基本資料
| 攤位 | T9404 |
| 國別 | SE |
| 網站 | www.alixlabs.com |
公司簡介
AlixLabs 是一家 2019 年成立、總部位於瑞典隆德的半導體設備公司，聚焦原子層蝕刻（Atomic Layer Etching，ALE）與其 Atomic Pitch Splitting（APS™）技術。公司自述為全球唯一專注 ALE 的 pure-play 公司，使命是讓埃米（Å）時代的半導體生產更容易取得、更永續且更可負擔。AlixLabs 的全職團隊由 12 名員工組成，另有 15 名半導體產業資深人士支援其全球工作，公司並列出 10 項專利。公司設有由具半導體產業經驗人士組成的顧問董事會，並列出與 Navigare Ventures、Industrifonden、FORWARD.One 有關的投資人代表。AlixLabs 也列出 LU Ventures、I Love Lund、Polynom Investment 與 Almi Invest 等支持組織，其中 LU Ventures 被描述為提供重要的基礎設施支援。APS™ 從專利研究發展為面向商業化的半導體設備平台，目標是藉由降低圖形化複雜度、改善臨界尺寸控制，支援先進邏輯與記憶體元件持續微縮。AlixLabs 已在產業相關矽片上展示 APS™，包括 300 mm UMC 晶圓與 Intel FinFET 測試矽，並在 300 mm 晶圓與 Intel FinFET 測試結構上將 half-pitch 從 25 nm 降至 12.5 nm。2026 年，公司透過與 VDL ETG Projects 的合作推進 APS™ 產業化，並推出首套可商用 APS™ 系統 Sax Forma，代表技術從驗證走向客戶導入、製程整合與先進製造流程部署。AlixLabs 並獲得 IC Taiwan Grand Challenge Smart Manufacturing 類別獎項，持續與台灣半導體生態系互動，推動更具成本效益的微縮。
展出產品
AlixLabs 將 Atomic Pitch Splitting 描述為一種乾式蝕刻製程，透過極端形式的 Atomic Layer Etching 將既有奈米線圖形的節距分割。此電漿循環乾式蝕刻方法利用奈米特徵側壁作為地形遮罩，可在矽、介電材料與磷化鎵等材料上形成臨界尺寸低於 10 nm 的精細特徵。APS™ 可補充既有微影與蝕刻流程，包括 DUV、EUV 微影以及 Self-Aligned Double Patterning 與 Self-Aligned Quadruple Patterning，並降低對多重複雜微影步驟的依賴。公司表示 APS™ 可減少製程步驟並提高產能，同時降低資本投入、能源消耗與先進半導體生產的整體環境影響。在先進邏輯生產中，AlixLabs 表示 APS™ 可大幅降低電力與用水消耗，並減少排放。公司的製程設計可嵌入既有生產流程，對應 300 mm 邏輯與 DRAM 矽晶圓，包括 FinFET 與 GAAFET nanowire 結構。同一製程亦可用於 150 mm 與 200 mm 的功率電子晶圓，材料包括氮化鎵與碳化矽。Sax Forma APS™ chamber 處於 beta 階段，量產設計正在定案；展示在隆德總部進行，隆德、Eindhoven 與 Dresden 團隊共同開發量產 gamma 設計。Sax Forma 也被列為公司首套可商用 APS™ 系統，用於支援客戶導入、製程整合與產業部署，同時降低圖形化複雜度。除了節距分割，AlixLabs 的 ALE Pattern Shaping 可選擇性移除不需要的材料、處理表面缺陷、降低表面粗糙度並改善 line-edge roughness，特別對應低於 10 nm 的特徵尺寸。Extreme ALE 透過連續、自限性的化學反應逐原子層移除材料，可控制表面與邊緣平滑，並在不傷害底層材料的情況下選擇性移除污染物或表面缺陷。在 EUV 相關製程中，Pattern Shaping 透過受控非等向性蝕刻平滑特徵側壁並降低 line-edge roughness，以支援較低缺陷率、較高良率與更佳元件效能。ALE Surface Smoothening 則用於改善 GaN 與 SiC 表面品質，透過自限化學反應與電漿產生的離子轟擊，以原子尺度移除材料。公司將此表面平滑能力連結到高功率、高溫應用中的 GaN 與 SiC 電晶體，包括功率電子與 RF 元件，並描述可降低電阻損耗、改善熱管理及提升效能一致性。應用例包括電力轉換器、電動車、電信基礎設施與 RF 通訊系統，這些應用要求 GaN 與 SiC 元件具有效率、可靠性以及較高電壓與溫度下的運作能力。
能力與產品項目
- APS原子節距分割技術
- 乾式蝕刻節距分割
- ALE圖形整形
- GaN與SiC ALE表面平滑