基本情報
| ブース | Q6134 |
| 国 | JP |
| ウェブサイト | fox-tech.co.jp |
会社概要
株式会社FOX は、低コスト・高効率な酸化ガリウム半導体基板の製造技術確立を進め、東北大学と連携して、ワイドバンドギャップ半導体として有望な高品質酸化ガリウムを開発しており、OCCC 法を中心的な結晶育成技術としています。独自の OCCC 法は Oxide Crystal growth from Cold Crucible の略で、貴金属るつぼを使わずに結晶を育成し、従来の結晶成長で用いられる高価なイリジウムを銅や水などの安価な材料に置き換えることで、高品質を維持しながら大幅なコスト低減を目指します。株式会社FOX はプレイヤーが限定されるウェーハ・材料製造に特化し、日本がウェーハ製造で主導権を持つと説明しており、代替技術の開発が難しいことを長期的な競争優位の維持につながる要素と捉え、ウェーハ製造への特化によって多くの半導体サプライヤーを顧客にできるとしています。同社は、貴金属るつぼを不要にする OCCC 法が、次世代パワー半導体向け β-Ga2O3 ウェーハ製造における LCA の改善、材料利用効率の向上、環境負荷の低減につながるとして、持続可能な製造技術として位置づけています。β-Ga2O3 パワー半導体の社会実装と普及を進めることで、従来の Si 半導体に伴う電力損失への対応、環境に配慮したパワー半導体技術の推進、2050 年のカーボンニュートラルへの電力分野からの貢献を目指しており、高品質・低コストな β-Ga2O3 基板を電気自動車や再生可能エネルギーインフラ向けのパワーデバイス開発にも結び付けています。株式会社FOX はさらに、高品質 β-Ga2O3 バルク単結晶基板の量産技術を研鑽し、品質とコストの両面で実際の社会実装が可能な段階まで到達させ、ウェーハ製造および加工技術を開発するメーカーとしてパワー半導体市場に参入することを責務としており、研究者が多数の論文を発表して OCCC 法に関する研究成果を案内していることも示しています。
展示製品
製造範囲には結晶材料と半導体製品が含まれ、OCCC 法による β-Ga2O3 結晶育成を明示した能力として掲げ、パワー半導体用途の酸化ガリウム半導体基板に向けた開発を進めています。説明されているウェーハ製造工程は、インゴットと単結晶製造からラッピング・ポリッシング、成膜、ウェーハ完成へ進み、その後ファウンドリー半導体メーカーで使用される流れであり、8mm×10mm の β-Ga2O3 ウェーハも示すとともに、β-Ga2O3 バルク単結晶製造と量産技術を開発の重点としています。次世代パワー半導体向けに、株式会社FOX は β-Ga2O3 を高効率な電力変換を可能にするワイドバンドギャップ材料として説明し、パワー半導体開発企業と連携して、高品質・低コスト基板を実用的な量産とより広い社会実装へ進めています。この技術説明では、OCCC を Oxide Crystal growth from Cold Crucible、LCA を Life Cycle Assessment と定義し、NICHe を New Industry Creation Hatchery Center、すなわち未来科学技術共同研究センターとして明示しています。
対応領域・製品
- OCCC 法による β-Ga2O3 結晶成長
- 酸化ガリウム半導体基板製造技術
- 結晶材料・半導体製品の製造
- 半導体ウェーハ研磨加工