基本資料
| 攤位 | N0886 |
| 國別 | TW |
| 網站 | www.kokusai-electric.com |
公司簡介
Kokusai Electric Corp. 以成膜技術為基礎開發並生產半導體製造設備，並將設備供應給全球主要半導體製造商。 公司將成膜與熱處理定位為半導體製造眾多製程中最重要的製程之一，並以世界級成膜技術作為設備開發與生產的技術基礎，持續支援半導體元件提升功能與效能。 公司所述任務是在持續成長的半導體市場中，以成膜技術為基礎運用先進技術，並在成膜領域發揮產業領導角色。 其核心技術之一是 Kokusai Electric Corp. 自有的 BCD，也就是 Balance Controlled Deposition 薄膜形成技術，並以此作為高深寬比薄膜控制的重要方法。 BCD 技術用於形成高品質薄膜，在高深寬比結構上提供良好的階梯覆蓋與組成比例控制，以因應先進半導體結構所描述的複雜幾何、高深寬比結構與薄膜組成控制需求。 公司也採用可對應高深寬比結構的氧化與膜質改善技術，並利用光與 plasma 等多種能量來源進行高附加價值處理。
展出產品
Kokusai Electric Corp. 的成膜製程設備可在晶圓上形成用於製作電路的奈米級薄膜，因此屬於半導體元件製造中的成膜階段設備。 隨著半導體元件走向三維化且結構更加複雜，晶圓表面也同步變得更複雜，使高難度成膜的需求持續提高並成為次世代製程的重要要求。 其成膜與熱處理平台支援 LP-CVD、氧化、低溫與高溫退火、擴散及 ALD 技術。 這些製程能力涵蓋半導體製造中的薄膜沉積、熱處理、氧化、擴散與原子層沉積需求，並針對結構日益精密與微細的次世代元件，兼顧高難度成膜與生產力要求。 Kokusai Electric Corp. 表示其成膜設備獲得全球半導體元件製造商的高度評價，並在次世代元件上兼具高難度成膜能力與高生產力。 結合 BCD 薄膜形成、高深寬比氧化與膜質改善，以及利用光與 plasma 能量的處理，該平台形成以先進半導體結構之成膜與熱處理為核心的製程組合。
能力與產品項目
- 半導體薄膜沉積設備
- BCD 薄膜沉積技術
- LP-CVD 製程設備
- 氧化製程設備
- 低溫／高溫退火設備
- 擴散製程設備
- ALD 製程設備