基本資料
| 攤位 | I2723 |
| 國別 | CN |
| 網站 | www.fsm-sh.com |
公司簡介
上海晶仕光半導體加工有限公司成立於 2008 年，總部位於上海外高橋保稅區，並被描述為中國最早從事矽晶圓加工與銷售的企業之一。KOD Corporation 於 2015 年在東京成立，FSM Group 在上海與東京設有生產基地。在銷售端，FSM 與 KOD 和國內外上游晶圓製造商、晶圓再生業者及下游半導體晶圓代工廠維持合作，客戶遍及國內外市場。FSM 的業務從早期單一 Dummy wafer 重點逐步擴展，晶圓加工與銷售活動延伸至更多服務與材料類別。公司也把半導體材料活動擴展到第三代半導體領域。
展出產品
FSM 可供應 2 英寸至 12 英寸的 Dummy wafers，並以自有工廠支援穩定品質與可控交期，也可透過測試設備提供參數測試服務。Dummy wafer 規格頁列出 150 mm、200 mm 與 300 mm 直徑、P/N 類型、SEMI/JEIDA notch 或 OF 配置、拋光表面與蝕刻背面，以及 CoinRoll 包裝。其厚度規格包括 150 mm 的 675±25/625±25 μm、200 mm 的 725±25 μm，以及 300 mm 的 775±25 μm。FSM 提供 6 英寸至 12 英寸的 wafer reclaim services，並供應多種尺寸的 Test、Control 與 Dummy wafers。客製化鍍膜晶圓可依不同尺寸與膜厚供應，列出的膜種包含 Thermal oxide、PETEOS、LP-Nitride、PE SiN、W、ECP-Cu、AL 與 PR。FSM 也提供 silicon thermal-oxide wafers，可透過 Wet Thermal Oxide 或 Dry Thermal Oxide 製程，在晶圓表面成長 Thermal Oxide，也就是 Silicon Dioxide (SiO2) 層。Test grade wafers 的品質等級位於 prime grade wafers 之下，在潔淨度與平坦度要求上較寬鬆，可用於監控半導體製程步驟的效能與狀態，或作為單項測試較經濟的方案。Test grade 頁面涵蓋 150MM、200MM 與 300MM，列出的參數包含 1-100 Ω・cm 電阻率，150MM 的 675um±25um 或 625um±25um、200MM 的 725±25、300MM 的 775±25 厚度。其 TTV 規格包含 150MM 的 ≤30um，以及 200MM 與 300MM 的 ≦25，所列 BOW 與 WARP 則為 ≤40um。SOI (Silicon-On-Insulator) wafers 由頂部 device silicon layer、buried oxide (BOX) layer 與 handle silicon layer 組成，直徑範圍為 2 英寸至 8 英寸。SOI 產品規格包含 ±5% 厚度公差、低於 5μm 的 TTV、低於 20μm 的 bow、P-type、N-type 或 intrinsic 摻雜選項，以及 0.001 至超過 20,000 Ω·cm 的電阻率。SOI 應用包括 advanced CMOS logic 與 low-power ICs、RF front-end 與 high-frequency devices、MEMS sensors and actuators，以及需要 dielectric isolation 的 power semiconductor devices，並可支援 R&D prototyping 與 mass production。SOI 的 device layer 與 handle layer 可使用 CZ 或 FZ 晶體成長，方向包含 (100)、(110)、(111)；BOX 厚度範圍為 0.1μm 至 3μm，handle-layer 厚度為 200μm 至 750μm。InP (Indium Phosphide) wafers 採用 Vertical Gradient Freeze (VGF) 法生長，尺寸有 2、3、4 英寸，方向為 <100>，並提供 undoped、N-type S/Sn 與 P-type Zn 選項。InP 晶圓為 epi-ready，可選拋光或蝕刻表面；2 英寸 TTV 為 ≤10 μm，3 與 4 英寸為 ≤15 μm，bow 與 warp 均控制在 ≤15 μm。InP 應用包括光通訊雷射二極體與 photodetectors、高頻與 high-electron-mobility transistors、photonic integrated circuits，以及多接面太陽能電池基板。InSb (Indium Antimonide) wafers 同樣採 VGF 法，提供 2 與 3 英寸、<100> 方向、undoped、N-type S/Sn 與 P-type Zn 規格，以及拋光或蝕刻的 epi-ready 表面。InSb 的 TTV、bow、warp 控制值最高為 15 μm，其中 2 英寸 TTV 列為 ≤10 μm，產品用於紅外線偵測與感測。InSb 應用包括 infrared detectors 與 focal-plane arrays、Hall-effect sensors 與 magnetoresistive devices、thermal-imaging systems，以及 high-speed、low-power electronic devices。更廣泛的晶圓產品還包括以 Hydride Vapor Phase Epitaxy 生長的 GaN wafers，提供 semi-insulating Fe-doped 與 N-type Ge-doped 或 undoped 規格、C-plane <0001> 方向、最低 1~9E5/cm² 的 EPD、Ra ≤0.2nm 前表面粗糙度、TTV ≤15μm、bow 與 warp ≤20μm，用於 power 與 RF device applications。FSM 也列出 VGF 生長的 InAs wafers，尺寸為 2、3、4 英寸，方向包含 <100> 與 <111>，提供 undoped、N-type S/Sn 或 P-type Zn 規格，TTV ≤15μm、bow ≤10μm、warp ≤15μm，並可選拋光或蝕刻表面，用於紅外線與高速電子元件。搭配 SiC、LiTaO3 (LT)、LiNbO3 (LN)、glass wafers、wafer polishing、晶圓再生、Test 與 Control wafers 和各類客製鍍膜，FSM 的供應範圍涵蓋半導體製程監控、基板準備、特殊材料與元件開發應用。
能力與產品項目
- 2–12 吋 Dummy wafer
- 6–12 吋晶圓再生服務代理
- Test／Control／Dummy wafers 供應
- 客製 Thermal oxide wafer
- PETEOS／LP-Nitride／PE SiN 鍍膜晶圓
- W／ECP-Cu／AL／PR 客製鍍膜晶圓
- 晶圓參數測試服務
- Test grade silicon wafers
- 2–8 吋 SOI wafers
- HVPE GaN wafers
- VGF InP wafers
- VGF InSb wafers
- 晶圓拋光服務
- SiC／LiTaO3／LiNbO3 晶圓