기본 정보
| 부스 | I2400 |
| 국가 | KR |
| 웹사이트 | www.cmtx.co.kr |
회사 소개
CMTX Co., Ltd.는 2013년 1월 설립되어 사파이어 및 세라믹 부품의 제조와 래핑·폴리싱으로 사업을 시작했습니다. 반도체, 디스플레이, 방위 및 의료 산업 장비용 고기능 사파이어·세라믹 부품과 소재 전문 기업으로 성장했으며 산업용 사파이어 부품의 가공, 래핑, 폴리싱, 표면 마감 기술을 국내 최고 수준이라고 설명하고 지속적인 R&D로 bonding과 micro machining 등의 기술을 개발합니다. 설립 이후 반도체 장비용 고경도 정밀 부품 제조에 역량을 집중했고 설립 후 5년간 관련 분야에서 두드러진 성장을 이루었다고 설명합니다. 그 배경으로 임직원이 회사의 미래와 비전을 공유하고 고객과의 약속을 최우선으로 하며 경영진이 제품 품질 혁신과 신제품 개발을 위해 R&D에 적극 투자한 점을 제시합니다. 신소재와 부품 개발, 원가 절감과 수율 향상을 위한 제품 개발, 수출 다변화, 새로운 시장 창출, 사회적 책임 이행을 추진합니다. CMTX Co., Ltd.는 소재, 가공, 리사이클, R&D로 이어지는 전방위 가치사슬을 구축하고 Top Technology 핵심 기술 확보를 위해 R&D 투자에 집중한다고 설명합니다. 중국과 일본을 포함한 각국의 수출입 무역 규제 위험에 대비해 소재 자립화와 국산화를 추진하고 독자적인 Value Chain과 원천 기술 확보를 진행합니다. 전 사업장에 자동화 공정과 SMART FACTORY를 구축하며 Cleaning / Etching Auto Process, Manufacturing Execution System, Quality Management System, Enterprise Resource Planning을 운영하고 AI 공정 도입도 검토합니다. 사업장으로 천안 소재공장, C Campus(구미 1공장), M Campus(HEAD OFFICE, 구미 2공장), T Campus(HEAD OFFICE, 구미 3공장)를 제시합니다. 리사이클 사업은 국내외 Major Chip Maker와 공동개발하는 무한 재생 리사이클 사업으로 설명되며 환경 보호와 ESG를 실천합니다. 천안 소재 중앙연구소를 바탕으로 소재부터 가공 공정 개발과 리사이클까지 반도체 소재 부품을 연구하고 3차원 측정 장비, 비접촉 조도 측정기, 세정·에칭 자동화 설비, 공정 자동화 연구개발에 투자를 강화합니다.
전시 제품
CMTX Co., Ltd.는 실리콘, 세라믹, 쿼츠, 사파이어 등 반도체 핵심 소재를 기반으로 소재부터 부품까지 전 공정 일괄 생산체계를 갖춘 정밀 가공 전문 기업입니다. 반도체용 실리콘 파츠는 주로 Etching 공정의 Chamber 내 소모성 부품으로 사용되며 고성능·고미세 패터닝 공정으로 갈수록 사용 비중이 증가합니다. 높은 내열성과 내플라즈마성, 금속보다 낮은 공정 오염으로 plasma 및 화학 반응으로부터 장비 내부를 보호하고 오염 방지 역할을 한다고 설명합니다. CMTX Co., Ltd.는 자회사 셀릭에서 생산한 Si ingot을 안정적으로 공급받아 각종 Si 파츠를 한국과 세계 각국에 납품하며 단결정·다결정 실리콘을 모두 자체 생산해 고객 맞춤 대응과 품질·납기·기술 지원을 통합한 원스톱 솔루션을 제공합니다. 단결정과 다결정 실리콘의 물성은 각각 밀도 약2.329와 약2.32~2.33 g/cm³, 열전도도 약149와 약80~120 W/m·K, bandgap은 둘 다 약1.12 eV(300K, 다결정은 결정 결함이 많음), 비열은 둘 다 약700 J/kg·K, 열팽창계수 2.6 × 10⁻⁶ /K와 약2.5~2.7 × 10⁻⁶ /K, 전기 저항률은 둘 다10⁴~10⁶ Ω·cm, 기계적 강도는 단결정 약7000 MPa로 인장강도는 방향에 따라 다르고 다결정은 평균 약200~400 MPa로 제시됩니다. 실리콘 제품에는 Wafer Edge를 보호해 Wafer 수율을 지원하고 Chamber 내 가스 분포와 plasma 영역을 안정화하며 particle을 차단·감소시키는 Silicon C-Shroud Ring과 Silicon Outer Ring, plasma 발생과 Wafer 지지 및 균일한 plasma 분포에 쓰이는 Silicon Electrode, Convex 또는 Concave 구조로 전기장 분포나 plasma 밀도를 제어하는 Silicon Curved Electrode가 있습니다. Quartz 파츠는 고순도 SiO2 소모성 부품으로 내열성, 내식성, 내화학성이 있으며 고온·고청정 환경의 CVD, Diffusion, RTP, Wet Cleaning 공정 등에 사용됩니다. Quartz 물성은 SiO₂ ≥ 99.99%, 밀도2.2, 경도 약5.5–6.5, 인장강도 약48, 굴곡강도 약50–70, 열팽창계수5.5 × 10⁻⁷(20–1000°C), 열전도도1.3(25°C), 비열0.67(25°C), 연화점 약1665°C, 지속 사용 온도 약1100–1200°C, 유전율3.75(1 MHz), 전기 저항 > 10¹⁶(20°C), UV부터 IR 범위에1803500 nm 이상으로 기재된 광학 투과, HF를 제외한 산·염기·유기용제 내성으로 제시됩니다. Quartz 제품에는 Chamber 보호, 가스 흐름 제어, Chamber 벽 금속 부식 방지용 Quartz Ring, Chamber 내부 관찰과 광 투과용 Quartz Window, Chamber 내벽 보호와 라이닝용 Quartz Insert / Liner가 있습니다. Sapphire 파츠는 단결정 알루미나 Al₂O₃ 소모성 부품으로 내열성, 내식성, 내화학성이 있으며 plasma, 고온, 고전압 환경과 ETCH, CVD, RTP 등 반도체 공정에 사용됩니다. Sapphire 물성은 Al₂O₃ 합성 단결정, 삼방정계 hexagonal／rhombohedral R3c, 밀도 약3.98 g/cm³, Mohs 경도9, 인장강도 약300–400 MPa(25°C), 압축강도 약2.0–2.1 GPa, Young’s modulus 약345–400 GPa로 방향에 따라 다름, 열팽창계수 약5.3–7.5 × 10⁻⁶ /K의 방향 평균, 평균 열전도도35 W/m·K, 비열 약750 J/kg·K로 제시됩니다. Sapphire 제품에는 고온·고진공 환경에서 관찰 또는 광학 투명창으로 쓰이고 UV부터 IR까지 높은 투과율과 내스크래치성을 갖는 Sapphire Window, 고온가스 또는 화학약품 이송라인에서 내식성과 절연 특성을 제공해 plasma 공정에도 적합한 Sapphire Tube / Rod, 고온·고진공·plasma·화학 반응 환경에서 정밀 유체 제어·절연·지지 역할을 하는 Sapphire Sleeve / Tube / Shaft가 있습니다. Ceramic 소재는 산화물계, 질화물계, 탄화물계로 나뉘며 대표적으로 Al2O3, ZrO2, Y2O3, AlN, SiC가 있고 ETCH, CVD/ALN, RTP, IMPANT 등의 공정에 사용된다고 제시됩니다. Al₂O₃, SiC, Y₂O₃, ZrO₂ 순으로 밀도는3.9-4.0, 3.1-3.2, 약5.0, 5.6-6.1 g/cm³, Mohs 경도는9, 9-9.5, 5-6, 6-7, 열전도도는20-30, 120-270, 10-12, 2-3 W/m·K, 열팽창계수는7-8, 4-5, 약8, 10-11 ×10⁻⁶/K, 비열은0.88, 0.67, 0.3-0.5, 0.3-0.4 J/g·K, 최대 사용 온도는1700°C, 1600°C, 2400°C, 1200°C이며 표에는 각 소재의 전기절연성, 내화학성, 내마모성도 제시됩니다. Ceramic 파츠 표는 Al₂O₃를 절연 부품·Wafer 지지대, SiC를 Shower Head·Susceptor·Focus Ring·Heater Cover, Y₂O₃를 ESC 절연층·Liner, ZrO₂를 Valve·Nozzle·Shaft와 연결합니다. Ceramic 제품에는 CVD 공정에서 반응가스를 균일 분사하고 plasma 균형을 유지하며 금속 nozzle보다 particle과 부식 위험을 낮추는 Ceramic Nozzle, Wafer Edge 근처 막질 균일성과 절연 특성을 유지하고 plasma 균일성과 금속 보호를 함께 수행하는 Ceramic Ring, 일반 Si wafer보다 우수한 전기적·열적 특성을 가진 것으로 설명되는 SiC Wafer, 고내식성·고유전율·plasma resistance로 식각 균일도 유지와 plasma 보호 역할을 하는 Y2O3 Ring이 있습니다. One-Stop 공정은 셀릭 생산 ingot을 이용한 Si 소재 준비, Thickness·Diameter·평탄도를 위한 표면 가공, Hole·Angle·Slot 등의 형상 가공·드릴링, 3차원·비접촉 측정을 포함한 공정 측정, DoD 제거와 표면 처리를 위한 Etching, Roughness와 Fit／Chipping 제거를 위한 Polishing／Lapping, particle 제거를 위한 최종 세정, 최종 검사와 진공 포장까지 포함합니다.
역량 및 제품
- 단결정 및 다결정 실리콘 제조
- 반도체 부품용 실리콘 잉곳
- 실리콘 챔버 보호 링
- 실리콘 전극(곡면 전극 포함)
- 석영 링
- 석영 창
- 석영 라이너 및 인서트
- 사파이어 광학 창
- 사파이어 튜브
- 사파이어 봉 및 샤프트
- 사파이어 슬리브
- 세라믹 가스 노즐
- 세라믹 링(Y2O3 링 포함)
- SiC 웨이퍼
- 실리콘·세라믹·석영·사파이어 정밀 가공
- 사파이어 래핑·폴리싱·표면 마감
- 실리콘 부품 표면 연삭
- 실리콘 부품 형상 가공 및 드릴링
- 실리콘 부품 식각 및 표면 처리
- 실리콘 부품 래핑 및 폴리싱
- 실리콘 부품 파티클 세정
- 부품 3차원 및 비접촉 측정
- 소재 및 부품 재활용·재생
- 사파이어 접합
- 사파이어 미세 가공