基本資料
| 攤位 | I2400 |
| 國別 | KR |
| 網站 | www.cmtx.co.kr |
公司簡介
CMTX Co., Ltd. 成立於2013年1月，從藍寶石與陶瓷零件的製造及研磨／拋光起步。公司已發展為服務半導體、顯示器、國防與醫療產業機台的高功能藍寶石與陶瓷零件及材料專業企業；在工業用藍寶石零件方面，公司將其加工、研磨、拋光與表面處理技術描述為韓國頂尖水準，並指出透過持續研發發展接合與微細加工等技術。自成立以來，CMTX Co., Ltd. 專注於半導體設備用高硬度精密零件，並表示成立後五年間在相關領域取得顯著成長；公司將此歸因於員工共享公司未來與願景、把對客戶的承諾放在首位，以及管理層投入研發以推動產品品質創新與新產品開發。公司規劃開發新材料與零件、開發降低成本與提升良率的產品、拓展出口、創造新市場，並履行社會責任。CMTX Co., Ltd. 描述其已建立從材料、加工、回收再生到 R&D 的全方位價值鏈，並集中研發投資以取得 Top Technology 核心技術。為因應包括中國與日本在內各國進出口貿易管制風險，公司推動材料自立化與國產化，以取得自身價值鏈與源頭技術。各事業據點採用自動化製程與 SMART FACTORY 系統，包括 Cleaning / Etching 自動化、Manufacturing Execution System、Quality Management System 與 Enterprise Resource Planning，並評估導入 AI 製程。公司列有천안 소재공장、C Campus(구미 1공장)、M Campus(HEAD OFFICE, 구미 2공장)與 T Campus(HEAD OFFICE, 구미 3공장)。其回收再生事業被描述為與國內外 Major Chip Maker 客戶共同開發的無限再生回收業務，以實踐環境保護與 ESG。以 천안 소재 중앙연구소 為基礎，CMTX Co., Ltd. 針對半導體材料與零件，從材料到加工製程開發及回收再生進行深入研發，並加強投資三次元量測設備、非接觸式粗糙度量測、清洗／蝕刻自動化設備與製程自動化。
展出產品
CMTX Co., Ltd. 是精密加工專業企業，以矽、陶瓷、石英與藍寶石等半導體核心材料為基礎，建立從材料到零件的全製程一貫生產體系。半導體用矽零件主要作為 Etching 製程 Chamber 內的消耗性零件，隨高性能與高微細圖案製程發展，使用比重增加；其高耐熱性與耐電漿性，以及相較金屬較低的製程污染，被描述為可保護設備免受電漿與化學反應影響並防止污染。CMTX Co., Ltd. 由子公司 셀릭 穩定供應自製 Si ingot，將各類 Si 零件供應韓國與世界各國，並自製單晶與多晶矽，以提供客製化對應以及品質、交期與技術支援的一站式服務。單晶矽與多晶矽列出的物性依序為：密度約2.329與約2.32~2.33 g/cm³；熱傳導率約149與約80~120 W/m·K；bandgap 皆約1.12 eV（300K，多晶晶體缺陷較多）；比熱皆約700 J/kg·K；熱膨脹係數2.6 × 10⁻⁶ /K與約2.5~2.7 × 10⁻⁶ /K；電阻率皆為10⁴~10⁶ Ω·cm；機械強度方面單晶約7000 MPa且拉伸強度依方向而異，多晶平均約200~400 MPa。矽產品包括 Silicon C-Shroud Ring 與 Silicon Outer Ring，用於保護 Wafer Edge、支援 Wafer 良率、穩定 Chamber 內氣體分布與 plasma 區域並阻擋或減少 particle；Silicon Electrode 用於產生 plasma、支撐 Wafer 並引導均勻 plasma 分布；Silicon Curved Electrode 採 Convex 或 Concave 曲面結構，用於控制電場分布或 plasma 密度。Quartz 零件是高純度 SiO2 消耗性零件，具耐熱、耐蝕與耐化學性，適用高溫、高潔淨環境，包括 CVD、Diffusion、RTP 與 Wet Cleaning 製程。列出的 Quartz 物性為 SiO₂ ≥ 99.99%、密度2.2、硬度約5.5–6.5、拉伸強度約48、彎曲強度約50–70、熱膨脹係數5.5 × 10⁻⁷（20–1000°C）、熱傳導率1.3（25°C）、比熱0.67（25°C）、軟化點約1665°C、持續使用溫度約1100–1200°C、介電常數3.75（1 MHz）、電阻 > 10¹⁶（20°C）、光學透射範圍在 UV 至 IR 欄位列為1803500 nm 이상，並耐酸、鹼與有機溶劑但不含 HF。Quartz 產品包括 Quartz Ring，用於保護 Chamber、控制氣流並防止 Chamber 壁金屬腐蝕；Quartz Window，用於 Chamber 內部觀察與光學透射；Quartz Insert / Liner，用於保護並襯覆 Chamber 內壁。Sapphire 零件是單晶氧化鋁 Al₂O₃ 消耗性零件，具耐熱、耐蝕與耐化學性，適用 plasma、高溫與高電壓環境，並用於 ETCH、CVD、RTP 等半導體製程。列出的 Sapphire 物性為 Al₂O₃ 合成單晶、三方晶系 hexagonal／rhombohedral R3c、密度約3.98 g/cm³、Mohs 硬度9、拉伸強度約300–400 MPa（25°C）、壓縮強度約2.0–2.1 GPa、Young’s modulus 約345–400 GPa且依方向不同、熱膨脹係數約5.3–7.5 × 10⁻⁶ /K（方向平均值）、平均熱傳導率35 W/m·K、比熱約750 J/kg·K。Sapphire 產品包括 Sapphire Window，用於高溫、高真空環境的觀測或光學透明窗並具高 UV 至 IR 透射率與耐刮性；Sapphire Tube / Rod，用於高溫氣體或化學藥品輸送管線，具耐蝕與絕緣特性並適用 plasma 製程；Sapphire Sleeve / Tube / Shaft，在高溫、高真空、plasma 與化學反應環境中用於精密流體控制、絕緣與支撐。Ceramic 材料分為氧化物、氮化物與碳化物系統，代表材料包括 Al2O3、ZrO2、Y2O3、AlN、SiC，並列為可用於 ETCH、CVD/ALN、RTP、IMPANT 等製程。Al₂O₃、SiC、Y₂O₃、ZrO₂ 依序列出的密度為3.9-4.0、3.1-3.2、約5.0、5.6-6.1 g/cm³；Mohs 硬度為9、9-9.5、5-6、6-7；熱傳導率為20-30、120-270、10-12、2-3 W/m·K；熱膨脹係數為7-8、4-5、約8、10-11 ×10⁻⁶/K；比熱為0.88、0.67、0.3-0.5、0.3-0.4 J/g·K；最高使用溫度為1700°C、1600°C、2400°C、1200°C，表格也分別列出各材料的電氣絕緣性、耐化學性與耐磨性。Ceramic 零件表將 Al₂O₃ 對應至絕緣零件與 Wafer 支撐座，SiC 對應至 Shower Head、Susceptor、Focus Ring、Heater Cover，Y₂O₃ 對應至 ESC 絕緣層與 Liner，ZrO₂ 對應至 Valve、Nozzle、Shaft。Ceramic 產品包括 Ceramic Nozzle，用於 CVD 製程均勻噴灑反應氣體與維持 plasma 平衡，相較金屬 nozzle 可降低 particle 與腐蝕風險；Ceramic Ring 用於維持 Wafer Edge 附近膜質均勻性與絕緣特性，同時維持 plasma 均勻性並保護金屬；SiC Wafer 的電氣與熱特性被描述為優於一般 Si wafer；Y2O3 Ring 具高耐蝕、高介電常數與 plasma resistance，用於維持蝕刻均勻度並提供 plasma 保護。One-Stop 製程涵蓋由 셀릭 生產 ingot 的 Si 材料準備、控制 Thickness／Diameter／平坦度的表面研磨、Hole／Angle／Slot 等形狀加工與鑽孔、包含三次元與非接觸式量測的製程測量、用於 DoD 去除與表面處理的 Etching、用於 Roughness 與 Fit／Chipping 去除的 Polishing／Lapping、去除 particle 的最終清洗，以及最終檢查與真空包裝。
能力與產品項目
- 單晶與多晶矽製造
- 半導體零組件用矽錠
- 矽腔體保護環
- 矽電極（含曲面電極）
- 石英環
- 石英視窗
- 石英內襯與嵌件
- 藍寶石光學視窗
- 藍寶石管
- 藍寶石棒與軸
- 藍寶石套筒
- 陶瓷氣體噴嘴
- 陶瓷環（含 Y2O3 環）
- SiC 晶圓
- 矽、陶瓷、石英與藍寶石精密加工
- 藍寶石研磨、拋光與表面精整
- 矽零組件表面研磨
- 矽零組件形狀加工與鑽孔
- 矽零組件蝕刻與表面處理
- 矽零組件研磨與拋光
- 矽零組件粒子清洗
- 零組件三次元與非接觸量測
- 材料零組件回收再生
- 藍寶石接合
- 藍寶石微加工