기본 정보
| 부스 | I3000 |
| 국가 | GB |
| 웹사이트 | www.icemostech.com |
회사 소개
IceMOS Technology Ltd는 글로벌 시장을 대상으로 Advanced Power Electronics, Silicon Engineered Substrates, Silicon Sensing Elements를 전문으로 하며, 독자적인 MEMS-based technologies로 mSJMOS™, mSJMOSCD™, JEDIFET™를 보유합니다. 전력 기술에서는 MEMS 제조 기법과 성숙 노드 CMOS 공정을 결합해 데이터 센터, 전기차, AI hardware, 재생에너지 시스템용 고성능 power MOSFETs를 제공하며, Silicon Carbide(SiC) 소자에 필적하는 성능을 그 일부의 비용으로 구현하고 효율 향상과 CO2 저감 효과를 제공한다고 설명합니다. Silicon Engineered Substrates 분야에서는 mCSOI™와 mRFSOI™ 등을 automotive ADAS, aerospace, wearable-tech, high-speed communications 분야에 제공합니다. Belfast에는 수직 통합 제조 시설을 운영하며 70+건의 특허로 구성된 IP portfolio를 보유한다고 밝히고 있습니다. 또한 1억 개가 넘는 ADAS sensors에서 zero field failures를 기록했다고 하며, 업계 기업과의 전략적 협력, 10년 성장 계획, 더 안전하고 스마트하며 효율적인 반도체 솔루션과 연결되는 지속가능성 방향을 제시합니다. IceMOS Technology Ltd는 IC와 MEMS 응용용 100-200mm thick-film SOI 및 SiSi wafers를 공급하며 20년이 넘는 SOI 제조 경험과 폭넓은 사양 범위를 설명합니다. 제조 및 엔지니어링 범위에는 비용 효율성과 고성능을 지향하는 Superjunction MOSFETs, MEMS solutions, Advanced Engineering Substrates, SOI substrates, bonded silicon substrates가 포함됩니다. IceMOS Technology Ltd는 20년이 넘는 전문성과 제조 경험을 바탕으로 고객의 최초 문의부터 제품 납품까지 서비스를 제공합니다. 엔지니어링 팀은 제품 개발, 설계, specialized services를 지원하며, 필요한 솔루션이 기존 제품으로 제공되지 않을 경우 고객과 직접 협력해 specialized product를 개발합니다. 센서 및 반도체 산업용으로 100mm, 125mm, 150mm, 200mm tailor-made silicon wafers를 공급하고 소구경 시제품에 사용한 기술을 더 큰 직경의 웨이퍼로 이전할 수 있습니다. 고객 내부 역량을 넘어서는 공정에는 foundry services를 제공하며, 공정은 ISO/TS 16949 제조 환경에서 운영되고 Statistical Process Control(SPC)로 관리되며 advanced CMOS에 필요한 오염 관리 기준을 따릅니다. SOI와 MEMS 지원은 SOI 설계 및 제조 경험이 풍부한 팀이 담당하며 고객 요구에 맞는 MEMS 또는 SOI solution을 개발합니다.
전시 제품
IceMOS Technology Ltd는 다양한 사양의 100-200mm 웨이퍼 재고를 유지하고 Northern Ireland의 Belfast에서 제조하며, 맞춤형 Superjunction MOSFETs, MEMS solutions, Advanced Engineering Substrates를 공급합니다. thick-film SOI dielectric-isolation technology는 thick-film SOI와 고종횡비 deep-trench etching, oxide/poly refill을 결합해 동일 칩의 부품 사이에 고전압 절연을 제공하며, 100mm에서 150mm 웨이퍼와 1.5um에서 100um의 silicon device layer에 적용됩니다. Superjunction MOSFET은 Silicon MOSFET 기술과 MEMS 공정 기술을 결합한 고전압 MOSFET 구조로 MOSFET 성능 향상을 목표로 합니다. 기재된 Superjunction 특성에는 낮은 온저항, 초저 gate charge, 높은 dv/dt 능력, 높은 avalanche(UIS) 특성, 높은 피크 전류, 향상된 transconductance 특성이 포함됩니다. 응용 분야는 전원, 데이터 센터·서버·클라우드·노트북·태블릿 등의 IT hardware, HID 및 LED 조명 ballast, LED TV driver와 power supply, solar inverter, 전기 및 hybrid vehicle, EV fast charger입니다. Superjunction 선택지는 600V, 650V, 700V, 730V이며 패키지는 TO220 (Non-Isolated), TO220 Fullpak (Isolated), TO247, D2PAK / TO263, DPAK / TO252, I2PAK / TO262, IPAK / TO251을 포함합니다. Superjunction 제품 데이터시트의 lead-free marking은 lead(Pb)를 의도적으로 사용하지 않고 구성 재료와 최종 제품의 lead(Pb) 수준을 1000ppm(0.1wt%) 미만으로 유지한다는 정의입니다. bonded BSOI와 CSOI wafers에는 고해상도 SAM(Scanning Acoustic Microscope) 이미징을 제공하며, 고객 소유 bonded wafers에도 같은 서비스를 제공해 bonded interface를 비파괴 방식으로 영상화할 수 있습니다. SAM inspection은 lateral size 약 10µm, delaminated height 약 15nm 수준의 박리를 검출할 수 있고, 100mm에서 200mm 웨이퍼에 whole-wafer scanning을 수행하며 pixel size는 최소 20 µm이고 선택 영역은 더 높은 해상도로 스캔할 수 있습니다. 회사는 100mm, 125mm, 150mm, 200mm silicon wafers를 공급하고 센서 및 반도체 응용에 맞춘 공정 맞춤화를 지원합니다. 고객 자체 역량으로 수행하기 어려운 공정은 IceMOS foundry services로 완성할 수 있으며 MEMS 및 SOI 개발 기술 지원도 받을 수 있습니다. 전체 공급 범위는 power-electronics devices, MEMS solutions, thick-film SOI 및 SiSi wafers, bonded 및 engineered substrates, inspection, 그리고 semiconductor, IC, MEMS, sensing 및 관련 high-voltage applications용 foundry support를 포함합니다.
역량 및 제품
- 100-200mm 후막 SOI 및 SiSi 웨이퍼 공급
- 맞춤형 고성능 Superjunction MOSFET
- MEMS Superjunction 고전압 MOSFET
- 칩 내 고전압 유전체 절연 기술
- 100/125/150/200mm 실리콘 웨이퍼 공급
- 반도체 단위 공정 파운드리 서비스
- 100-200mm 웨이퍼 고해상도 SAM 스캔
- 고객 보유 본딩 웨이퍼 SAM 검사 서비스
- MEMS / SOI 맞춤형 솔루션 개발
- mCSOI™ / mRFSOI™ 실리콘 엔지니어드 기판
- SOI 및 본딩 실리콘 기판 공급
- 맞춤형 반도체 제품 공동 개발