基本情報
| ブース | I2723 |
| 国 | CN |
| ウェブサイト | www.fsm-sh.com |
会社概要
Fine Silicon Manufacturing (Shanghai) Ltd. は 2008 年に設立され、上海外高橋保税区に本社を置き、中国で早期からシリコンウェハの加工・販売に従事した企業の一つとされています。KOD Corporation は 2015 年に東京で設立され、FSM Group は上海と東京に生産拠点を持ちます。販売面では、FSM と KOD は国内外の上流ウェハメーカー、ウェハ再生会社、下流の半導体ファウンドリと協力し、国内外の市場に顧客を持ちます。FSM の事業は初期の単一 Dummy wafer の重点から発展し、ウェハ加工・販売活動がより多くのサービスと材料分野へ拡大しました。また、半導体材料の活動を第三世代半導体分野にも広げています。
展示製品
FSM は 2 インチから 12 インチの Dummy wafers を供給し、自社工場によって安定品質と管理可能な納期を支え、試験装置を用いたパラメータ試験にも対応します。Dummy wafer の仕様ページには 150 mm、200 mm、300 mm の直径、P/N タイプ、SEMI/JEIDA の notch または OF、研磨表面とエッチング裏面、CoinRoll 包装が記載されています。厚さは 150 mm で 675±25/625±25 μm、200 mm で 725±25 μm、300 mm で 775±25 μm が示されています。FSM は 6 インチから 12 インチの wafer reclaim services を提供し、複数サイズの Test、Control、Dummy wafers を供給します。カスタムコーティングウェハはサイズと膜厚を選択でき、膜種として Thermal oxide、PETEOS、LP-Nitride、PE SiN、W、ECP-Cu、AL、PR が挙げられています。silicon thermal-oxide wafers も提供し、Wet Thermal Oxide または Dry Thermal Oxide プロセスでウェハ表面に Thermal Oxide、すなわち Silicon Dioxide (SiO2) 層を成長させます。Test grade wafers は品質上 prime grade wafers の直下に位置し、清浄度と平坦度の要求がより緩やかで、半導体プロセス工程の性能・状態の監視や、個別試験向けのより経済的な選択肢として使用されます。Test grade ページは 150MM、200MM、300MM を扱い、1-100 Ω・cm の抵抗率、150MM の 675um±25um または 625um±25um、200MM の 725±25、300MM の 775±25 などを示します。TTV は 150MM で ≤30um、200MM と 300MM で ≦25、BOW と WARP は記載仕様で ≤40um です。SOI (Silicon-On-Insulator) wafers は top device silicon layer、buried oxide (BOX) layer、handle silicon layer の三層から成り、2 インチから 8 インチで提供されます。SOI は ±5% の厚さ公差、TTV 5μm 未満、bow 20μm 未満、P-type、N-type、intrinsic のドーピング、0.001 から 20,000 Ω·cm 超の抵抗率を備えます。用途には advanced CMOS logic と low-power ICs、RF front-end と high-frequency devices、MEMS sensors and actuators、dielectric isolation を必要とする power semiconductor devices があり、R&D prototyping と mass production の双方を支援します。SOI の device layer と handle layer には CZ または FZ 成長を使用でき、方位は (100)、(110)、(111)、BOX 厚さは 0.1μm から 3μm、handle-layer 厚さは 200μm から 750μm です。InP (Indium Phosphide) wafers は Vertical Gradient Freeze (VGF) 法で成長し、2、3、4 インチ、<100> 方位、undoped、N-type S/Sn、P-type Zn を用意します。InP は polished または etched の epi-ready 表面を選べ、2 インチの TTV は ≤10 μm、3・4 インチは ≤15 μm、bow と warp は ≤15 μm に制御されます。用途は光通信用 laser diodes と photodetectors、高周波および high-electron-mobility transistors、photonic integrated circuits、多接合 solar cell substrates です。InSb (Indium Antimonide) wafers も VGF 法で、2・3 インチ、<100> 方位、undoped、N-type S/Sn、P-type Zn、polished または etched の epi-ready 表面を提供します。InSb の TTV、bow、warp は最大 15 μm に制御され、2 インチ TTV は ≤10 μm とされ、赤外線検出・センシング用途に使用されます。用途例には infrared detectors と focal-plane arrays、Hall-effect sensors と magnetoresistive devices、thermal-imaging systems、high-speed、low-power electronic devices があります。さらに Hydride Vapor Phase Epitaxy で成長した GaN wafers を扱い、semi-insulating Fe-doped と N-type Ge-doped または undoped、C-plane <0001>、EPD 1~9E5/cm² まで、前面粗さ Ra ≤0.2nm、TTV ≤15μm、bow と warp ≤20μm を示し、power と RF device applications に対応します。VGF 成長の InAs wafers も 2、3、4 インチ、<100> と <111>、undoped、N-type S/Sn、P-type Zn、TTV ≤15μm、bow ≤10μm、warp ≤15μm、polished または etched 表面で、赤外線および高速電子デバイス用途に提供されます。SiC、LiTaO3 (LT)、LiNbO3 (LN)、glass wafers、wafer polishing、ウェハ再生、Test と Control wafers、各種カスタム膜を合わせ、FSM は半導体プロセス監視、基板準備、特殊材料、デバイス開発用途をカバーします。
対応領域・製品
- 2～12インチDummy wafer
- 6～12インチウェハ再生サービス代理
- Test／Control／Dummy wafers供給
- カスタムThermal oxide wafer
- PETEOS／LP-Nitride／PE SiNコートウェハ
- W／ECP-Cu／AL／PRカスタムコートウェハ
- ウェハパラメータ試験サービス
- Test gradeシリコンウェハ
- 2～8インチSOI wafers
- HVPE成長GaNウェハ
- VGF成長InPウェハ
- VGF成長InSbウェハ
- ウェハ研磨サービス
- SiC／LiTaO3／LiNbO3ウェハ