基本資料
| 攤位 | I2900 |
| 國別 | JP |
| 網站 | www.kiyokawa.co.jp |
公司簡介
KIYOKAWA PLATING INDUSTRY CO.,LTD 成立於 1963 年，並表示在電子產業鍍膜技術方面擁有超過 35 年經驗，應用包括表面黏著元件、印刷配線板與稀土磁鐵。公司可在半導體晶圓電極上進行無電解 UBM 鍍膜，並表示具有 15 年 UBM 鍍膜經驗。針對矽穿孔應用，KIYOKAWA PLATING INDUSTRY CO.,LTD 擁有用於 interposer 矽晶圓的 via 填充技術，並將其填充描述為 void-free。公司的微凸塊鍍膜能力涵蓋 20 micrometer 級微凸塊製作的整合製程，從 sputtering 一直到 reflow 製程。公司也把鍍膜技術應用於粉末狀材料，以賦予材料新的功能。KIYOKAWA PLATING INDUSTRY CO.,LTD 可從試作階段承接鍍膜服務，使客戶能在製程與產品開發期間使用其鍍膜能力，而不必等到量產條件完全確立後才導入。
展出產品
KIYOKAWA PLATING INDUSTRY CO.,LTD 提供 TSV 矽穿孔電極與 TGV 玻璃穿孔電極的孔內鍍膜，可用於 3D 封裝中連接上下晶片。公司的獨有鍍膜工法被描述為可進行 void-free via-fill，不僅適用於矽晶圓與玻璃晶圓，也可對陶瓷基板與樹脂基板的貫通 via 進行鍍膜。列示的晶圓 via 服務涵蓋 4 吋至 8 吋晶圓，材料包括 Si、SiC 與玻璃，試作實績中列有電解銅與電解鎳。電解銅列出的效果包括高頻特性、高密度化、小型化與降低功耗，電解鎳則列有高密度化與小型化。傳統 via-fill 製程需要以 CMP 去除沉積在晶圓正反面的鍍層，相較之下，公司的獨有工法可抑制正反面鍍層沉積量，並被描述為可大幅縮短 CMP 研磨時間。公司表示可對應多種貫通 via 形狀，包括直筒形、縮頸形、錐形與壁面凹凸形，並指出填充結果會因 via 形狀而有所不同。貫通 via 填充的實績尺寸範圍列為 via 直徑約 Φ30 至 50 μm、晶圓厚度約 200 至 300 μm；由於結果會依 via 幾何形狀不同，條件會使用實際樣品進行評估。對於盲孔 via，公司表示填充鍍膜的難度高於 conformal plating，但依 via 尺寸與條件開發結果，仍可能實現。非破壞分析使用 X-ray CT，在不破壞樣品的情況下確認 via 內部填充狀態，樣品尺寸可從晶片大小支援至最大 300 mm 方形。其他評估方法包括雷射顯微鏡與截面分析，公司並將非破壞分析用於支援可靠度提升，同時降低評估期間與樣品數量。當不需要完全填滿 via、只需確保導通時，KIYOKAWA PLATING INDUSTRY CO.,LTD 提供 conformal plating，可在 sputtering 難以到達的 via 側壁與底部均勻鍍膜。conformal plating 頁面列出盲孔 via 截面案例，aspect ratio 為 8、via 直徑 5 μm、深度 40 μm，並表示相較 via-fill plating 可縮短鍍膜時間。針對不同 via 幾何形狀與鍍膜條件，公司表示金屬種類可依客戶需求進一步討論。這些 TSV 與 TGV 鍍膜能力的用途包括半導體 IC 晶片堆疊用 interposer 與三維實裝基板。
能力與產品項目
- 半導體晶圓無電解 UBM 電鍍
- TSV／TGV 無空洞填孔電鍍
- 20 μm 微凸塊整合電鍍製程
- 粉末材料電鍍功能化
- 通孔側壁與底面均勻 conformal 電鍍
- X 光 CT 非破壞通孔填充檢查
- 最大 300 mm 方形樣品非破壞分析
- 試作階段電鍍服務
- 陶瓷／樹脂基板貫通孔電鍍
- 低表面沉積通孔填充電鍍以縮短 CMP