基本資料
| 攤位 | K2160 |
| 國別 | JP |
| 網站 | www.jeol.com |
公司簡介
JEOL Ltd. 列出用於半導體檢測的 TEM 與 SEM 顯微鏡，並指出涉及 SiC、GaN、先進電晶體結構與 3D 封裝技術的半導體工作，需要精密特性分析，以及適當的前處理與分析儀器，以支援製造良率與元件可靠度。JEOL Group Companies 的業務分為 Scientific and Metrology Instruments、Semiconductor and Industrial Equipment 與 Medical Equipment 三個領域。JEOL Ltd. 起源於電子顯微鏡開發，並表示長期支援全球研究人員，包括諾貝爾獎得主，同時在奈米科技與生物科技等領域提供科學與量測解決方案；其電子光學產品包括穿透式與掃描式電子顯微鏡、電子探針微區分析儀、光電子光譜儀、Auger micro probes、電子顯微鏡周邊設備、soft X-ray emission spectrometers、focused ion beam systems、CROSS SECTION POLISHER™、energy-dispersive X-ray fluorescence spectrometers 與 electron diffractometers。其分析儀器包括 NMR spectrometers、electron spin resonance spectrometers，以及涵蓋 MALDI time-of-flight、gas chromatograph 與 liquid chromatograph 配置的 mass spectrometers。針對半導體與工業應用，JEOL Ltd. 提供 electron beam lithography systems、用於蒸鍍的 electron beam sources，以及用於光學零件製造的工業設備，包括 high-power electron beam sources and power supplies、electron beam deposition sources and power supplies、bombardment deposition sources、plasma sources、powder feeders 與 electron beam metal 3D printers，其中 electron beam 與 plasma sources 用於薄膜形成與材料加工。JEOL Ltd. 也介紹可觀察生物分子內部的 cryo electron microscopes，以及支援分子生物學與藥物探索的 electron diffraction、nuclear magnetic resonance 與 mass spectrometry 儀器。其醫療設備包括 BioMajesty™ Series clinical chemistry analyzer，利用微量樣本與試劑以降低醫療成本，並有益於患者、醫療機構營運成本、醫療發展與人類健康維護，JEOL Ltd. 也列出 rack handlers 與 laboratory information systems。JEOL Ltd. 為使用其產品的客戶提供支援服務。
展出產品
針對涉及 SiC、GaN、先進電晶體結構與 3D 封裝的半導體應用，JEOL Ltd. 介紹電子顯微鏡與 electron beam lithography systems，以及 NMR spectrometers、mass spectrometers 等科學儀器，並強調精密特性分析與適當的前處理及分析儀器對製造良率與元件可靠度的重要性。其 electron beam lithography 產品線包括 JBX-A9 Series、JBX-8100FS Series、JBX-3200MVS 與 JBX-3050MV/S 主機，以及 SB-89010EUVC EXCIMER UV CLEANER（FOR WAFER）選配項目；JEOL Ltd. 指出 LSI 圖形可小至 10 nanometers（1/10,000th of a hair）或更小，而 electron beam lithography systems 用於精密加工這類極細電路。隨著 IoT society 與 5G 帶動半導體需求擴大，JEOL Ltd. 預期 electron beam lithography systems 將扮演日益重要的角色。JBX-A9 Series 是高精度、高產能的 direct-writing system，採用 JEOL electron optics，可裝載最高 300 mm 晶圓，可選配 FOUP，能與 coaters、developers 等製程工具進行 in-line 擴充，並以低功耗與易用性為設計重點，列出的應用包括 DFB Laser / Nanoimprint、Metalens、Lens Arrays、T-Gate 與 Photonic Crystal。JBX-A9 Series 規格包括 100 kV accelerating voltage、1000 μm maximum field size、0.25 nm minimum increment、±9 nm stitching 與 overlay accuracy、≦8 nm minimum line width、50 pA to 400 nA beam current、200 MHz maximum scanning speed，以及 0.15 nm stage-positioning resolution。其自動校正功能包括 Dynamic Focus、Dynamic stigmatism 與 Deflection Distortion Correction；最大樣本尺寸包括 300 mm wafer 與 9 inch mask，功耗為 5 kVA，列示 footprint 為 7.4 m × 5.3 m × 2.7 m (H)。基本配置列出 Basic Unit、10 Cassettes Auto Loading System、Control Program with CPU System、Additional License for Data Preparation Program 與 Remote Control OL Aperture，選配項目則包括 in-situ Optical Microscope、FOUP Wafer Auto Loading System、Open Cassette 200 mm Wafer Auto Loading System、48kV High Voltage Program、Custom Cassettes、SECS/GEM、Air Conditioner 與 EMI cancellation system。JBX-8100FS 是 spot-type electron beam lithography system，設計重點為高產能、較小 footprint 與較低功耗；標準系統佔地為 4.9 m (W) x 3.7 m (D) x 2.6 m (H)，正常運轉約需 3 kVA，約為傳統系統的 1/3。系統提供 high-resolution 與 high-throughput 兩種曝光模式，可涵蓋 ultra-fine processing 到 small- and mid-size production，並降低曝光期間的 idle time，將 maximum scanning speed 提升 1.25 到 2.5 倍至 125 MHz。JBX-8100FS 列出 G1 entry 與 G2 full-option 版本，G1 可按需加入選配配件；選配 optical microscope 可在不讓 resist 曝光的情況下檢查樣本圖形，signal tower 為用於目視監控系統運作的標準配備，stage position 標準以 0.6 nm step 量測與控制，選配升級後可達 0.15 nm。Linux® operating system 與新的 graphic user interface 用於系統控制，data-preparation program 同時支援 Linux® 與 Windows®，200 kV 的 G3 配置採用 Gaussian beam optics 與模組化、可升級平台，應用範圍從 advanced nanostructures、compound-semiconductor devices 延伸到 holography、gray scale 與 micro-lens arrays。在使用 10um 厚 PMMA resist、500um field、2um pattern width 與 Si substrate 的比較中，200 kV 相較 100 kV 可降低 tapering；列示 dose 為 100 kV 時 3,000 μC / cm2，200 kV 時 5,000 μC / cm2。G1、G2、G3 的 writing method 均為 spot beam、vector scan、step and repeat，beam current 為 5 × 10-12 to 2 × 10-7 A，maximum scanning speed 為 125 MHz，stage travel 為 190 mm × 170 mm；acceleration voltage 選項分別為 G1 的 100 kV、G2 的 100 kV / 50 kV，以及 G3 的 200 kV / 130 kV / 100 kV / 50 kV。Maximum field size 為 G1 的 1,000 μm × 1,000 μm，以及 G2 與 G3 的 2,000 μm × 2,000 μm；G1 與 G2 的 overlay 與 stitching accuracy 為 ≦±9 nm，G3 為 ≦±8 nm，normal electric requirements 為 3kVA。系統支援最大 200mmΦ wafer、6 inch mask blanks 與任意尺寸的小型樣本；substrate transfer 為 G1 的 Single auto loader，以及 G2 與 G3 的 12 cassettes auto loader，主要可安裝選配包括 Optical microscope、25 kV high voltage program、額外 Data preparation program license 與 High resolution laser beam control system。JBX-3200MVS 是採用 variable-shaped 50 kV electron beam 與 step-and-repeat specimen stage 的 electron beam lithography system，用於 32 nm 至 28 nm node 的 mask making，設計重點為高速、高精度與高可靠度。其 writing-dose modulation 與 overlay-writing 功能可支援 legacy masks 與 reticles 的各種修正；JEOL Ltd. 列出的客戶類型包括日本及海外的 captive mask shops 與 merchant mask shops，但不公開客戶名稱，stitching accuracy 為 ≦±3.5 nm，overlay accuracy 為 ≦±5 nm。JBX-3050MV/S 是採用 variable-shape 50 kV electron beam 與 step-and-repeat stage 的 electron beam lithography system，用於最高 45 nm node design rule 的 mask 與 reticle 製作，具備高速、高精度與高可靠度的 pattern writing，stitching accuracy 為 ≦±3.8 nm，overlay accuracy 為 ≦±7 nm。
能力與產品項目
- 半導體檢測 TEM
- 半導體檢測 SEM
- 電子束微影系統
- 聚焦離子束系統
- NMR 與電子自旋共振光譜儀
- MALDI/GC/LC 質譜儀
- 高功率電子束源與電源
- 電漿源與電子束金屬 3D 列印設備
- 臨床化學分析儀