기본 정보
| 부스 | R7312 |
| 국가 | KR |
| 웹사이트 | www.cn-1.co.kr |
회사 소개
반도체, 디스플레이 및 나노 기술의 첨단 분야 고객은 장비와 공정 기술에 대한 지속적인 연구개발을 요구합니다. CN1 Co., Ltd는 반도체, 디스플레이 및 나노 기술 분야에서 지속되는 연구개발 요구에 대응하기 위해 ALD 장비와 공정 기술의 개발 및 혁신을 계속해 왔습니다. 2008년부터 적극적인 연구개발 투자를 통해 Atomic Layer Deposition 사업을 발전시켰습니다. CN1 Co., Ltd는 자신을 Atomic Layer Deposition(ALD) 장비의 선도 공급업체로 설명합니다. 장비 설계와 공정 기술은 10년이 넘는 집중 개발을 거쳤으며 충분히 검증되고 완성되었다고 설명됩니다. 회사의 ALD 시스템은 반도체 및 디스플레이 산업에서 활동하는 첨단 기술 조직에 사용됩니다. 바이오 기술과 첨단 에너지 분야의 조직도 나노 기술 응용과 생산 요구를 충족하기 위해 CN1 Co., Ltd ALD 시스템을 사용하는 산업에 포함됩니다. 한국에서는 ALD 시스템이 수백 개 대학, 국가 연구기관 및 기업에서 널리 사용됩니다. 또한 글로벌 사업 지역으로 제시된 국가의 수백 개 주요 대학, 연구기관 및 기업에서도 CN1 Co., Ltd ALD 장비가 사용됩니다. 한국 외 지역에는 미국, 일본, 싱가포르, 대만, 러시아 및 중국이 포함됩니다. CN1 Co., Ltd는 공급한 ALD 시스템이 유명 대학과 기업에서 인정받고 있다고 밝힙니다. CN1이라는 이름은 'Can Be the Number One'에서 유래합니다. 회사는 ALD 기술의 혁신성과 글로벌 기업으로서의 지속적인 성장을 세계적으로 신뢰받는 기업이 되려는 목표와 연결합니다.
전시 제품
CN1 Co., Ltd의 ALD 제품군에는 Atomic Premium, Atomic Classic, Atomic Mega 및 Atomic Deka가 포함됩니다. 또한 Atomic Basic, Atomic Shell, Atomic Cluster, Coating Solution 및 기타 항목도 나열되어 있습니다. Atomic Premium은 Thermal & Plasma Enhanced ALD Process를 지원하여 열식 ALD와 플라즈마 강화 ALD 공정 역량을 함께 제공합니다. Atomic Premium의 표준 기판 크기는 웨이퍼 기준 4 ~ 12”입니다. Thermal ALD Process를 지원하며 Plasma Process도 사용할 수 있습니다. Showerhead와 기판 사이의 간격을 조절할 수 있어 공정 모듈 내부에서 기계적 간격 조정이 가능합니다. Gas Delivery System은 Bubbler, LDS 등의 공급 구성을 지원합니다. 최대 표시 온도는 웨이퍼 위치에서 500 ℃입니다. 표준 Precursor Canister 구성은 최대 4 Sets를 지원합니다. 압력은 Throttle Valve로 Automatic Control됩니다. Process Gauge는 10 Torr로 표시된 CDG Gauge입니다. Process Pump는 Dry Pump를 사용하며 Rotary Pump도 선택할 수 있습니다. Pumping Line에는 입자 감소를 위한 Hot Trap이 포함됩니다. 따라서 Atomic Premium 플랫폼은 4 ~ 12” 웨이퍼, 열식 및 선택 가능한 플라즈마 ALD 운전, 조절 가능한 Showerhead와 기판 간격, 구성 가능한 가스 공급, 자동 압력 제어를 결합합니다. 또한 웨이퍼 위치 최대 500 ℃, 최대 4조의 Precursor Canister, 10 Torr CDG Gauge, Dry Pump와 Rotary Pump 선택, 입자 감소용 Pumping Line Hot Trap을 운전 사양으로 제공합니다.
역량 및 제품
- ALD 장비 공급
- Thermal ALD 공정
- Plasma Enhanced ALD 공정
- 4~12인치 웨이퍼 ALD 시스템
- 웨이퍼 500℃ 대응 ALD 공정