基本資料
| 攤位 | S7552 |
| 國別 | TW |
| 網站 | mol-solutions.com |
公司簡介
若川高科技股份有限公司專注於量產產線使用的光學與雷射檢測及量測技術。研究中心位於德國與日本。Nurnberg 的研發聚焦近距光學檢測，用於微小物體的高速影像擷取與分析，日本團隊則開發先進雷射量測技術。Nurnberg 的技術目標是處理傳統高速相機被描述為無法達成的微小物體高速成像與分析。若川高科技股份有限公司也與日本頂尖大學合作，研究用於 3D 檢測與表面尺寸量測的高速雷射技術，應用包括晶圓厚度、切割後晶圓缺陷、ABF 基板 via-hole 缺陷、整片晶圓表面翹曲與粗糙度，以及微鑽孔檢測。公司亦投入 laser bionics engineering，以雷射仿生方法建立或修改表面微幾何，藉此改變導電性、接合、熱傳、潤濕性、抗反射表面、防指紋塗層與生物相容性等材料特性。Droptical GmbH 是若川高科技股份有限公司集團旗下公司，位於 Nuremberg。公司將精準液滴生成與即時光學監控結合在緊湊型智慧點膠系統中，用於高精度應用。Droptical 專注於 micro-jet dispensers 與 nano-cam technology，產品可在 R&D 與量產環境中 plug-and-play 整合，並擁有多項相關專利，應用涵蓋醫療保健、電子與化學製造。
展出產品
ClickJet 是用於 pL 與 nL 液體體積的微型非接觸點膠系統，採 drop-on-demand jetting，包含 ClickJet-Pico 與 ClickJet-Nano。ClickTube 將 nozzle 與 liquid cartridge 整合成快速更換模組，可迅速替換 fluid path，降低沖洗、清潔、材料殘留與交叉污染風險，並可依應用重複使用或作為一次性元件。Plug-and-play ClickController 以 analog voltage 調整基本點膠，不需安裝軟體或複雜設定，控制器採緊湊鋁合金外殼。ClickJet 可把多個點膠頭以 12 mm pitch 配置，也可將兩套 ClickJet 以角度安裝，對相鄰位置或同一目標落點點膠。低功耗與小型化設計亦可整合至電池供電的可攜設備。需要觀察液滴時，可另外整合 NanoStrobeX 等 optical dropwatcher。光學量測不是 ClickJet 內建功能，能力取決於選配與系統配置。ClickJet-Pico 規格為 20 pL 至 200 pL、cartridge 0.05 mL、最高 250 Hz、重量 12 g。ClickJet-Nano 為 0.5 nL 至 10 nL、0.5 mL、最高 200 Hz、14 g。ClickTube 提供多種 nozzle orifice diameter，Tube Rack 最多可收納 5 個 ClickTube，Luer Adapter 支援手動或自動填充並可在使用後 blowout。半導體與先進封裝應用包含 micro-sensors 與 MEMS 的功能液體填充、Micro-LED、光電元件與 microchips 的局部 micro-spotting、bio-semiconductor sensor chips 的 reagent functionalization，以及 wafer-level testing 的 marking liquid、保護材料或局部化學試劑塗佈。另可定量填充 microfluidic channels、microwells 與小型 cavities，精準噴射低黏度導電材料、光學材料與 encapsulation functional fluids，並支援多材料平行點膠與小 pitch 多 nozzle 模組。12 至 14 g 點膠頭可約 12 mm pitch 密集配置於高速 XY stage、wafer processing equipment 或多 nozzle 自動化模組。NanoStrobeX 以高速 stroboscopic imaging 即時量測液滴體積、直徑、飛行速度、軌跡、位置偏差、成形穩定性與 satellite droplets。UltiStrobe 提供光學液滴觀察、3D 分析、預測落點評估、瀏覽器 Web GUI 與可調整的 camera / strobe backlight 配置，可用於實驗室與生產點膠系統。NeoScale 在液滴噴射過程進行非接觸光學量測，以 imaging、detection、analysis、evaluation 取代傳統 collection、weighing、calculation 流程，加快點膠資格驗證並輸出數位量測結果。若川高科技股份有限公司的高速精密雷射微加工以受控 laser-material interaction 為核心，結合 beam shaping、高速 galvanometer scanning 與精密運動控制，把雷射能量精準送到加工區域。透過調整 pulse duration、fluence、repetition rate、focal position、能量分布與掃描路徑，在提升 throughput 的同時維持尺寸精度、製程一致性與微尺度特徵品質。同步雷射脈衝控制、machine-vision alignment 與 process metrology 支援 microdrilling、precision cutting、selective material removal 與 surface microstructuring，並降低 HAZ、microcracking、debris 與 recast layers。材料包含 glass、SiC、ceramics、metals、PI、ABF 與其他 polymers，面向 advanced packaging、microelectronics、precision components、製程開發與高量產。平台整合 laser sources、optical design、beam shaping、precision motion platforms、galvo/scanners、encoders、vision systems 與高速同步控制軟體，涵蓋製程開發、量測驗證與量產設備整合。高速製造平台標示約 1 μm repeatable positioning accuracy 與 1 至 1.5 G acceleration。TGV 製程利用 temporal pulse shaping，以單一 pulse 形成初始 through-holes，設計速度最高約 20,000 vias/sec，再搭配均勻化學蝕刻。LSTR laser interference 技術可用於大面積週期性 micro/nano structure，加工速度最高約 3 m²/min。客製 beam shaping 使用 DOEs、Bessel beams、Top-hat beams、Axicons、multi-beam optics 與特殊 focusing systems，控制 spot size、energy uniformity、DOF 與 interaction zones。Top-hat beams 改善能量均勻性，Bessel beams 與 extended-DOF optics 適合厚玻璃、TGV 與高 aspect-ratio 結構，多光束與干涉技術可平行形成多個加工點或週期性結構。系統同步 galvo/scanners、motion stages、encoders、vision systems 與 pulse timing，並以 autofocus、beam alignment、in-line metrology 補償 stage error、材料高度變化與 thermal drift。設備功能包含 surface modification、microvia drilling、仿生表面功能、高速 through-hole、短週期 inline production，以及具 real-time learning and correction 的 process optimization。X/Y stage 行程為 620 mm / 700 mm，最高速度 1.5 m/s、最大加速度 1 G、重複性 ±0.5 μm、精度 ±1 μm、平面度 ±1.5 μm、位置穩定度 ±100 nm，15 mm/s 時 following error ≤1 μm。Z 軸行程 620 mm、重複性 ±0.5 μm、精度 ±1.0 μm、直線度 ±1.5 μm，R 軸行程 620°、最高 1.5 RPM、重複性 ±0.5 arc sec、精度 ±1.0 arc sec。製程品質控制包括 ablation threshold、HAZ、micro-crack、debris / recast layer、hole-wall taper、sidewall roughness、precision depth、selective material removal 與一致的 micro/nano geometry。APEIT（Advanced Packaging Electrical Integrity Tester）是模組化多通道電性完整性測試平台，面向 CPO、CoPoS、AI/HPC、silicon photonics、glass-core substrates、TGV、ABF、FOPLP 的量產需求，將 reference-grade electrical measurement 擴展至可擴充的自動化平行測試，涵蓋 high-speed signal paths、power delivery、device functionality 與 panel-level interconnects。APEIT 以 shared control software、LAN/FPGA control architecture、dedicated test bus 整合 measurement modules、I/O test heads、probes、fixtures 與 automated handling，並依 DUT、package、signal paths、電流電壓範圍、panel 尺寸與 throughput 配置。控制軟體管理 test conditions、sequence、modules、pass/fail criteria 與 results，LAN/FPGA 協調 timing 與 parallel measurement，test bus 連接 TDR、DC-UP500 與 functional modules，BERT 列入 development roadmap。I/O test head 提供可重複使用的 channel resource，可對 wafers、substrates、panels、devices、modules 配置 probing、fixturing 與自動上下料。量測結果可轉成 defect classification、process comparison 與 SPC 資訊。Multichannel TDR 用於 impedance、electrical length 與 reflection location 分析並找出 opens、shorts 與 signal-path anomalies。power path 可量測 current、voltage、resistance、I-V、leakage 並評估 contact condition 與 power-rail integrity。functional test 可整合 optical power、temperature control、power supplies、I²C/SPI。panel test 在 singulation 與 assembly 前檢查 RDL、vias、bumps 與 full-panel interconnects。標準 DC configuration 為 16 channels、512 mA、最大 12 V。Final TDR development target 為 8 channels、40 ps transition time、2 ps delay resolution。FOPLP panel-level development architecture 標示 3,072 pins、target frequency 30 MHz，這些 development target 與量產可用規格分開管理並需依 module 與 DUT 條件確認。整體開發平台標示最高 3,072 I/O pins、在 pin allocation 條件下最高 384 DUT concurrent，並可依應用組合 PE、PG、DPS、DFM test boards 及 interchangeable probe interfaces。目標應用涵蓋 panel/RDL continuity、singulation 前 KGD screening、AI/HPC/chiplet/large SoC 高 pin count device，以及 high-mix、NPI 與 production changeover。Development configuration 列出 48 Ultimate-LSI devices、最高 384 sites、每 site 至少 16 pins（實際配置需確認）、最高 30 MHz、pattern memory ≤64 MW、每 site 80 edges 與 625 ps increments。waveform 包括 NRZ、RZ、FIX-L/H、EX-OR，driver/comparator 為 -1 V 至 7 V、610 μV increments，fail memory 256 W，DC measurement 每 site 1 channel、模式 VSIM / ISVM / VM，output impedance 50 Ω ±10 Ω 可調，timing accuracy ±5 ns。TDR 開發階段的 transition time 由 180 ps 走向 40 ps final target，delay resolution 由 10 ps 走向 2 ps。DC modules 支援同步多通道 current、voltage、resistance、I-V，亦可搭配 optical power 做 L-I-V，並整合 probe cards、handlers、MES。標準 IS/VM 為 ±512 mA / +12 V，VS/IM 為 +12 V / +512 mA。high-current option 開發值為 IS/VM +2 A / +8 V、VS/IM +8 V / +2 A。模組尺寸 W15 × H133 × D256 mm、3U size，標準 current range 包括 512 mA、25.6 mA、2.56 mA、256 μA、25.6 μA、2.56 μA，current accuracy 0.10% + 0.05% of Imax，voltage accuracy 0.05% + 3 mV。應用方面，CPO / CoPoS / silicon photonics 測 high-speed signal 與 optoelectronic function；AI/HPC advanced packaging 涵蓋 interconnect、power rails、micro-bumps、高電流 path；glass core / TGV / ABF 分析 conduction、impedance discontinuity、electrical length、via filling quality、micro-cracks；FOPLP / RDL / panel interconnects 做 full-panel conduction、via、bump 與切割前 KGD screening；VCSEL / laser diode 可結合 optical power sensor 進行 multichannel I-V、leakage、contact、L-I-V。Probe cards、connectors、cables 可檢查 impedance、electrical length、open/short 與 high-speed interconnect quality，APEIT 也可接入 probe cards、handlers、automated handling、MES/SPC。iLORA 光學結構檢測可檢查 PIC / optical waveguide 的 micro-crack、localized damage、contamination、discontinuity，Fiber Array coupling 的 height、gap、tilt、position offset 及 bubble、delamination、micro-crack；Glass Bridge / TGV 檢查 sidewall、internal glass crack、void、metal filling anomaly；hybrid bonding 檢查 incomplete bonding、interface void、localized warpage、contamination、crack；post-reflow 檢查 package warpage、interlayer delamination、solder height variation、underfill void、thermal-stress micro-crack。iLORA 的光學結構檢測可與 APEIT multichannel TDR 與 electrical testing 交叉比對，形成 advanced packaging 的光學、結構與電性整合品質檢測。
能力與產品項目
- 量產光學與雷射檢測
- 微小物高速近距光學檢測
- 晶圓3D與表面尺寸雷射量測
- 雷射仿生表面微結構改質
- pL/nL非接觸微量點膠
- 液滴即時光學量測與監控
- 高速精密雷射微鑽孔與切割
- TGV雷射通孔加工
- 先進封裝多通道電性完整性測試
- 多通道TDR阻抗分析
- RDL/via/bump面板級互連篩檢
- 液滴噴射非接觸光學量測
- 液滴預測落點評估
- 客製光學設計與光束整形控制
- 電流電壓電阻I-V與漏電量測
- 光電元件功能測試
- PIC/光波導檢查
- Hybrid Bonding介面檢查
- 回焊後檢查