기본 정보
| 부스 | I2723 |
| 국가 | CN |
| 웹사이트 | www.fsm-sh.com |
회사 소개
Fine Silicon Manufacturing (Shanghai) Ltd.는 2008년에 설립되었고 Shanghai Waigaoqiao Free Trade Zone에 본사를 두며 중국에서 비교적 이른 시기부터 실리콘 웨이퍼 가공과 판매에 종사한 기업 중 하나로 설명됩니다. KOD Corporation은 2015년 도쿄에서 설립되었고 FSM Group은 상하이와 도쿄에 생산 거점을 운영합니다. 판매 측면에서 FSM과 KOD는 국내외 상류 웨이퍼 제조사, 웨이퍼 재생 업체, 하류 반도체 파운드리와 협력하며 국내외 시장에 고객을 두고 있습니다. FSM의 사업은 초기 단일 Dummy wafer 중심에서 발전해 웨이퍼 가공과 판매 활동이 더 다양한 서비스와 재료 분야로 확대되었습니다. 또한 반도체 재료 활동을 3세대 반도체 분야로 넓혔습니다.
전시 제품
FSM은 2인치부터 12인치까지 Dummy wafers를 공급하며 자체 공장으로 안정적인 품질과 통제 가능한 납기를 지원하고 시험 장비를 통해 파라미터 테스트도 제공합니다. Dummy wafer 규격 페이지에는 150 mm, 200 mm, 300 mm 직경, P/N 유형, SEMI/JEIDA notch 또는 OF 구성, 연마 전면과 에칭 후면, CoinRoll 포장이 기재되어 있습니다. 두께는 150 mm에서 675±25/625±25 μm, 200 mm에서 725±25 μm, 300 mm에서 775±25 μm가 제시됩니다. FSM은 6인치부터 12인치까지 wafer reclaim services를 제공하고 여러 크기의 Test, Control, Dummy wafers를 공급합니다. 맞춤 코팅 웨이퍼는 다양한 크기와 막 두께로 제공되며 Thermal oxide, PETEOS, LP-Nitride, PE SiN, W, ECP-Cu, AL, PR 막 옵션이 기재되어 있습니다. silicon thermal-oxide wafers도 제공하며 Wet Thermal Oxide 또는 Dry Thermal Oxide 공정으로 웨이퍼 표면에 Thermal Oxide, 즉 Silicon Dioxide (SiO2) 층을 성장시킵니다. Test grade wafers는 품질 기준에서 prime grade wafers 바로 아래에 위치하고 청정도와 평탄도 요구가 더 완화되어 반도체 공정 단계의 성능과 상태를 모니터링하거나 단독 시험을 위한 더 경제적인 선택지로 사용됩니다. Test grade 페이지는 150MM, 200MM, 300MM를 다루며 1-100 Ω・cm 저항률, 150MM의 675um±25um 또는 625um±25um, 200MM의 725±25, 300MM의 775±25 두께 등을 제시합니다. TTV는 150MM에서 ≤30um, 200MM와 300MM에서 ≦25이며, BOW와 WARP는 기재 규격에서 ≤40um입니다. SOI (Silicon-On-Insulator) wafers는 top device silicon layer, buried oxide (BOX) layer, handle silicon layer를 결합하며 2인치부터 8인치까지 제공됩니다. SOI는 ±5% 두께 공차, TTV 5μm 미만, bow 20μm 미만, P-type, N-type 또는 intrinsic 도핑, 0.001부터 20,000 Ω·cm 초과까지의 저항률을 제공합니다. 응용 분야는 advanced CMOS logic과 low-power ICs, RF front-end와 high-frequency devices, MEMS sensors and actuators, dielectric isolation이 필요한 power semiconductor devices이며 R&D prototyping과 mass production을 모두 지원합니다. SOI의 device layer와 handle layer는 CZ 또는 FZ 성장을 사용할 수 있고 방향은 (100), (110), (111), BOX 두께는 0.1μm부터 3μm, handle-layer 두께는 200μm부터 750μm입니다. InP (Indium Phosphide) wafers는 Vertical Gradient Freeze (VGF) 방식으로 성장하며 2, 3, 4인치, <100> 방향, undoped, N-type S/Sn, P-type Zn 옵션을 제공합니다. InP는 polished 또는 etched epi-ready 표면을 제공하고 2인치 TTV는 ≤10 μm, 3인치와 4인치는 ≤15 μm, bow와 warp는 ≤15 μm로 관리됩니다. 응용 예에는 광통신용 laser diodes와 photodetectors, 고주파 및 high-electron-mobility transistors, photonic integrated circuits, 다중 접합 solar cell substrates가 포함됩니다. InSb (Indium Antimonide) wafers도 VGF 방식이며 2인치와 3인치, <100> 방향, undoped, N-type S/Sn, P-type Zn, polished 또는 etched epi-ready 표면을 제공합니다. InSb의 TTV, bow, warp는 최대 15 μm로 관리되고 2인치 TTV는 ≤10 μm이며 적외선 검출과 센싱에 사용됩니다. 응용 예는 infrared detectors와 focal-plane arrays, Hall-effect sensors와 magnetoresistive devices, thermal-imaging systems, high-speed, low-power electronic devices입니다. 더 넓은 제품군에는 Hydride Vapor Phase Epitaxy로 성장한 GaN wafers도 포함되며 semi-insulating Fe-doped와 N-type Ge-doped 또는 undoped, C-plane <0001>, EPD 최저 1~9E5/cm², 전면 거칠기 Ra ≤0.2nm, TTV ≤15μm, bow와 warp ≤20μm 조건으로 power 및 RF device applications에 사용됩니다. VGF 성장 InAs wafers도 2, 3, 4인치, <100>와 <111>, undoped, N-type S/Sn 또는 P-type Zn, TTV ≤15μm, bow ≤10μm, warp ≤15μm, polished 또는 etched 표면으로 적외선 및 고속 전자소자 용도에 제공됩니다. SiC, LiTaO3 (LT), LiNbO3 (LN), glass wafers, wafer polishing, 웨이퍼 재생, Test 및 Control wafers, 다양한 맞춤 박막을 함께 제공해 FSM의 공급 범위는 반도체 공정 모니터링, 기판 준비, 특수 재료, 소자 개발 응용을 포괄합니다.
역량 및 제품
- 2–12인치 Dummy wafer
- 6–12인치 웨이퍼 재생 서비스 대행
- Test/Control/Dummy wafer 공급
- 맞춤형 Thermal oxide wafer
- PETEOS/LP-Nitride/PE SiN 코팅 웨이퍼
- W/ECP-Cu/AL/PR 맞춤형 코팅 웨이퍼
- 웨이퍼 파라미터 시험 서비스
- Test grade 실리콘 웨이퍼
- 2–8인치 SOI wafers
- HVPE 성장 GaN 웨이퍼
- VGF 성장 InP 웨이퍼
- VGF 성장 InSb 웨이퍼
- 웨이퍼 연마 서비스
- SiC/LiTaO3/LiNbO3 웨이퍼