基本情報
| ブース | I3000 |
| 国 | GB |
| ウェブサイト | www.icemostech.com |
会社概要
IceMOS Technology Ltdは、世界市場向けのAdvanced Power Electronics、Silicon Engineered Substrates、Silicon Sensing Elementsを専門とし、独自のMEMS-based technologiesとしてmSJMOS™、mSJMOSCD™、JEDIFET™を展開しています。電力技術では、MEMS製造技術と成熟ノードCMOSプロセスを組み合わせ、データセンター、電気自動車、AI hardware、再生可能エネルギーシステム向けの高性能power MOSFETsを提供しており、Silicon Carbide（SiC）デバイスに匹敵する性能をその一部のコストで実現し、効率向上とCO2削減にもつながるとしています。Silicon Engineered Substratesでは、mCSOI™やmRFSOI™などをautomotive ADAS、aerospace、wearable-tech、high-speed communications向けに提供しています。Belfastには垂直統合型の製造施設があり、70+件の特許からなるIP portfolioを保有するとしています。また、1億個を超えるADAS sensorsでzero field failuresを記録し、業界企業との戦略的な協業、10年間の成長計画、そしてより安全でスマートかつ高効率な半導体ソリューションに結び付く持続可能性への取り組みを掲げています。IceMOS Technology LtdはICおよびMEMS用途向けに100-200mm thick-film SOIとSiSi wafersを供給し、20年以上のSOI製造経験と幅広い仕様範囲を有すると説明しています。製造・エンジニアリングの対象は、コスト効率と高性能を重視したSuperjunction MOSFETs、MEMS solutions、Advanced Engineering Substrates、SOI substrates、bonded silicon substratesです。IceMOS Technology Ltdは20年以上にわたる専門知識と製造経験を持ち、最初の問い合わせから製品納入までサービスを提供しています。エンジニアリングチームは製品開発、設計、specialized servicesを支援し、必要なソリューションが既存の製品として提供されていない場合には、顧客と直接協力してspecialized productを開発します。センサーおよび半導体産業向けには、100mm、125mm、150mm、200mmのtailor-made silicon wafersを供給し、小径ウェハでの試作に用いた技術を大径ウェハへ移管できます。顧客内で対応できないプロセスについてはfoundry servicesも提供し、工程はISO/TS 16949の製造環境で運用され、Statistical Process Control（SPC）で管理され、advanced CMOSに必要な汚染管理基準に従います。SOIとMEMSの支援は、SOI設計と製造に長年の経験を持つチームが担当し、顧客要件に合わせたMEMSまたはSOI solutionを開発します。
展示製品
IceMOS Technology Ltdは多様な仕様の100-200mmウェハを在庫し、Northern IrelandのBelfastで製造し、カスタマイズされたSuperjunction MOSFETs、MEMS solutions、Advanced Engineering Substratesを供給しています。thick-film SOI dielectric-isolation technologyは、thick-film SOIに高アスペクト比deep-trench etchingとoxide/poly refillを組み合わせ、同一チップ上のコンポーネント間に高電圧絶縁を提供し、100mmから150mmのウェハと1.5umから100umのsilicon device layerに対応します。Superjunction MOSFETはSilicon MOSFET技術とMEMSプロセス技術を組み合わせた高電圧MOSFET構造で、MOSFET性能の向上を目的としています。記載されているSuperjunction特性は、低オン抵抗、超低gate charge、高dv/dt能力、高avalanche（UIS）特性、高ピーク電流、強化されたtransconductance特性です。用途は、電源、データセンター・サーバー・クラウド・ノートPC・タブレットなどのIT hardware、HIDおよびLED照明ballast、LEDテレビdriverとpower supply、solar inverter、電気自動車およびhybrid vehicle、EV fast chargerです。Superjunctionの選択肢には600V、650V、700V、730Vがあり、パッケージはTO220 (Non-Isolated)、TO220 Fullpak (Isolated)、TO247、D2PAK / TO263、DPAK / TO252、I2PAK / TO262、IPAK / TO251です。Superjunction製品データシートにおけるlead-free markingは、lead（Pb）を意図的に使用せず、構成材料および最終製品のlead（Pb）量を1000ppm（0.1wt%）未満とする定義です。bonded BSOIおよびCSOI wafers向けには、高解像度SAM（Scanning Acoustic Microscope）イメージングを提供し、顧客所有のbonded wafersにも同じサービスを提供でき、bonded interfaceを非破壊で画像化できます。SAM inspectionでは、lateral size約10µm、delaminated height約15nmの剥離を検出でき、100mmから200mmのウェハ径でwhole-wafer scanningを行い、pixel sizeは最小20 µmで、選択領域ではさらに高い解像度で走査できます。100mm、125mm、150mm、200mmのsilicon wafersを供給し、センサーと半導体用途に合わせたプロセスのカスタマイズにも対応します。また、顧客側で実行できない工程を完了するfoundry servicesと、MEMSおよびSOI開発の技術支援も提供します。これらの供給範囲は、power-electronics devices、MEMS solutions、thick-film SOIとSiSi wafers、bondedおよびengineered substrates、inspection、さらにsemiconductor、IC、MEMS、sensing、関連high-voltage applications向けのfoundry supportを含みます。
対応領域・製品
- 100-200mm厚膜SOI・SiSiウェハ供給
- カスタム高性能Superjunction MOSFET
- MEMS Superjunction高電圧MOSFET
- チップ内高電圧誘電体絶縁技術
- 100/125/150/200mmシリコンウェハ供給
- 半導体単位プロセスのファウンドリサービス
- 100-200mmウェハ向け高解像度SAMスキャン
- 顧客所有の接合ウェハ向けSAM検査サービス
- MEMS / SOIカスタムソリューション開発
- mCSOI™ / mRFSOI™シリコンエンジニアード基板
- SOIおよび接合シリコン基板供給
- カスタム半導体製品の共同開発