基本資料
| 攤位 | I2510 |
| 國別 | TW |
| 網站 | www.twyfp.com |
公司簡介
新元鋒精密股份有限公司專注於薄膜與表面處理技術，服務台灣半導體產業，作為設備代理與技術服務商，供應半導體製程設備、材料與技術解決方案，以協助客戶提升製程良率與技術水平。其經驗豐富且反應快速的團隊可依不同產業需求提供客製化設備改機與製程升級，技術服務涵蓋晶圓製程、光電模組與先進封裝，並拓展至化合物半導體與先進顯示。公司已開發 ALD 應用於 TEM 樣品處理技術，並表示該技術獲 12 吋晶圓廠與第三方實驗室廣泛採用，在高階樣品製備應用的市占率超過九成。公司亦表示在 Mini LED 背光模組與 Micro LED 領域取得成果，產品獲國際大廠採用並進入全球供應鏈。其技術布局進一步涵蓋 GaN、GaAs、SiC 化合物半導體、雷射半導體應用、Micro LED、Micro OLED 與生醫材料。為支援材料表面處理，新元鋒精密股份有限公司引進 Henniker Plasma 設備，涵蓋真空電漿與大氣電漿技術，可進行表面清潔、改質、活化與鍍膜。Henniker Plasma 方案被用於提升產品品質與產能表現，其中一款機型月產能可達 4 吋 7 萬片，並已獲 LED 國際大廠採用。公司與 Sentech Instruments GmbH 合作，導入原子層蝕刻與即時厚度監測，用於 2D 材料整合、奈米片電路與 GaN HEMT 製程。與 Sentech 相關的技術可實現低損傷、表面平滑與高精度蝕刻，提升異質材料整合良率與電性表現，並支援先進製程商用化。新元鋒精密股份有限公司亦供應 Intlvac 離子束技術，應用於 EUV 光罩、Sic-optics 與 Diamond waveguide 等特殊領域。公司以「誠信、專業、創新」為經營理念，將自身定位為技術合作夥伴，持續專注半導體製程設備與技術，同時導入其他先進應用科技並擴展產品線與技術服務。
展出產品
SENresearch 4.0 光譜橢圓偏振儀涵蓋 190 nm 至 3,500 nm 光譜範圍，採用無移動部件的創新 SSA 步進掃描技術與快速 FTIR 橢圓偏振儀設計，並被描述可精準量測最高 200 µm 厚膜。SENTECH SI 500 ALE 原子層蝕刻系統延伸高階電漿製程，提供穩定的低壓低功率電漿環境，結合專利平面三螺旋天線（PTSA）技術、動態基台控溫與背面氦氣冷卻，在超低離子能量下進行數位化週期性蝕刻。SENTECH SI 500 ICP-RIE 平台採用 PTSA-ICP 電漿源，支援低損傷、高深寬比與高蝕速蝕刻，並可擴充 Cryo、DRIE 深矽蝕刻與 ALE 原子層蝕刻。同一產品列表亦在 Sentech 蝕刻產品組合中列出 SI 591 與 Etchlab 等緊湊型 RIE 選項。SENTECH SI PEALD 為電漿增強原子層沉積系統，採用真正遠端電漿源，可在低於 100°C 的條件下實現高均勻性與高順形性薄膜沉積，適用於敏感基材與複雜 3D 結構。SURAGUS EddyCus® lab 2020 TM 是桌上型非接觸式量測設備，採用高精度渦電流技術，用於導電薄膜方塊電阻與金屬層厚度的單點量測。Attolight Allalin 為晶圓級 Cathodoluminescence（CL）分析系統，整合 SEM 與高效率光學模組，並支援 CW-CL 與 TR-CL 分析。PTC 574CM 是被動式表面溫度檢測貼，量測範圍 10–260°C，無需電源，搭配強力磁鐵與彈簧夾，可在工業設備、管線與實驗室環境快速確認溫度。產品範圍亦包括 Theris NanoShell 奈米粒子殼層鍍膜模組與 Theris 超高真空奈米粒子沉積 PVD 設備。Theris TAS-RF 原子源模組列為無離子的氧化物與氮化物沉積方案，為產品組合加入超高真空奈米粒子沉積模組。Theris NanoStream 使用改良的直流濺射源從銅盤等金屬靶材產生蒸氣，並透過控制源頭壓力、等離子體溫度與氣體混合物流量，使蒸氣凝結成奈米粒子。新元鋒精密股份有限公司亦提供電漿表面處理代工服務，可進行表面清潔、改質、活化與鍍膜等製程。其更廣的產品架構涵蓋零組件、製程設備與量測設備，包括 Memetis 微流道控制閥與模組、Sentech 製程設備、Korvus 3合1 多功能模組化 PVD、UniTemp 高真空熱製程、Picosun ALD 中古設備、Henniker Plasma 低損電漿表面處理、Suragus 與 Attolight 量測產品，以及 Film Sense 多波段橢偏儀。
能力與產品項目
- 客製化設備改機與製程升級
- ALD TEM樣品處理技術
- 電漿表面清潔／改質／活化／鍍膜代工
- 真空／大氣電漿表面處理設備供應
- 光譜橢圓偏振量測設備供應
- ALE原子層蝕刻設備供應
- ICP-RIE電漿蝕刻設備供應
- PEALD電漿增強原子層沉積設備供應
- 導電薄膜方塊電阻與金屬厚度量測設備供應
- 晶圓級CL分析系統供應
- 超高真空奈米粒子PVD設備供應
- 微流道控制閥與模組供應
- 3合1模組化PVD設備供應
- 中古ALD原子層沉積設備供應
- 即時厚度監測技術
- EUV光罩／Sic-optics／Diamond waveguide離子束技術供應
- 奈米粒子殼層鍍膜模組供應
- 無離子氧化物／氮化物沉積原子源模組供應
- 超高真空奈米粒子沉積模組供應
- 高真空熱製程設備供應