基本情報
| ブース | N0886 |
| 国 | TW |
| ウェブサイト | www.kokusai-electric.com |
会社概要
株式会社KOKUSAI ELECTRICは、成膜技術を基盤に半導体製造装置を開発・生産し、その成膜技術を装置の中核技術として世界の主要半導体メーカーに供給しています。 同社は、数多くの工程で構成される半導体製造の中でも成膜と熱処理を最重要プロセスの一つと位置付け、世界水準の成膜技術を装置開発・生産の技術基盤として、半導体デバイスの継続的な高機能化と高性能化を支えています。 継続的に成長する半導体市場において、成膜技術を基盤とする先端技術を活用し、成膜技術の発展を通じて半導体の高機能化・高性能化を支えながら、成膜分野で産業をリードすることを使命として掲げています。 中核技術の一つが、株式会社KOKUSAI ELECTRIC独自のBCD、Balance Controlled Depositionによる薄膜形成技術であり、高アスペクト比構造に対する薄膜制御の基盤として位置付けられています。 BCD技術は、高アスペクト比構造に対して優れた段差被覆性と組成比制御を備えた高品質薄膜を形成し、先端半導体構造で求められる形状と膜制御に対応します。 同社は、高アスペクト比構造に対応する酸化・膜質改善技術も採用し、光やplasmaなど各種エネルギー源を利用することで、高アスペクト比構造への対応と高付加価値処理を組み合わせています。
展示製品
株式会社KOKUSAI ELECTRICの成膜プロセス装置は、ウエハ上に回路形成のためのナノスケール薄膜を形成し、半導体デバイス製造の成膜工程を担います。 半導体デバイスの三次元化と構造の複雑化に伴ってウエハ表面の形状もさらに複雑になり、従来より難しい高難度成膜への要求が継続的に高まっています。 成膜・熱処理プラットフォームはLP-CVD、酸化、低温・高温アニール、拡散、ALD技術に対応し、複数の成膜・熱処理工程を一つの製品領域としてカバーします。 これらのプロセス能力は、半導体製造における薄膜堆積、熱処理、酸化、拡散、原子層堆積の要件を幅広くカバーし、構造がさらに精密化・微細化する次世代デバイスで求められる高難度成膜と生産性の両立を対象としています。 株式会社KOKUSAI ELECTRICは、成膜装置が世界の半導体デバイスメーカーから高い評価を得ており、次世代デバイスで高難度成膜と高い生産性を両立するとしています。 BCD薄膜形成、高アスペクト比構造への酸化・膜質改善、光とplasmaエネルギーを用いた処理を組み合わせ、先端半導体構造の成膜と熱処理を中心とするプロセスポートフォリオを構成します。
対応領域・製品
- 半導体薄膜成膜装置
- BCD 薄膜成膜技術
- LP-CVD プロセス装置
- 酸化プロセス装置
- 低温・高温アニール装置
- 拡散プロセス装置
- ALD プロセス装置