基本資料
| 攤位 | I3000 |
| 國別 | GB |
| 網站 | www.icemostech.com |
公司簡介
IceMOS Technology Ltd 專注於面向全球市場的 Advanced Power Electronics、Silicon Engineered Substrates 與 Silicon Sensing Elements，專有的 MEMS-based technologies 包括 mSJMOS™、mSJMOSCD™ 與 JEDIFET™。其功率技術把 MEMS 製造技術與成熟節點 CMOS 製程結合，用於資料中心、電動車、AI hardware 與再生能源系統的高效能 power MOSFETs；公司並描述這些元件可用低於 Silicon Carbide（SiC）元件的成本達到可比擬的表現，同時帶來效率與 CO2 減量效益。Silicon Engineered Substrates 方面，IceMOS Technology Ltd 提供包括 mCSOI™ 與 mRFSOI™ 在內的技術，應用於 automotive ADAS、aerospace、wearable-tech 與 high-speed communications。公司在 Belfast 營運垂直整合製造設施，並表示擁有 70+ 項專利的 IP portfolio。公司亦表示超過 1 億顆 ADAS sensors 維持 zero field failures，並提及與業界公司的策略合作、十年成長計畫，以及把永續性納入更安全、更智慧與更高效率半導體解決方案的方向。IceMOS Technology Ltd 供應用於 IC 與 MEMS 應用的 100-200mm thick-film SOI 與 SiSi wafers，並描述其擁有超過 20 年的 SOI 製造經驗與廣泛的規格範圍。其製造與工程能力涵蓋具成本效益且高效能的 Superjunction MOSFETs、MEMS solutions、Advanced Engineering Substrates、SOI substrates 與 bonded silicon substrates。IceMOS Technology Ltd 描述其累積超過二十年的專業與製造經驗，服務從客戶初次詢問一路延伸至產品交付。工程團隊支援產品開發、設計與 specialized services；當客戶所需方案尚未提供時，公司可直接與客戶合作開發 specialized product。公司也面向感測器與半導體產業供應客製 silicon wafers，尺寸涵蓋 100mm、125mm、150mm 與 200mm，並可把用於小直徑原型製作的技術轉移到更大直徑晶圓。若客戶的製程超出其內部能力，IceMOS Technology Ltd 亦提供 foundry services；這些製程在 ISO/TS 16949 製造環境中運作，以 Statistical Process Control（SPC）控制，並符合 advanced CMOS 所需的污染控制標準。其 SOI 與 MEMS 支援由具多年 SOI 設計與製造經驗的團隊提供，可依客戶需求開發 MEMS 或 SOI solution。
展出產品
IceMOS Technology Ltd 維持多種規格的 100-200mm 晶圓庫存，在 Northern Ireland 的 Belfast 生產，並供應客製化 Superjunction MOSFETs、MEMS solutions 與 Advanced Engineering Substrates。其 thick-film SOI dielectric-isolation technology 以 thick-film SOI 搭配高深寬比 deep-trench etching 與 oxide/poly refill，在同一晶片上的元件之間提供高電壓隔離；可用晶圓尺寸為 100mm 至 150mm，silicon device layer 為 1.5um 至 100um。Superjunction MOSFET 方案把 Silicon MOSFET 技術與 MEMS 製程技術結合，形成高電壓 MOSFET 架構，用於提升 MOSFET 效能。列出的 Superjunction 特性包括低導通電阻、超低 gate charge、高 dv/dt 能力、高 avalanche（UIS）特性、高峰值電流與增強的 transconductance 特性。列出的應用涵蓋電源、資料中心／伺服器／雲端／筆電／平板等 IT hardware、HID 與 LED 照明 ballast、LED 電視 driver 與 power supply、solar inverter、電動與 hybrid vehicle，以及 EV fast charger。Superjunction 選項包含 600V、650V、700V 與 730V，封裝則包括 TO220 (Non-Isolated)、TO220 Fullpak (Isolated)、TO247、D2PAK / TO263、DPAK / TO252、I2PAK / TO262 與 IPAK / TO251。對 Superjunction 產品資料表而言，IceMOS 對 lead-free marking 的定義是不刻意使用 lead（Pb），且組成材料與最終產品中的 lead（Pb）含量低於 1000ppm（0.1wt%）。對 bonded BSOI 與 CSOI wafers，IceMOS Technology Ltd 提供高解析 SAM（Scanning Acoustic Microscope）影像，也可對客戶自有的 bonded wafers 提供相同服務，作為 bonded interface 的非破壞性成像方式。其 SAM inspection 描述可偵測 lateral size 約 10µm、delaminated height 約 15nm 的脫層，並可對 100mm 至 200mm 晶圓進行 whole-wafer scanning，pixel size 最小可達 20 µm，且選定區域可用更高解析度掃描。公司供應 100mm、125mm、150mm 與 200mm silicon wafers，並支援適用於感測器與半導體應用的製程客製。客戶也可使用 IceMOS foundry services 完成超出自身能力的製程，並取得 MEMS 與 SOI 開發的技術支援。整體供應範圍涵蓋 power-electronics devices、MEMS solutions、thick-film SOI 與 SiSi wafers、bonded 與 engineered substrates、inspection，以及面向 semiconductor、IC、MEMS、sensing 與相關 high-voltage applications 的 foundry support。
能力與產品項目
- 100-200mm 厚膜 SOI 與 SiSi 晶圓供應
- 客製高效能 Superjunction MOSFET
- MEMS Superjunction 高壓 MOSFET
- 晶片內高電壓介電隔離技術
- 100/125/150/200mm 矽晶圓供應
- 半導體單元製程代工服務
- 100-200mm 晶圓 SAM 高解析掃描
- 客戶自有黏合晶圓 SAM 檢測服務
- MEMS / SOI 客製方案開發
- mCSOI™ / mRFSOI™ 矽工程基板
- SOI 與黏合矽基板供應
- 客製半導體產品共同開發