基本情報
| ブース | I2900 |
| 国 | JP |
| ウェブサイト | www.kiyokawa.co.jp |
会社概要
清川メッキ工業株式会社は1963年に設立され、表面実装デバイス、プリント配線板、希土類磁石など電子産業向けめっき技術で35年以上の経験を有するとしています。半導体ウエハ上の電極に無電解UBMめっきを行うことができ、UBMめっきについて15年の経験があるとしています。シリコン貫通ビア用途では、インターポーザ用シリコンウエハのビア埋め込み技術を持ち、ボイドレスでの充填に対応します。マイクロバンプめっきでは、20 micrometerスケールのマイクロバンプ形成について、スパッタリングからリフロー工程までの一貫プロセスに対応します。また、粉末状材料へのめっきによって材料に新たな機能を付与する技術も扱っています。清川メッキ工業株式会社は試作段階からめっきサービスを受託しており、量産条件が確定した後だけでなく、プロセスや製品の開発段階でもめっき技術を利用できます。
展示製品
清川メッキ工業株式会社は、3D実装パッケージで上下のチップを接続するTSVのSi貫通電極とTGVのガラス貫通電極について、ビア内部へのめっきを提供しています。独自のめっき工法により、シリコンウエハとガラスウエハだけでなく、セラミック基板や樹脂基板の貫通ビアにもボイドレス埋め込みめっきが可能としています。対応範囲として4インチから8インチのウエハ、Si、SiC、ガラスなどの素材が記載され、試作実績には電解銅と電解ニッケルがあります。電解銅では高周波特性、高密度化、小型化、消費電力低減が挙げられ、電解ニッケルでは高密度化と小型化が挙げられています。従来のビア埋め込みではウエハ表裏面に着膜しためっきをCMPで除去する必要がありますが、独自工法では表裏面への着膜量を抑制し、CMP研磨時間を大幅に削減できるとしています。ストレート形状、くびれ形状、テーパー形状、壁面凹凸形状など各種の貫通ビア形状に対応し、ビア形状によって埋め込みの出来栄えが異なる場合があると説明しています。貫通Via埋め込みの実績として、ビア径約Φ30から50 μm、ウエハ厚み約200から300 μmが記載され、Via形状によって結果が異なるため実サンプルで条件検討を行います。有底Viaでは埋め込みめっきはコンフォーマルめっきより難易度が高いものの、Via寸法と条件検討によって可能になる場合があるとしています。非破壊分析ではX線CTを用いてビア内部の充填状態を破壊せず確認でき、サンプルサイズはチップサイズから最大300 mm角まで対応します。その他にレーザー顕微鏡や断面評価も可能で、非破壊分析により信頼性向上と評価期間・サンプル量の削減を支援するとしています。完全な埋め込みが不要で導通確保が目的の場合はコンフォーマルめっきを提供し、スパッタでは対応できないビア側壁や底面にも均一にめっきできます。コンフォーマルめっきのページにはアスペクト比8、ビア径5 μm、深さ40 μmのブラインドビア断面例があり、ビア埋め込みめっきよりめっき時間を短縮できるとしています。各種ビア形状やめっき条件について、金属種は顧客要件に応じて相談できるとしています。これらのTSV・TGVめっきは、半導体ICチップ積層用インターポーザと3次元実装基板の用途に示されています。
対応領域・製品
- 半導体ウエハ電極の無電解UBMめっき
- TSV・TGVボイドレス埋め込みめっき
- 20 μmマイクロバンプ形成の一貫めっきプロセス
- 粉末材料への機能付与めっき
- ビア側壁・底面への均一コンフォーマルめっき
- X線CTによる非破壊ビア充填検査
- 最大300 mm角サンプルの非破壊分析
- 試作段階からのめっきサービス
- セラミック・樹脂基板の貫通ビアめっき
- 表裏面析出を抑えCMP時間を短縮するビアフィルめっき