基本情報
| ブース | K2160 |
| 国 | JP |
| ウェブサイト | www.jeol.com |
会社概要
日本電子株式会社は、半導体検査用のTEMおよびSEMを掲げ、SiC、GaN、先進トランジスタ構造、3Dパッケージング技術に関わる半導体分野では、製造歩留まりとデバイス信頼性を支えるために精密な特性評価と適切な前処理・分析装置が必要だと説明しています。JEOL Group Companiesは、Scientific and Metrology Instruments、Semiconductor and Industrial Equipment、Medical Equipmentの3事業セグメントで事業を展開しています。日本電子株式会社は電子顕微鏡の開発を起点とし、ノーベル賞受賞者を含む世界の研究者を支援してきたとし、ナノテクノロジーやバイオテクノロジーなどの分野で科学・計測ソリューションを提供しており、電子光学製品には透過電子顕微鏡、走査電子顕微鏡、電子プローブマイクロアナライザ、光電子分光計、Auger micro probes、電子顕微鏡周辺機器、soft X-ray emission spectrometers、focused ion beam systems、CROSS SECTION POLISHER™、energy-dispersive X-ray fluorescence spectrometers、electron diffractometersが含まれます。分析装置にはNMR spectrometers、electron spin resonance spectrometers、MALDI time-of-flight、gas chromatograph、liquid chromatograph構成を含むmass spectrometersがあります。半導体・産業用途では、日本電子株式会社はelectron beam lithography systems、蒸着用electron beam sources、光学部品製造に使われる産業装置を提供し、high-power electron beam sources and power supplies、electron beam deposition sources and power supplies、bombardment deposition sources、plasma sources、powder feeders、electron beam metal 3D printersを含み、electron beamとplasma sourcesは薄膜形成と材料加工に用いられます。日本電子株式会社は、生体分子内部まで観察できるcryo electron microscopesと、分子生物学・創薬を支援するelectron diffraction、nuclear magnetic resonance、mass spectrometry装置も紹介しています。医療機器にはBioMajesty™ Series clinical chemistry analyzerがあり、微量の試料と試薬によって医療費を低減し、患者、医療機関の運用コスト、医療の発展、人の健康維持に寄与し、日本電子株式会社はrack handlersとlaboratory information systemsも挙げています。日本電子株式会社は、製品を使用する顧客向けにサポートサービスを提供しています。
展示製品
SiC、GaN、先進トランジスタ構造、3Dパッケージングに関わる半導体用途に対し、日本電子株式会社は電子顕微鏡とelectron beam lithography systemsに加え、NMR spectrometersやmass spectrometersなどの科学機器を紹介し、製造歩留まりとデバイス信頼性のための精密な特性評価と適切な前処理・分析装置の重要性を示しています。electron beam lithographyのラインアップにはJBX-A9 Series、JBX-8100FS Series、JBX-3200MVS、JBX-3050MV/Sの主要ユニットとSB-89010EUVC EXCIMER UV CLEANER（FOR WAFER）オプションがあり、日本電子株式会社はLSIパターンが10 nanometers（1/10,000th of a hair）以下まで微細化し、electron beam lithography systemsがそのような微細回路の精密加工に用いられると説明しています。IoT societyと5Gによって半導体需要が拡大するにつれ、日本電子株式会社はelectron beam lithography systemsの役割がさらに重要になると見込んでいます。JBX-A9 Seriesは高精度・高スループットのdirect-writing systemで、JEOL electron opticsを採用し、最大300 mmウエハを搭載でき、FOUPをオプションで使用でき、coatersやdevelopersなど他のプロセス装置へのin-line拡張に対応し、低消費電力と使いやすさを重視し、DFB Laser / Nanoimprint、Metalens、Lens Arrays、T-Gate、Photonic Crystalを用途として挙げています。JBX-A9 Seriesの仕様は100 kV accelerating voltage、1000 μm maximum field size、0.25 nm minimum increment、±9 nm stitchingおよびoverlay accuracy、≦8 nm minimum line width、50 pA to 400 nA beam current、200 MHz maximum scanning speed、0.15 nm stage-positioning resolutionです。自動補正にはDynamic Focus、Dynamic stigmatism、Deflection Distortion Correctionが含まれ、最大試料サイズは300 mm waferと9 inch mask、消費電力は5 kVA、記載footprintは7.4 m × 5.3 m × 2.7 m (H)です。基本構成はBasic Unit、10 Cassettes Auto Loading System、Control Program with CPU System、Additional License for Data Preparation Program、Remote Control OL Apertureで、オプションにはin-situ Optical Microscope、FOUP Wafer Auto Loading System、Open Cassette 200 mm Wafer Auto Loading System、48kV High Voltage Program、Custom Cassettes、SECS/GEM、Air Conditioner、EMI cancellation systemがあります。JBX-8100FSは高スループット、小型footprint、低消費電力を狙ったspot-type electron beam lithography systemで、標準システムは4.9 m (W) x 3.7 m (D) x 2.6 m (H)、通常運転は約3 kVAで従来システムの約1/3です。high-resolutionとhigh-throughputの2つの露光モードを備え、ultra-fine processingからsmall- and mid-size productionまで対応し、露光中のidle timeを低減しながらmaximum scanning speedを1.25から2.5倍の125 MHzに高めています。JBX-8100FSはG1 entryとG2 full-optionのバージョンを掲げ、G1には必要に応じてオプションを追加でき、オプションのoptical microscopeはresistを露光せずに試料パターンを確認でき、signal towerはシステム動作を目視監視する標準装備で、stage positionは標準0.6 nm step、オプションで0.15 nm stepで測定・制御されます。Linux® operating systemと新しいgraphic user interfaceがシステム制御を支え、data-preparation programはLinux®とWindows®に対応し、200 kVのG3構成はGaussian beam opticsとモジュール式アップグレード可能なプラットフォームを採用し、advanced nanostructures、compound-semiconductor devicesからholography、gray scale、micro-lens arraysまで対応します。10um厚PMMA resist、500um field、2um pattern width、Si substrateを用いた比較では、200 kVは100 kVよりtaperingを低減し、記載doseは100 kVで3,000 μC / cm2、200 kVで5,000 μC / cm2です。G1、G2、G3のwriting methodはspot beam、vector scan、step and repeatで、beam currentは5 × 10-12 to 2 × 10-7 A、maximum scanning speedは125 MHz、stage travelは190 mm × 170 mm、acceleration voltageはG1が100 kV、G2が100 kV / 50 kV、G3が200 kV / 130 kV / 100 kV / 50 kVです。Maximum field sizeはG1が1,000 μm × 1,000 μm、G2とG3が2,000 μm × 2,000 μmで、overlayおよびstitching accuracyはG1とG2が≦±9 nm、G3が≦±8 nm、normal electric requirementsは3kVAです。最大200mmΦ wafer、6 inch mask blanks、任意サイズの小型試料に対応し、substrate transferはG1がSingle auto loader、G2とG3が12 cassettes auto loaderで、主な搭載可能オプションはOptical microscope、25 kV high voltage program、追加Data preparation program license、High resolution laser beam control systemです。JBX-3200MVSはvariable-shaped 50 kV electron beamとstep-and-repeat specimen stageを用いるelectron beam lithography systemで、32 nmから28 nm nodeのmask making向けに高速、高精度、高信頼性を目指しています。writing-dose modulationとoverlay-writing機能によってlegacy masksとreticlesの補正に対応し、日本電子株式会社は日本および海外のcaptive mask shopsとmerchant mask shopsを顧客類型として挙げていますが顧客名は非公開で、stitching accuracyは≦±3.5 nm、overlay accuracyは≦±5 nmです。JBX-3050MV/Sはvariable-shape 50 kV electron beamとstep-and-repeat stageを用いるelectron beam lithography systemで、45 nm node design ruleまでのmaskおよびreticle製作向けに、高速・高精度・高信頼性のpattern writingを行い、stitching accuracyは≦±3.8 nm、overlay accuracyは≦±7 nmです。
対応領域・製品
- 半導体検査用TEM
- 半導体検査用SEM
- 電子ビーム描画装置
- 集束イオンビームシステム
- NMR・電子スピン共鳴分光計
- MALDI/GC/LC質量分析計
- 高出力電子ビーム源・電源
- プラズマ源・電子ビーム金属3Dプリンタ
- 臨床化学分析装置