기본 정보
| 부스 | J3146 |
| 국가 | TW |
| 웹사이트 | galaxies.com.tw/en_us |
회사 소개
Galaxy Technology Development Company는 2011년에 설립되어 소재, 가공 장비, 시스템 통합, 기술 서비스를 통해 그린에너지 기술 산업 사슬의 개발과 통합에 주력합니다. 절단, 접합, 연삭, 연마, 측정 공정용 소재와 가공 장비를 공급하며 SiC, GaN, Silicon 등의 반도체, LED, 정밀 세라믹, 보석 및 관련 정밀 산업에 적용합니다. 국내외 선진 파트너와 신제품, 신기술, 신규 응용을 공동 개발하고 체계적인 기술 통합을 통해 신제품용 공정 기술을 제공합니다. 고객 서비스 범위와 기술 협력 관계는 대만, 미국, 독일, 영국, 프랑스, 중국, 일본, 한국, 싱가포르, 말레이시아, 베트남 등으로 확대되어 있습니다. 고객 요구를 중심으로 내부와 외부 협력사를 연결하는 것을 서비스 방향으로 두며 전문 기술 시스템 통합 및 기술 서비스를 제공하는 Total Solution Provider를 브랜드 이미지로 제시합니다. 회사는 사용 소재와 완성품이 환경 기준을 준수하며 제품 제조는 무오염과 친환경을 목표로 한다고 설명합니다. 사업 범위는 공정 소재, 장비, 위탁 가공, 기술 통합, 측정을 결합하며 전자소자 설계보다는 웨이퍼, 기판, 경질 소재 가공에 초점을 둡니다.
전시 제품
웨이퍼 본딩과 박막화에서는 매개체를 사용해 웨이퍼를 캐리어 플레이트에 접합한 뒤 연삭, 연마 및 기타 박막화 작업을 수행해 수율 손실을 줄입니다. 연마는 후속 반도체 소자의 신뢰성과 성능을 위해 평탄하고 매끄러운 웨이퍼 표면을 얻는 것이 목적이며 필요한 표면 특성과 품질을 위해 정밀 제어가 적용됩니다. 연마와 CMP는 화학 반응과 기계적 마찰을 결합하고 연마 패드, 슬러리, 압력을 사용해 불필요한 재료와 표면 결함을 제거하여 웨이퍼 평탄도와 표면 품질을 높입니다. CMP 소모재에는 CMP60, CMP160 등의 CMP Slurry가 있으며 나노 스케일 연마 입자와 특수 기판 조성을 사용하고 낮은 연마재 함량, 고순도, 미세 입자 크기 등의 특성을 제시합니다. CMP Polishing Pad는 flat, lattice 등 여러 표면 옵션을 제공하며 CMP polishing liquid와 함께 가공 표면 거칠기 요구에 대응합니다. Mavlipa G3 Nanoparticle Analyzer는 반도체 CMP slurry metrology를 위한 3세대 시스템으로 고농도 불투명 Ceria 또는 Silica를 포함한 다양한 슬러리에 대해 실시간 무희석 Particle Size Distribution과 Large Particle Count를 측정합니다. G3는 희석 없이 슬러리의 자연 상태를 측정해 희석에 따른 응집 오차를 피하고 시료 흐름을 루프로 되돌려 원료를 절약할 수 있습니다. 특허 Multi-Sensor Technology(MSOPS)는 9자릿수 농도 범위를 제공하고 배경 산란 억제 기능은 불투명 용액에서 광학 혼탁의 한계를 우회해 미세한 입자 변화를 포착하도록 설계되었습니다. 특허 Low/High Flow Operation은 유량 조건을 자동 최적화해 slurry Main Mode와 PSD의 LPC portions를 동시에 포착하며 Gen3 detection algorithms는 추가 수학 모델이나 복잡한 교정 없이 실시간 데이터 스트림을 제공합니다. 접액부는 Teflon, Sapphire, Kalrez로 구성해 화학적 안정성을 확보하고 금속 이온 오염을 방지합니다. 응용에는 조성 R&D, 운송·보관·혼합 후 Incoming Quality Assurance, 24/7 in-line Statistical Process Control, 필터 고장 또는 시스템 이상을 감시하는 slurry-loop monitoring, polishing platen 전에 비정상 대입자를 차단하는 Point of Use detection이 포함됩니다. 검출 크기 범위는 100 nm, 최소 80 nm에서 >5 μm이며 최대 농도는 3 x 10⁹ particles/ml입니다. SiC 공정에는 절단, 연삭, 연마용 소재와 장비, 위탁 가공을 제공하고 전략 파트너와 신소재 개발 및 체계적 기술 통합을 진행합니다. SiC는 wide-bandgap, 낮은 전도 손실, 높은 항복 전압, 높은 스위칭 주파수 특성을 갖고 우주 탐사, 통신 기지국, 자동차 엔진, 고주파 소자까지 응용됩니다. GaN 공정에는 연삭 및 연마 소재와 가공 장비, 위탁 가공을 제공하고 전략 파트너와 신소재를 개발합니다. GaN도 wide-bandgap, 낮은 전도 손실, 높은 항복 전압, 높은 스위칭 주파수 특성을 갖고 특수 첨단기술 분야에서 SiC와 경쟁하는 소재로 설명됩니다. Silicon wafers / GaAs에서는 광통신 및 3D sensing용 VCSELs 통합을 위한 기술을 개발하고 신공정 기술과 인력을 결합해 다양한 반도체 소재의 연삭 및 연마 양산 공정을 개발합니다. Sapphire 공정은 왁싱, 연삭, 연마, wafer thinning을 포함하고 웨이퍼 후면 박막화에는 Galaxy 장비와 소모재를 결합해 생산성 향상과 비용 절감을 지원합니다. Quartz와 Glass 가공은 세정, 연삭, 미세 연삭, 연마, 세정, 검사를 거치며 연마재, 공구, 연마제를 사용해 매끄러운 표면과 높은 표면 정밀도 및 평탄도를 확보하여 광학 소자, 광섬유 통신, 반도체 제조에 적용됩니다.
역량 및 제품
- 반도체 웨이퍼 박막화 가공
- CMP Slurry 공급
- CMP Polishing Pad 공급
- CMP 나노입자 분석기 공급
- CMP Slurry 실시간 입자 크기·대입자 측정
- SiC 절단·연삭·폴리싱 소재·장비 공급
- GaN 연삭·폴리싱 소재·장비 공급
- Sapphire 웨이퍼 연삭·폴리싱·박막화
- 석영·유리 연삭·폴리싱 가공
- 절단·연삭·폴리싱·측정 공정 장비 통합