基本資料
| 攤位 | Q6134 |
| 國別 | JP |
| 網站 | fox-tech.co.jp |
公司簡介
FOX Co.,Ltd. 正在建立低成本、高效率的氧化鎵半導體基板製造技術，並與東北大學合作開發高品質氧化鎵；氧化鎵被視為具潛力的寬能隙半導體，而 OCCC 法是其核心結晶成長技術。其自有 OCCC 法全名為 Oxide Crystal growth from Cold Crucible，可在不使用貴金屬坩堝的情況下進行結晶成長，並以銅、水等低成本材料取代傳統結晶成長中價格高昂的銥，在維持高品質的同時以大幅降低成本為目標。FOX 專注於晶圓與材料製造，將此領域描述為參與者有限的市場，並指出日本在晶圓製造方面掌握主導地位；由於替代技術開發困難，公司認為此特性有利於長期維持競爭優勢，而專注晶圓製造也能服務眾多半導體供應商客戶。公司把 OCCC 法定位為 β-Ga2O3 晶圓生產的永續製造技術，因為不使用貴金屬坩堝可改善生命週期評估、提高材料利用效率，並降低次世代功率半導體製造流程的環境負荷。透過推動 β-Ga2O3 功率半導體的社會實裝與普及，FOX 希望處理傳統 Si 半導體的電力損失問題，支援兼顧環境的功率半導體技術，並從電力領域為 2050 年碳中和做出貢獻；其日文說明也把高品質、低成本 β-Ga2O3 基板與電動車及再生能源基礎設施市場的功率元件開發連結起來。FOX 進一步表示，其責任是持續精進高品質 β-Ga2O3 塊材單晶基板的量產技術，使品質與成本達到可實際社會實裝的階段，並以開發晶圓製造與加工技術的製造商身分進入功率半導體市場；公司也指出研究人員已發表多篇論文，並提供 OCCC 法相關研究內容。
展出產品
製造範圍包括結晶材料與半導體產品，其中 OCCC 法 β-Ga2O3 結晶成長是一項具名能力，相關開發方向則聚焦於功率半導體應用的氧化鎵半導體基板。所描述的晶圓製造流程從晶錠與單晶製造開始，經過研磨與拋光，再進入成膜與晶圓完成階段，之後供晶圓代工半導體製造商使用；公司也展示 8mm×10mm 規格的 β-Ga2O3 晶圓，並把 β-Ga2O3 塊材單晶製造與量產技術列為開發重點。針對次世代功率半導體，FOX 將 β-Ga2O3 描述為可望實現高效率電力轉換的寬能隙材料，並與功率半導體開發企業合作，推動高品質、低成本基板朝可實際量產與更廣泛應用的階段前進。相關技術說明把 OCCC 定義為 Oxide Crystal growth from Cold Crucible，把 LCA 定義為 Life Cycle Assessment，並把 NICHe 定義為 New Industry Creation Hatchery Center，也就是未來科學技術共同研究中心。
能力與產品項目
- OCCC 法 β-Ga2O3 晶體成長
- 氧化鎵半導體基板製造技術
- 晶體材料與半導體產品製造
- 半導體晶圓拋光加工