種薄膜コーティング対応も記載されています。ABC-1は30～380℃で熱膨張係数37 ×10-7/K、密度2.52 ×103kg/m3、ヤング率78 GPa、ポアソン比0.2を示し、さらに350℃で体積抵抗率Log ρ 13.0、1MHz・RTで誘電率5.6とtan δ 0.001、587.6nmで屈折率1.53、λ=550nmで透過率92%が掲載されています。関連製品としてZero CTE Glass: ZERO™、Neoceram N-0 and N-11、Negative Thermal Expansion Ceramic Substrate: CERSAT™も挙げられています。
対応領域・製品
- 半導体用サポートガラスウェハー
- 指定熱膨張係数に合わせたガラス
- Cu密着用ナノ粗化ガラス表面
- 半導体製造用極限環境バッテリー
- 微細ピッチTGV対応半導体パッケージ用ガラスコア基板
- 光通信・医療・センシング用マイクロガラスプリズム
- 光通信用マイクロレンズアレイ
- WLCSP CMOSイメージセンサー用カバーガラスウェハー