基本資料
| 攤位 | R7312 |
| 國別 | KR |
| 網站 | www.cn-1.co.kr |
公司簡介
半導體、顯示與奈米技術等高科技領域的客戶持續需要設備與製程技術的研發。CN1 有限公司持續開發與創新 ALD 設備及製程技術，以回應半導體、顯示與奈米技術領域持續的研發需求。自 2008 年起，公司透過積極投入研發推進 Atomic Layer Deposition 業務。CN1 有限公司將自身定位為 Atomic Layer Deposition（ALD）設備的領先供應商。其設備設計與製程技術經過十年以上密集開發，並被描述為已充分驗證與完善。公司的 ALD 系統服務從事半導體與顯示產業的高科技組織。生物科技與先進能源組織也屬於使用 CN1 有限公司 ALD 系統、因應奈米技術應用與生產需求的產業。在韓國，CN1 有限公司的 ALD 系統廣泛使用於數百所大學、國家研究機構與企業。其 ALD 設備也使用於公司全球業務版圖所列國家的數百所一流大學、研究機構與公司。除韓國外，該版圖包括美國、日本、新加坡、台灣、俄羅斯與中國。CN1 有限公司表示，其已供應的 ALD 系統受到知名大學與企業認可。CN1 這個名稱源自「Can Be the Number One」。公司把成為全球可信賴企業的目標，連結到 ALD 技術的創新性以及持續成長為全球性公司的方向。
展出產品
CN1 有限公司的 ALD 產品範圍包括 Atomic Premium、Atomic Classic、Atomic Mega 與 Atomic Deka，也列有 Atomic Basic、Atomic Shell、Atomic Cluster，以及 Coating Solution 與其他項目。Atomic Premium 支援 Thermal & Plasma Enhanced ALD Process，同時涵蓋熱式與電漿增強 ALD 製程能力。Atomic Premium 的標準晶圓基板尺寸為 4 ~ 12”。系統支援 Thermal ALD Process，也可使用 Plasma Process。Showerhead 與基板之間的間距可調整，提供製程模組內的機械調整能力。Gas Delivery System 支援 Bubbler、LDS 等供氣配置。最高列示溫度為晶圓端 500 ℃。標準前驅物罐配置最多支援 4 Sets。壓力由 Throttle Valve 進行 Automatic Control。Process Gauge 為 CDG Gauge，列示為 10 Torr。Process Pump 採用 Dry Pump，也可選用 Rotary Pump。Pumping Line 配有 Hot Trap，用於降低粒子。整體配置因此在 Atomic Premium 平台中結合 4 ~ 12” 晶圓、熱式與可選電漿 ALD 操作、可調式 Showerhead 與基板間距、可配置供氣與自動壓力控制。列示操作規格還包含晶圓端最高 500 ℃、最多 4 組前驅物罐、10 Torr CDG Gauge、Dry Pump 與 Rotary Pump 選項，以及用於降低粒子的 Pumping Line Hot Trap。
能力與產品項目
- ALD設備供應
- Thermal ALD製程
- Plasma Enhanced ALD製程
- 4~12吋晶圓ALD系統
- 500℃晶圓ALD製程