CMTX Co., Ltd.

SEMICON Taiwan 2026 出展社 · ブース I2400

ブース I2400国 KR製品トピック 18 件
開催情報

基本情報

ブースI2400
国KR
ウェブサイトwww.cmtx.co.kr
出展社情報

会社概要

CMTX Co., Ltd.は2013年1月に設立され、サファイアおよびセラミック部品の製造とラッピング・研磨から事業を開始しました。半導体、ディスプレイ、防衛、医療産業の装置向け高機能サファイア・セラミック部品および材料の専門企業へ成長し、産業用サファイア部品では加工、ラッピング、研磨、表面仕上げ技術を韓国トップレベルと説明し、継続的なR&Dによりbonding、micro machiningなどの技術を開発しています。設立以来、半導体装置向け高硬度精密部品に注力し、設立後5年間で関連分野において顕著な成長を遂げたとしています。その背景として、社員が会社の将来とビジョンを共有し顧客との約束を最優先すること、経営陣が製品品質革新と新製品開発のためR&Dへ積極投資することを挙げています。新材料・部品の開発、コスト削減と歩留まり向上のための製品開発、輸出の多様化、新市場の創出、社会的責任の遂行を進める方針です。CMTX Co., Ltd.は材料、加工、リサイクル、R&Dまでの全方位バリューチェーンを構築し、Top Technologyの中核技術確保に向けR&D投資を集中していると説明しています。中国や日本を含む各国の輸出入貿易規制リスクに備え、材料の自立化・国産化を推進し、独自のValue Chainと源泉技術の確保を進めています。各事業所では自動化工程とSMART FACTORYを構築し、Cleaning / Etching Auto Process、Manufacturing Execution System、Quality Management System、Enterprise Resource Planningを導入し、AI工程の導入も検討しています。拠点として천안 소재공장、C Campus(구미 1공장)、M Campus(HEAD OFFICE, 구미 2공장)、T Campus(HEAD OFFICE, 구미 3공장)を挙げています。リサイクル事業は国内外のMajor Chip Makerとの共同開発による無限再生リサイクルとして説明され、環境保護とESGに取り組んでいます。천안 소재 중앙연구소を基盤に、材料から加工工程開発、リサイクルまで半導体材料・部品を研究し、三次元測定装置、非接触粗さ測定器、洗浄・エッチング自動化設備、工程自動化への研究開発投資を強化しています。

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展示製品

CMTX Co., Ltd.はシリコン、セラミック、石英、サファイアなどの半導体中核材料を基盤に、材料から部品までの全工程一貫生産体制を持つ精密加工専門企業です。半導体用シリコン部品は主にEtching工程のChamber内消耗部品として使われ、高性能・微細パターニング工程ほど使用比率が高まっています。高い耐熱性・耐プラズマ性と金属より少ない工程汚染により、plasmaや化学反応から装置内部を保護し汚染防止に寄与すると説明されています。CMTX Co., Ltd.は子会社셀릭が生産するSi ingotの安定供給を受け、各種Si部品を韓国および世界各国へ供給し、単結晶・多結晶シリコンをともに自社生産して、顧客別対応と品質・納期・技術支援を統合したワンストップソリューションを提供します。単結晶と多結晶シリコンの物性として、密度は約2.329と約2.32~2.33 g/cm³、熱伝導率は約149と約80~120 W/m·K、bandgapは双方約1.12 eV(300K、多結晶は結晶欠陥が多い)、比熱は双方約700 J/kg·K、熱膨張係数は2.6 × 10⁻⁶ /Kと約2.5~2.7 × 10⁻⁶ /K、電気抵抗率は双方10⁴~10⁶ Ω·cm、機械強度は単結晶が約7000 MPaで引張強度は方向依存、多結晶は平均約200~400 MPaと記載されています。シリコン製品には、Wafer Edgeを保護してWafer歩留まりを支え、Chamber内のガス分布とplasma領域を安定化しparticleを遮断・低減するSilicon C-Shroud RingとSilicon Outer Ring、plasma発生・Wafer支持・均一なplasma分布に用いるSilicon Electrode、ConvexまたはConcave構造で電界分布やplasma密度を制御するSilicon Curved Electrodeがあります。Quartz部品は高純度SiO2の消耗部品で、耐熱性、耐食性、耐薬品性を持ち、高温・高清浄環境のCVD、Diffusion、RTP、Wet Cleaning工程などで使用されます。Quartzの物性はSiO₂ ≥ 99.99%、密度2.2、硬度約5.5–6.5、引張強度約48、曲げ強度約50–70、熱膨張係数5.5 × 10⁻⁷(20–1000°C)、熱伝導率1.3(25°C)、比熱0.67(25°C)、軟化点約1665°C、連続使用温度約1100–1200°C、誘電率3.75(1 MHz)、電気抵抗 > 10¹⁶(20°C)、UVからIRの欄に1803500 nm 이상と記載された光学透過、HFを除く酸・アルカリ・有機溶剤への耐性と記載されています。Quartz製品にはChamber保護、ガス流制御、Chamber壁の金属腐食防止を担うQuartz Ring、Chamber内部観察と光透過に用いるQuartz Window、Chamber内壁を保護・ライニングするQuartz Insert / Linerがあります。Sapphire部品は単結晶アルミナAl₂O₃の消耗部品で、耐熱性、耐食性、耐薬品性を持ち、plasma、高温、高電圧環境およびETCH、CVD、RTPなどの半導体工程で使用されます。Sapphireの物性はAl₂O₃合成単結晶、三方晶系hexagonal/rhombohedral R3c、密度約3.98 g/cm³、Mohs硬度9、引張強度約300–400 MPa(25°C)、圧縮強度約2.0–2.1 GPa、Young’s modulus約345–400 GPaで方向依存、熱膨張係数約5.3–7.5 × 10⁻⁶ /Kの方向平均、平均熱伝導率35 W/m·K、比熱約750 J/kg·Kと記載されています。Sapphire製品には高温・高真空環境の観察・光学透明窓でUVからIRの高透過率と耐スクラッチ性を持つSapphire Window、高温ガスや薬液移送ラインで耐食性と絶縁性を持ちplasma工程にも適するSapphire Tube / Rod、高温・高真空・plasma・化学反応環境で精密流体制御、絶縁、支持を担うSapphire Sleeve / Tube / Shaftがあります。Ceramic材料は酸化物系、窒化物系、炭化物系に大別され、代表材料としてAl2O3、ZrO2、Y2O3、AlN、SiCがあり、ETCH、CVD/ALN、RTP、IMPANTなどの工程に使用されると記載されています。Al₂O₃、SiC、Y₂O₃、ZrO₂の順に、密度は3.9-4.0、3.1-3.2、約5.0、5.6-6.1 g/cm³、Mohs硬度は9、9-9.5、5-6、6-7、熱伝導率は20-30、120-270、10-12、2-3 W/m·K、熱膨張係数は7-8、4-5、約8、10-11 ×10⁻⁶/K、比熱は0.88、0.67、0.3-0.5、0.3-0.4 J/g·K、最大使用温度は1700°C、1600°C、2400°C、1200°Cとされ、表には各材料の電気絶縁性、耐薬品性、耐摩耗性も記載されています。Ceramic部品表ではAl₂O₃を絶縁部品・Wafer支持台、SiCをShower Head・Susceptor・Focus Ring・Heater Cover、Y₂O₃をESC絶縁層・Liner、ZrO₂をValve・Nozzle・Shaftに対応させています。Ceramic製品には、CVD工程で反応ガスを均一に噴射しplasmaバランスを維持し、金属nozzleよりparticleと腐食リスクを低減するCeramic Nozzle、Wafer Edge付近の膜質均一性と絶縁性を保ちplasma均一性と金属保護を担うCeramic Ring、一般Si waferより優れた電気・熱特性を持つと説明されるSiC Wafer、高耐食性・高誘電率・plasma resistanceでエッチング均一性とplasma保護を担うY2O3 Ringがあります。One-Stop工程は、셀릭製ingotによるSi材料準備、Thickness・Diameter・平坦度のための表面研削、Hole・Angle・Slotなどの形状加工・穴あけ、三次元・非接触測定を含む工程測定、DoD除去・表面処理のEtching、RoughnessとFit/Chipping除去のPolishing/Lapping、particle除去の最終洗浄、最終検査と真空包装までを含みます。

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