기본 정보
| 부스 | K2160 |
| 국가 | JP |
| 웹사이트 | www.jeol.com |
회사 소개
JEOL Ltd.는 반도체 검사용 TEM 및 SEM 현미경을 제시하며 SiC, GaN, 첨단 트랜지스터 구조 및 3D 패키징 기술과 관련된 반도체 작업에서 제조 수율과 소자 신뢰성을 지원하려면 정밀 특성 분석과 적절한 전처리 및 분석 장비가 필요하다고 설명합니다. JEOL Group Companies는 Scientific and Metrology Instruments, Semiconductor and Industrial Equipment, Medical Equipment의 세 사업 부문에서 사업을 전개합니다. JEOL Ltd.는 전자현미경 개발에서 출발했으며 노벨상 수상자를 포함한 전 세계 연구자를 지원해 왔다고 설명하고 나노기술과 생명공학 등의 분야에서 과학 및 계측 솔루션을 제공하며, 전자광학 제품에는 투과전자현미경, 주사전자현미경, electron probe micro analyzers, photoelectron spectrometers, Auger micro probes, 전자현미경 주변기기, soft X-ray emission spectrometers, focused ion beam systems, CROSS SECTION POLISHER™, energy-dispersive X-ray fluorescence spectrometers 및 electron diffractometers가 포함됩니다. 분석 장비에는 NMR spectrometers, electron spin resonance spectrometers 및 MALDI time-of-flight, gas chromatograph, liquid chromatograph 구성을 포함하는 mass spectrometers가 있습니다. 반도체 및 산업 응용에서 JEOL Ltd.는 electron beam lithography systems, 증착용 electron beam sources, 광학 부품 제조에 쓰이는 산업 장비를 제공하며 high-power electron beam sources and power supplies, electron beam deposition sources and power supplies, bombardment deposition sources, plasma sources, powder feeders 및 electron beam metal 3D printers를 포함하고 electron beam과 plasma sources는 박막 형성 및 재료 가공에 사용됩니다. JEOL Ltd.는 생체분자 내부까지 관찰할 수 있는 cryo electron microscopes와 분자생물학 및 신약 개발을 지원하는 electron diffraction, nuclear magnetic resonance, mass spectrometry 장비도 소개합니다. 의료 장비에는 BioMajesty™ Series clinical chemistry analyzer가 포함되며 미량의 시료와 시약을 사용해 의료 비용을 줄이고 환자, 의료기관 운영 비용, 의료 발전 및 인간 건강 유지에 기여하며, JEOL Ltd.는 rack handlers와 laboratory information systems도 제시합니다. JEOL Ltd.는 제품을 사용하는 고객에게 지원 서비스를 제공합니다.
전시 제품
SiC, GaN, 첨단 트랜지스터 구조 및 3D 패키징과 관련된 반도체 응용을 위해 JEOL Ltd.는 전자현미경과 electron beam lithography systems, NMR spectrometers 및 mass spectrometers 같은 과학 장비를 소개하고 제조 수율과 소자 신뢰성을 위한 정밀 특성 분석과 적절한 전처리 및 분석 장비의 중요성을 강조합니다. electron beam lithography 제품군에는 JBX-A9 Series, JBX-8100FS Series, JBX-3200MVS, JBX-3050MV/S 주요 장치와 SB-89010EUVC EXCIMER UV CLEANER（FOR WAFER） 옵션이 포함되며, JEOL Ltd.는 LSI 패턴이 10 nanometers（1/10,000th of a hair） 이하까지 미세해질 수 있고 electron beam lithography systems가 이러한 초미세 회로를 정밀 가공하는 데 사용된다고 설명합니다. IoT society와 5G로 반도체 수요가 확대됨에 따라 JEOL Ltd.는 electron beam lithography systems의 역할이 더욱 중요해질 것으로 봅니다. JBX-A9 Series는 JEOL electron optics를 기반으로 한 고정밀 고처리량 direct-writing system으로 최대 300 mm 웨이퍼를 탑재하고 FOUP를 옵션으로 사용할 수 있으며 coaters와 developers 같은 다른 공정 장비와 in-line 확장이 가능하고 저전력 및 사용 편의성을 지향하며 DFB Laser / Nanoimprint, Metalens, Lens Arrays, T-Gate 및 Photonic Crystal 응용을 제시합니다. JBX-A9 Series 사양은 100 kV accelerating voltage, 1000 μm maximum field size, 0.25 nm minimum increment, ±9 nm stitching 및 overlay accuracy, ≦8 nm minimum line width, 50 pA to 400 nA beam current, 200 MHz maximum scanning speed, 0.15 nm stage-positioning resolution입니다. 자동 보정에는 Dynamic Focus, Dynamic stigmatism 및 Deflection Distortion Correction이 포함되며 최대 시료 크기는 300 mm wafer와 9 inch mask, 소비전력은 5 kVA, 제시된 footprint는 7.4 m × 5.3 m × 2.7 m (H)입니다. 기본 구성은 Basic Unit, 10 Cassettes Auto Loading System, Control Program with CPU System, Additional License for Data Preparation Program, Remote Control OL Aperture이며 옵션에는 in-situ Optical Microscope, FOUP Wafer Auto Loading System, Open Cassette 200 mm Wafer Auto Loading System, 48kV High Voltage Program, Custom Cassettes, SECS/GEM, Air Conditioner 및 EMI cancellation system이 있습니다. JBX-8100FS는 높은 처리량, 작은 footprint 및 낮은 전력 사용을 목표로 한 spot-type electron beam lithography system이며 표준 시스템 크기는 4.9 m (W) x 3.7 m (D) x 2.6 m (H), 정상 운전 전력은 약 3 kVA로 기존 시스템의 약 1/3입니다. high-resolution 및 high-throughput 두 노광 모드를 제공해 ultra-fine processing부터 small- and mid-size production까지 지원하고 노광 중 idle time을 줄이면서 maximum scanning speed를 1.25에서 2.5배 높여 125 MHz로 제공합니다. JBX-8100FS는 G1 entry와 G2 full-option 버전을 제시하고 G1에는 필요에 따라 옵션을 추가할 수 있으며, 옵션 optical microscope는 resist를 노광하지 않고 시료 패턴을 검사할 수 있고 signal tower는 시스템 동작을 시각적으로 모니터링하는 표준 장비이며 stage position은 표준 0.6 nm step 또는 옵션 업그레이드 시 0.15 nm step으로 측정 및 제어됩니다. Linux® operating system과 새로운 graphic user interface가 시스템 제어를 지원하고 data-preparation program은 Linux®와 Windows®를 모두 지원하며, 200 kV G3 구성은 Gaussian beam optics와 모듈식 업그레이드 플랫폼을 사용해 advanced nanostructures, compound-semiconductor devices부터 holography, gray scale 및 micro-lens arrays까지 지원합니다. 10um 두께 PMMA resist, 500um field, 2um pattern width, Si substrate를 사용한 비교에서 200 kV는 100 kV보다 tapering을 줄였으며 제시된 dose는 100 kV에서 3,000 μC / cm2, 200 kV에서 5,000 μC / cm2입니다. G1, G2, G3의 writing method는 spot beam, vector scan, step and repeat이고 beam current는 5 × 10^-12 to 2 × 10^-7 A, maximum scanning speed는 125 MHz, stage travel은 190 mm × 170 mm이며 acceleration voltage는 G1 100 kV, G2 100 kV / 50 kV, G3 200 kV / 130 kV / 100 kV / 50 kV입니다. Maximum field size는 G1 1,000 μm × 1,000 μm, G2와 G3 2,000 μm × 2,000 μm이며 overlay와 stitching accuracy는 G1과 G2가 ≦±9 nm, G3가 ≦±8 nm이고 normal electric requirements는 3kVA입니다. 시스템은 최대 200mmΦ wafer, 6 inch mask blanks 및 임의 크기의 소형 시료를 지원하며 substrate transfer는 G1 Single auto loader, G2와 G3 12 cassettes auto loader이고 주요 설치 옵션에는 Optical microscope, 25 kV high voltage program, 추가 Data preparation program license 및 High resolution laser beam control system이 포함됩니다. JBX-3200MVS는 variable-shaped 50 kV electron beam과 step-and-repeat specimen stage를 사용하는 electron beam lithography system으로 32 nm에서 28 nm node의 mask making에 사용되며 고속, 고정밀 및 고신뢰성을 목표로 합니다. writing-dose modulation과 overlay-writing 기능으로 legacy masks와 reticles에 필요한 보정을 지원하고 JEOL Ltd.는 일본 및 해외의 captive mask shops와 merchant mask shops를 고객 유형으로 제시하지만 고객명은 공개하지 않으며 stitching accuracy는 ≦±3.5 nm, overlay accuracy는 ≦±5 nm입니다. JBX-3050MV/S는 variable-shape 50 kV electron beam과 step-and-repeat stage를 사용하는 electron beam lithography system으로 45 nm node design rule까지의 mask 및 reticle 제작에 사용되고 고속, 고정밀, 고신뢰성 pattern writing을 제공하며 stitching accuracy는 ≦±3.8 nm, overlay accuracy는 ≦±7 nm입니다.
역량 및 제품
- 반도체 검사용 TEM
- 반도체 검사용 SEM
- 전자빔 리소그래피 시스템
- 집속 이온빔 시스템
- NMR 및 전자스핀공명 분광기
- MALDI/GC/LC 질량분석기
- 고출력 전자빔 소스 및 전원
- 플라즈마 소스 및 전자빔 금속 3D 프린터
- 임상화학 분석기