기본 정보
| 부스 | T9404 |
| 국가 | SE |
| 웹사이트 | www.alixlabs.com |
회사 소개
AlixLabs는 2019년에 설립되어 스웨덴 룬드에 기반을 둔 반도체 장비 기업으로 Atomic Layer Etching(ALE)과 Atomic Pitch Splitting(APS™) 기술에 주력합니다. 회사는 세계 유일의 pure-play ALE 기업이라고 소개하며 옹스트롬(Å) 시대의 반도체 생산을 더 접근 가능하고 지속 가능하며 경제적으로 만드는 것을 사명으로 제시합니다. 정규직 팀은 12명으로 구성되며 추가로 15명의 반도체 업계 중량급 인사가 글로벌 활동을 지원하고, 회사는 10건의 특허를 제시합니다. 반도체 산업 경험이 풍부한 전문가들로 자문 이사회를 운영하고 Navigare Ventures, Industrifonden, FORWARD.One과 연결된 투자자 대표를 소개합니다. 또한 LU Ventures, I Love Lund, Polynom Investment, Almi Invest의 지원을 밝히며 LU Ventures는 핵심 인프라 지원을 제공한다고 설명합니다. APS™는 특허 연구에서 상용화 지향 반도체 장비 플랫폼으로 발전해 패터닝 복잡도를 줄이고 임계치수 제어를 개선하며 첨단 로직과 메모리의 지속적인 미세화를 지원합니다. 300 mm UMC 웨이퍼와 Intel FinFET 테스트 실리콘 등 산업 관련 실리콘에서 시연되었고, 300 mm 웨이퍼와 Intel FinFET 테스트 구조에서 half-pitch를 25 nm에서 12.5 nm로 줄였습니다. 2026년에는 VDL ETG Projects와의 협력을 통해 APS™ 산업화를 진전시키고 첫 상용 APS™ 시스템 Sax Forma를 출시하여 기술 검증에서 고객 참여, 공정 통합, 첨단 제조 플로우 배치로 전환했습니다. IC Taiwan Grand Challenge Smart Manufacturing 부문을 수상했으며 대만 반도체 생태계와 협력해 더 비용 효율적인 스케일링을 추진합니다, Sax Forma는 customer engagement, process integration, advanced manufacturing flows deployment를 지원하는 첫 commercially available APS™ system으로 제시됩니다.
전시 제품
AlixLabs는 Atomic Pitch Splitting을 Extreme 형태의 Atomic Layer Etching으로 기존 나노선 패턴의 피치를 분할하는 건식 식각 공정으로 소개합니다. 플라즈마 기반 순환 건식 식각은 나노 구조의 측벽을 지형 마스크로 활용하며 실리콘, 유전체, 갈륨인화물 같은 소재에서 임계치수 10 nm 미만의 미세 구조를 형성할 수 있다고 설명합니다. APS™는 DUV, EUV, Self-Aligned Double Patterning, Self-Aligned Quadruple Patterning을 포함한 기존 리소그래피 및 식각 플로우를 보완하면서 여러 복잡한 리소그래피 단계에 대한 의존을 줄입니다. 회사는 APS™가 공정 단계를 줄이고 처리량을 높이며 자본 투자, 에너지 소비, 첨단 반도체 생산의 환경 영향을 낮출 수 있다고 밝힙니다. 첨단 로직 생산에서는 전력과 물 소비 및 배출을 크게 줄일 수 있다고 설명합니다. 공정은 기존 생산 워크플로에 들어가도록 설계되며 300 mm 로직 및 DRAM 실리콘 웨이퍼의 FinFET과 GAAFET nanowire 구조에 대응합니다. 또한 150 mm와 200 mm의 GaN, SiC 전력전자 웨이퍼에도 적용됩니다. Sax Forma APS™ chamber는 beta 단계에서 양산 설계를 마무리하고 있으며 룬드 본사에서 데모를 진행하고 룬드, Eindhoven, Dresden 팀이 양산 gamma 설계를 개발합니다. Sax Forma는 첫 상용 APS™ 시스템으로 고객 참여, 공정 통합, 산업 배치를 지원합니다. ALE Pattern Shaping은 불필요한 소재를 선택적으로 제거하고 표면 결함과 거칠기, line-edge roughness를 줄여 10 nm 미만 구조의 과제를 다룹니다. Extreme ALE는 순차적 자기 제한 화학 반응으로 원자층을 한 층씩 제거해 기저 소재를 손상시키지 않고 오염이나 표면 결함을 선택적으로 제거합니다. EUV 관련 공정에서는 제어된 이방성 식각으로 측벽을 매끄럽게 하고 line-edge roughness를 줄여 결함 감소, 수율 향상, 성능 개선을 지원합니다. ALE Surface Smoothening은 GaN과 SiC의 표면 품질을 개선하기 위해 자기 제한 화학과 플라즈마 생성 이온 충격으로 원자 수준에서 소재를 제거합니다. 고출력 및 고온 응용의 GaN, SiC 트랜지스터에서 저항 손실 감소, 열 관리 개선, 일관된 성능을 제공한다고 설명합니다. 적용 사례에는 전력 변환기, 전기차, 통신 인프라, RF 통신 시스템이 포함되며 더 높은 전압과 온도에서 효율과 신뢰성을 요구하는 전력전자 환경을 대상으로 합니다.
역량 및 제품
- APS 원자 피치 분할 기술
- 건식 식각 피치 분할
- ALE 패턴 셰이핑
- GaN 및 SiC용 ALE 표면 평활화