基本情報
| ブース | N1076 |
| 国 | TW |
| ウェブサイト | www.cmi-tw.com.tw |
会社概要
Cheng Mei Instrument Technology Co., Ltd. は 1995 年に設立され、表面検査と 3D 計測のための製造自動化システムを開発しています。光学、メトロロジー、ソフトウェア、オートメーションを組み合わせ、化合物半導体、半導体、microLED、mmLED、LED、先端パッケージングなどの精密製造における検査・計測に対応します。複雑なウェハおよびダイの欠陥と特徴を対象とし、光学性能、信頼性、WPH 処理要件を踏まえた表面検査装置を開発しています。研究開発人員は従業員の半数を超え、光学検査、計測、画像解析、オートメーション機能の自社開発を支えています。開発範囲はシステムインテグレーションと高度な検査・計測の双方を含み、先端半導体パッケージングから microLED、化合物半導体製造へ広がっています。光学、ソフトウェア、オートメーション技術を基盤として、台湾市場と海外市場の検査・計測需要に対応しています。先端パッケージングでは、高速欠陥検出だけでなく、柔軟なハンドリング、反りと熱応力の計測、完全なデータ収集、AI 支援解析が高密度化するデバイス統合に必要だとしています。半導体向けの技術領域は、光学検査、2D/3D 計測、欠陥レビュー、統計解析、AI 画像解析、装置自動化、データ管理までを含み、ウェハ、ダイ、パッケージ、パネル、光学部品の工程を横断します。
展示製品
Argus は高精度 interposer RDL 検査向けで、多層構造や材料差による画像干渉を抑える光学設計とアルゴリズムを使用します。Fan-out と RDL では明視野、暗視野、TLI の各光学モードを用いて、オープン、ショート、線幅異常、粒子などを検出し、多層 RDL の透過検査や誘電体層内部の隠れ欠陥にも対応します。FVI ははんだボールとパッケージエッジの状態を検査します。Argus では microbump 3D、蛍光検査、膜厚測定、装置差管理を選択でき、8 インチ、12 インチウェハと最大 310 x 310 mm パネル、ウェハ厚 400 から 2500 micrometers をサポートします。記載された欠陥感度は 0.7 micrometers、RDL L/S は 2 micrometers / 2 micrometers、大型チップは最大 280 mm です。Phantom は FOPLP、CoPoS、Chiplet 関連の大面積パネル RDL 検査を対象とし、パネル検査と 3D bump 計測を組み合わせ、microbump 3D と蛍光検査を選択できます。510 x 515 mm、600 x 600 mm、700 x 700 mm のパネル、厚さ 400 から 4000 micrometers、10 mm 未満の高反りに対応し、多照明条件で多層 RDL を検査します。Buffalo はダイシング後の光学検査で、クラック、チッピング、粒子汚染を高速・高感度に確認します。OptiCore はシリコンフォトニクス光学部品の寸法計測と III-V 半導体の多層膜厚測定を行い、CPO などでは optical CD、III-V 膜厚、光学構造欠陥を対象とします。製品群は CoWoS、Panel-Level、CoPoS、microLED などの先端工程に対応します。LUNA ソフトウェア群には MERCURY、VENUS、MARS があります。MERCURY は KLA、SINF、TSK、カスタムレポートを読み込み・比較し、defect-level と die-level のレビュー、Golden Die や CAD を用いたルール処理を行います。VENUS は統計、トレンド、歩留まり、IQM、欠陥分布を解析します。MARS は bump 高さ、直径、共平面度、die / wafer 反りを計測し、標準 CMIt データ、統計、レポートを工程監視に利用します。MOON は 2D/3D 検査と計測を提供し、ACME AI の RADON は検査・分類 AI、NEON は解析 AI を担います。NOVA 自動化環境には EFEM、STELLAR bridge、LUMIN が含まれ、装置間のパラメータアップロード・ダウンロード、サーバー管理、バージョン管理にも対応します。2.5D/3D IC パッケージでは、高速検査、柔軟なハンドリング、反りと熱応力計測、完全な工程データ、AI 解析を組み合わせ、HPC、AI、HBM、シリコンフォトニクス統合の要求に対応します。microEagleEye と microPlayLight は microLED の 2D 検査・計測で欠損、回転、位置ずれを検出し、4 インチと 6 インチの COW/COC、両面反転、ウェハ全面の die shift / rotation map をサポートします。R-LED、GB-LED 用蛍光検査と edge-contact 自動化も選択できます。全体として、先端光学、モジュール型ソフトウェア、AI 画像解析を、サブミクロン RDL、大型パネル、ダイシング後部品、フォトニック構造、microLED 配列の検査・計測に統合します。
対応領域・製品
- 線幅・線間2 µm／2 µmの多層インターポーザーRDL欠陥検査
- 最大700×700 mm大型パネルRDL検査
- マイクロバンプ3D測定モジュール（オプション）
- 蛍光イメージング検査モジュール（オプション）
- チップダイシング後の光学欠陥検査
- シリコンフォトニクス用光学部品の寸法測定
- III-V族半導体多層薄膜の膜厚測定
- チップ反り・熱応力影響の測定
- ファンアウトパッケージRDLの透過・隠れ欠陥検査
- パッケージ最終外観FVI検査
- µLEDの欠落・位置ずれ・回転の2D検査・測定
- µLED両面検査（反転モジュールはオプション）
- R-LED／GB-LED用蛍光検査モジュール（オプション）
- エッジ接触式ウェハ自動搬送（オプション）
- 半導体2D／3D検査・測定ソフトウェア
- 半導体欠陥向けAIモデル開発プラットフォーム
- AI欠陥分類・モデル最適化
- 半導体AIデータ分析
- 欠陥レビュー・条件付き再検証ソフトウェア
- Golden Die／CAD参照ダイ画像による欠陥照合
- 異種検査レポート照合（KLA、SINF、TSK）
- ウェハテスト・パッケージ工程の歩留まり・傾向分析
- 複数ロットの欠陥分布・ホットスポット分析
- バンプ高さ・直径・共面性の3Dデータ解析
- ダイ・ウェハ反り測定データ解析
- EFEM統合・ウェハ搬送自動化ソフトウェア
- 装置間の検査・測定パラメーター同期とバージョン管理
- 化合物半導体表面検査装置
- 化合物半導体用3D測定装置