磊拓科技股份有限公司

基本資料

公司簡介

磊拓科技股份有限公司成立於 2004 年，總部位於 Taoyuan, Taiwan，在寬能隙（WBG）化合物半導體產業擁有超過二十年的經驗。 公司專精於碳化矽（SiC）技術，提供涵蓋材料、設備與製程整合的一站式解決方案。 除 Hsinchu 與 Shanghai 的營運據點外，磊拓科技股份有限公司服務全球半導體與高功率電子客戶。 其高溫材料與晶體成長製程專業，使業務範圍可沿半導體價值鏈從上游材料延伸至設備解決方案。 產品組合包括晶體成長爐、石墨材料、坩堝、晶圓檢測系統、自動化設備，以及感測器與閥件等關鍵零組件。 公司也提供石墨純化與氣體回收系統，作為其先進製程整合能力的一部分。 2018 年，磊拓科技股份有限公司導入 Taiwan 首套 PVA 石墨純化系統，強化材料處理能力。 2020 年，公司成立全資子公司 LEAP Semiconductor Corp.，拓展 SiC 材料業務，LEAP 聚焦 SiC 晶圓、磊晶晶圓與相關製程服務。 磊拓科技股份有限公司與 LEAP Semiconductor Corp. 共同涵蓋 SiC 供應鏈中的材料、晶體成長、晶圓加工與磊晶，形成垂直整合模式。 磊拓科技股份有限公司以設備整合與製程技術將自身定位為 SiC 生態系的關鍵解決方案供應商，而 LEAP Semiconductor Corp. 則強化集團的材料與晶圓能力。 隨著電動車、高功率電子與再生能源應用需求擴大，公司表示將持續推進 SiC 創新，並與產業夥伴合作發展下一代半導體技術。

展出產品

High-Purity Semi-Insulating Substrates 具有極低導電性與優異高頻效能，適合微波與 RF 元件製作，應用於 5G 通訊基地台、雷達系統與衛星通訊，並可降低訊號損耗，在高頻高速環境中提升系統穩定性。 Conductive Substrates 具良好導電性與高耐壓，適用於電動車、太陽光電系統、智慧電網與軌道運輸中的功率電子元件，並以提高能源轉換效率與降低功率損耗為其效益。 Silicon Carbide Homoepitaxy Technology 在高品質 SiC 基板上形成厚度與摻雜濃度可控制的磊晶層，可降低基板缺陷的影響，提升元件崩潰電壓與切換效能，作為高電壓與高頻功率元件的基礎。 磊晶晶圓產品組合涵蓋 3-inch、4-inch、6-inch 與先進 8-inch 尺寸，可支援不同製程平台與製造需求，且 8-inch 晶圓已達量產，以支援規模化與成本最佳化。 Wet Processing Equipment 涵蓋晶圓清洗與蝕刻，包括 Fully Automatic / Semi-Automatic Batch Cleaning Systems，透過自動化控制、精密溫控與化學液循環過濾維持製程穩定與污染控制。 Single-Wafer Wet Processing Equipment 包括自動晶圓剝離系統、刷洗系統與 SiC 磊晶晶圓最終清洗設備，可對精細晶圓結構進行高效率、非破壞性的清洗，以符合先進製程需求。 SiC Wafer Inspection Systems 可檢測碳化矽材料上的污染、微刮痕與裂縫，Patterned Wafer Inspection（AOI）則可在圖案化晶圓上辨識刮痕、凹坑與粒子污染，並提供自動缺陷分類與定位。 TWS206 形貌檢測系統可量測 BOW、WARP、TTV、LTV 與 Thickness，支援晶圓自動分選或手動上片自動掃描的半自動模式，可將資料上傳廠務 MES，採用上下同軸色散共焦傳感器，支援多數透明與非透明晶圓及表面粗糙材質，適用於切割、研磨、拋光、減薄等製程環節，並支援 4、6、8、12 寸晶圓。 LFMSiC 系列以精密光學顯像系統與獨有算法檢測 SiC 襯底瑕疵，可從半自動桌面型配置到搭配機械臂與上下料片庫的全自動設備，並可對接 MES 上傳資料；I 型針對 SiC 腐蝕片提供 TED/TSD/BPD 錯位標定與統計，II 型針對 SiC 拋光片提供微管標定統計與定性應力圖，兩者皆支援 4、6、8 寸晶圓。 倒角形貌檢測設備可量測晶圓直徑 D、厚度 T、倒角形貌 X、Y、R、A，以及平邊或缺口；應力檢測設備以光程差進行晶圓應力定量分析，將相位差轉換成可視亮度變化，每片 wafer 的應力圖成像時間小於 10s，並支援 4、6、8 寸晶圓；兩者皆可配置為半自動或全自動並上傳 MES 資料。 晶圓級材料電學特性表徵設備以電容－電壓法檢測 Si、SiC、GaN、Ga2O3、Diamond 與介電層的關鍵電性參數，包括載子濃度或電阻率、介電常數、擊穿電壓與漏電流。 電性測試產品包括適用 200 mm 以下樣品的 Coplane-200 與 MCV-200 半自動汞探針 CV 平台、適用 150/200 mm 或 300 mm 量產級檢測且可搭配 EFEM、MES、OHT 的 MCV-200R 與 MCV-300R 全自動 CV/IV 平台，以及適用 300 mm 樣品的 MCV-300 半自動平台；系列功能包括自動測試、即時數據監控、SECS/GEM 數據與汞蒸汽過濾，全自動機型另具雙機械手臂、load port、預對準、即時汞漏監控、校準、光學水平校正與分選等功能。 晶體成長產品涵蓋柴式法（CZ）、區熔法（Float Zone）、Slim Rod Puller 與 VGF 系統以及石英坩堝；PVA TePla CGS 設備服務世界 Tier 1 晶圓生產廠商，產品組合層級可生產最大至 18 英寸直徑、500 Kg 重的單晶晶棒。 具名 CZ 系統包括 SC 28 MCz，其規格包含最大 32 英寸坩堝、最高 12 英寸晶體直徑、最大 2500 mm 晶體長度與最多 450 kg 坩堝裝料，以及為大尺寸晶體設計的 CGS1218，其最大坩鍋直徑 915 mm、最大晶體直徑 450 mm、最長晶體 2.1 m、最大填料量 450 kg。 區熔相關系統包括可生長最大 8 吋直徑、2000 mm 高晶棒並具自動調整與保護系統及可選氣體摻雜的 FZ-30 / FZ-35；SR-110 可在一個製程同時生產兩根 7-10 mm 矽芯棒，相較先用 CZ 法製備再鋸切可避免材料耗損；FZ-14M 在氬氣環境中將微型多晶矽棒轉成單晶棒供分光分析評估純度；VGF Kronos 則用於批量生產直徑小於 6 英寸的低位錯化合物半導體，工作壓力範圍為 10-3 mbar 至 40 bar。 石英坩堝可依需求提供客製尺寸，所述石英材料具極低熱膨脹係數、高耐溫、高耐磨耗、化學穩定性、電絕緣性、光學穿透與機械性質，可應用於電子科技、半導體、通訊、電力、光源、太陽能、國防、高精密量測儀器、實驗室理化儀器、核能與奈米產業。 自動化研磨與倒角設備包括表面研磨機 72/860、倒角研磨機 72/852、圓角研磨機 72/856、研磨倒角複合機 72/855 與 SiC 晶錠研磨倒角複合機 RG608-612；各機型提供不同組合的手動與自動裝載、氣動夾持、邊緣或刀具偵測與校正、研磨後即時品質評估及對應尺寸範圍，其中 72/860 在所述滿載條件下產能為 40,000 磚/年、研磨時間約 10min/350mm，72/855 為 31,000 磚/年、約 14min/350mm。 切割設備包括外徑鋸截斷機 72/360 與 72/454、帶鋸機 72/375、切割機 BS4000/320；72/360 可進行去頭尾、分段、檢驗試片與回切，並可用 ARPAT 採集分析生產資訊及儲存至 Microsoft SQL；72/454 可全自動裝載、定位、切割與處理檢驗片，kerf loss ≤1.3mm，鋸片壽命約 12000 至 15000cuts；72/375 可切割 210mm x 210mm 單多晶矽磚，材料耗損少於 1.3mm；BS4000/320 支援 4-12inch 晶棒、700-4000mm 晶棒長度、70mm-400mm 分段，設定一次即可自動完成切頭尾、檢驗片與分段。 ReiCat 氬氣回收系統可降低至少 80% 的氬氣消耗，支援遠端全自動操作，氣體純度品質保證高於 99.999%，提供 100m3/hr、200m3/hr、400m3/hr 三種處理能力，並可延伸至其他技術氣體回收系統。 水質檢測儀器提供玻璃或塑料設計，可量測 pH 值、氧化還原電位、電導率與溫度等，並有標準或客製化檢測計，以及特殊電纜、插件、螺旋、溢位指示計與其他配件。 閥門、致動器與配件包括氣動與電動致動器、定位器、限動開關盒、壓力助推器或減速器、電磁閥、節流閥與消音器，可搭配手動或自動閥門，並提供諮詢、配置建議、教育訓練與支援；電動致動器可搭配 PLC、網路、藍芽與無線網路並支援手機或平板操作，其中 DV 系列通過 DNVGL 挪威船級社認證，適用於船舶、艦艇與離岸風場，並於 2020 年獲得法國海軍拖船供應合約。 切割線產品包括用於多線切割多晶矽、砷化鎵、磷化銦、碳化矽、水晶等硬質晶體的高碳鋼切割線，其效益包括降低材料損耗並提高效率、產能與精度；金剛線則有樹脂線、電鍍線與金剛繩，可加工大尺寸、高硬度與脆性材料，並以縮短切割時間、省去砂漿、簡化廢棄物處理、改善切片厚薄均勻度、降低加工成本與環境影響為其效益。 等靜壓石墨材料包括最大 3000*610*512 mm 的方形材料與 D1380*1100 mm 的圓形材料，可依需求提供灰分 30 ppm 的材料與製品，半導體及其他特殊應用可控制小於 5ppm，並以材料均勻性支援更長製品壽命與更穩定的發熱體阻值控制。 客製化石墨產品與零件涵蓋半導體晶體生長用 36 英寸或更大熱場材料且石墨雜質小於 5 ppm、SiC 長晶用籽晶托、坩堝與加熱器、離子注入與電漿蝕刻用電極、縫板、擋板與防護板，以及 LPCVD、MOCVD、VPE 磊晶設備用超過 32 英寸的石墨基座、加熱器、托盤與氣流分布器並可選 PyC、TaC 或 SiC 塗層；所述完整能力涵蓋產品設計、材料製造、精密加工、塗層與後處理。 其他石墨產品包括用於 SiC 長晶等高溫領域且純度可達 5ppm 級別的 PYROC® 多孔石墨 P401；可黏接石墨、炭素與炭纖維製品且在空氣中可用至 350℃、惰性氣體或真空可用至 3000℃ 的 PYROC® 石墨膠；碳含量 >99.99%、灰分 ≤20 ppm 的 PYROC® 保溫軟氈 SG-10 與 SG-12；純度 ≤5 ppm 的石墨粉 CPN29N5 與 CPN50N5；具耐高溫腐蝕、耐磨損與 5 ppm 純度的 PYROC® TaC 塗層；以及密度 2.24 g/cm³、六方晶體結構、純度 5 ppm 的 PYROC® PyC 塗層。 在化合物半導體材料方面，公司將 SiC 與 GaN 等 WBG 材料描述為具耐高電壓、耐高電流、高散熱效率與高操作頻率等特性，可用於電力電子與 5G 高頻系統，並具有提高能源利用效率與降低轉換耗損的效益。 SiC 長晶設備涵蓋 HTCVD 與 PVT 等量產方法，包括 PVA TePla 的 HTCVD SiC 單晶長晶爐 SiCube，以及用於 4-6 英寸 SiC 單晶量產的 baSiC-T。 SiC 襯底產品包括用於高頻與高功率元件的 semi-insulating 與 conductive 單晶晶圓，並具有 MPD<1 晶片的出貨能力；公開規格涵蓋 4-inch 高純度半絕緣、4-inch 4H-SiC N-type 與 6-inch 4H-SiC N-type，項目包括尺寸、取向、微管密度、電阻率、厚度、彎曲或翹曲、表面處理與瑕疵限制。 GaN 產品包括 2 英吋厚膜 GaN/sapphire 晶圓的 n 型摻雜、非摻雜與半絕緣形式、2 英吋自支撐 GaN 襯底、小尺寸方形自支撐 GaN 晶圓、小尺寸非極性面與半極性面自支撐 GaN 晶圓、4 英寸厚膜 GaN 晶片，具名型號包括 GaN-T-C-U-C50、GaN-T-C-N-C50、GaN-T-C-P-C50、GaN-FS-C-U-C50、GaN-FS-C-N-C50、GaN-FS-C-SI-C50、GaN-FS-C-U-S10、GaN-FS-C-N-S10、GaN-FS-C-SI-S10、GaN-FS-A-U/N/SI-S、GaN-FS-M-U/N/SI-S、GaN-FS-SP-U/N/SI-S、GaN-T-C-U-C100 與 GaN-T-C-N-C100。 AlN 產品包括 2 英吋厚膜晶片 AlN-T-C-C50，尺寸 Ф 50.8 ± 0.1 mm、厚度 4±1.5µm、C-plane (0001) 取向、Semi-Insulating 導電類型，XRD FWHM (0002) < 350 arcsec、(1012) < 450 arcsec，10 x 10 µm2 範圍 Ra < 5 nm，結構為 AlN on sapphire (SSP)，Exclusion zone< 2 mm。 SiC on SiC 磊晶片可用於 Shockley diode、MOSFET、JFET、BJT、Thyristor、GTO 與 IGBT 等元件，4H-SiC 規格涵蓋 150mm、100mm、76.2mm 的 off-axis 基板、n-type Nitrogen 或 p-type Aluminum 摻雜、0.2-100µm 厚度，以及 2mm*2mm die yield ≥ 95%、半徑 1.5mm 的 Edge Chips ≤ 2、Scratches 總數 ≤ 10 lines 且總長度小於晶圓直徑、Backside Cleanliness 100% clean 等產品限制；產品也列有 GaN on SiC 磊晶材料。 高純度 CVD SiC 材料規格為 5N 99.999%（by GDMS），具電漿耐腐蝕性、高溫氨環境耐久性、抗熱震性、高導熱率、高剛度重量比、細晶粒組織與無孔洞空隙等特性，可用於高溫或高腐蝕環境的半導體級部件、Rapid thermal process 與 etching rings、Plasma etching、MOCVD 及 SiC 長晶原料，並提供可依長晶需求客製的 1-30mm 低氮料與標準料。

能力與產品項目

• 晶圓 BOW／WARP／TTV／LTV 與厚度量測設備供應
• SiC 晶圓瑕疵檢測設備供應
• 晶圓倒角形貌量測設備供應
• 晶圓應力分布量測設備供應
• 汞探針 CV／IV 量測設備供應（含共面式）
• 柴式法（CZ）長晶爐供應（PVA TePla）
• 浮區法長晶爐供應（PVA TePla）
• 矽芯棒拉晶設備供應
• 多晶矽純度分析用浮區製樣設備供應
• 垂直梯度凝固（VGF）長晶設備供應
• 客製化石英坩堝供應
• 矽磚表面研磨設備供應
• 矽磚倒角及圓角研磨設備供應
• 4–12 吋 SiC 晶錠研磨倒角設備供應
• 矽晶棒外徑鋸截斷設備供應
• 矽晶棒與矽磚帶鋸切割設備供應
• 氬氣回收系統供應（ReiCat）
• pH 水質探頭供應
• 氧化還原電位水質探頭供應
• 水質電導率探頭供應
• 水質溫度探頭供應
• 氣動閥門致動器供應
• 電動閥門致動器供應
• 閥門定位器供應
• 閥門限動開關盒供應
• 壓力助推器供應
• 閥門減速器供應
• 電磁閥供應
• 節流閥供應
• 消音器供應
• 晶體多線切割鋼絲供應
• 鑽石切割線供應
• 高純度等靜壓石墨材料供應
• 半導體長晶熱場石墨零件供應
• 離子注入與電漿蝕刻石墨零件供應
• LPCVD／MOCVD／VPE 磊晶石墨零件供應
• 多孔石墨供應（PYROC®）
• 石墨膠供應（PYROC®）
• 保溫軟氈供應（PYROC®）
• 石墨粉供應
• TaC 塗層石墨製品供應（PYROC®）
• PyC 塗層石墨製品供應（PYROC®）
• SiC 塗層石墨零件供應
• 工業閥門供應
• HTCVD 碳化矽長晶爐供應（PVA TePla）
• PVT 碳化矽長晶爐供應（PVA TePla）
• 半絕緣 SiC 單晶基板代理
• 導電型 SiC 單晶基板代理
• 2 吋及 4 吋 GaN 厚膜晶圓供應
• 自支撐 GaN 基板供應，含非極性與半極性晶面
• 2 吋 AlN 厚膜晶圓供應
• GaN on SiC 磊晶片供應
• 5N 高純 CVD SiC 塊材供應
• CVD SiC 半導體設備零件供應
• 1–30 mm CVD SiC 長晶原料客製化供應
• 石墨純化系統供應（PVA）
• 3、4、6、8 吋 SiC 磊晶片供應
• 全自動與半自動批次晶圓清洗設備供應
• 單晶圓濕式剝離設備供應
• 單晶圓刷洗設備供應
• SiC 磊晶片最終清洗設備供應
• 圖案晶圓 AOI 檢測設備供應
• 自動化閥門配置與客製化整合服務

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