基本情報
| ブース | T9404 |
| 国 | SE |
| ウェブサイト | www.alixlabs.com |
会社概要
AlixLabsは2019年設立、スウェーデン・ルンドに拠点を置く半導体装置企業で、Atomic Layer Etching（ALE）とAtomic Pitch Splitting（APS™）に注力しています。同社は世界で唯一のpure-play ALE企業と説明し、オングストローム（Å）時代の半導体生産をより利用しやすく、持続可能で、手頃なものにすることを使命としています。フルタイムチームは12名で、さらに15名の半導体業界の有力人材がグローバル活動を支援し、10件の特許を掲げています。半導体業界の経験豊富な専門家によるアドバイザリーボードを設け、Navigare Ventures、Industrifonden、FORWARD.Oneに関連する投資家代表を挙げています。支援組織としてLU Ventures、I Love Lund、Polynom Investment、Almi Investも示し、LU Venturesは重要なインフラ支援を提供すると説明されています。APS™は特許研究から商用志向の半導体装置プラットフォームへ発展し、パターニング複雑性の低減、クリティカルディメンション制御の改善、先端ロジック・メモリの継続的な微細化を支援します。300 mm UMCウェハやIntel FinFETテストシリコンなど産業関連シリコンで実証され、300 mmウェハとIntel FinFETテスト構造ではhalf-pitchを25 nmから12.5 nmへ縮小しました。2026年にはVDL ETG Projectsとの協業でAPS™の産業化を進め、初の商用APS™システムSax Formaを投入し、技術検証から顧客導入、プロセス統合、先端製造フローへの展開へ移行しました。IC Taiwan Grand ChallengeのSmart Manufacturing部門を受賞し、台湾の半導体エコシステムと連携して、よりコスト効率の高いスケーリングを目指しています、Sax Formaはcustomer engagement、process integration、advanced manufacturing flowsへのdeploymentを支える最初のcommercially available APS™ systemとして位置付けられています。
展示製品
AlixLabsはAtomic Pitch Splittingを、ExtremeなAtomic Layer Etchingにより既存のナノスケール線パターンのピッチを分割するドライエッチングプロセスとして示しています。プラズマを用いた周期的ドライエッチングでナノ構造の側壁をトポグラフィカルマスクとして利用し、シリコン、誘電体、リン化ガリウムなどで10 nm未満のクリティカルディメンションを持つ微細構造を形成します。APS™はDUV、EUV、Self-Aligned Double Patterning、Self-Aligned Quadruple Patterningなど既存のリソグラフィ・エッチングフローを補完し、複数の複雑なリソグラフィ工程への依存を減らします。工程数削減とスループット向上に加え、設備投資、エネルギー消費、先端半導体製造の環境負荷低減を掲げています。先端ロジック生産では電力と水の消費、排出量を大幅に減らせるとしています。既存生産フローへ組み込めるよう設計され、300 mmロジック・DRAMシリコンウェハのFinFETやGAAFET nanowireに対応します。150 mm、200 mmのGaN・SiCパワーエレクトロニクスウェハにも適用されます。Sax Forma APS™ chamberはbeta段階で量産設計を確定中で、ルンド本社でデモを行い、ルンド、Eindhoven、Dresdenのチームが量産gamma設計に取り組んでいます。Sax Formaは初の商用APS™システムでもあり、顧客導入、プロセス統合、産業展開を支援します。ALE Pattern Shapingは不要材料を選択的に除去し、表面欠陥、表面粗さ、line-edge roughnessを改善し、10 nm未満の微細化課題に対応します。Extreme ALEは逐次的で自己制限的な化学反応により原子層を一層ずつ除去し、下地を損傷せずに汚染物や表面欠陥を選択的に除去できます。EUV関連では制御された異方性エッチングで側壁を平滑化し、line-edge roughnessを減らして欠陥低減、歩留まり向上、性能改善を支えます。ALE Surface SmootheningはGaNとSiCの表面品質を改善し、自己制限反応とプラズマ生成イオン衝撃で原子スケールの材料除去を行います。高出力・高温用途のGaN、SiCトランジスタに対し、抵抗損失低減、熱管理改善、性能の一貫性向上を掲げています。用途には電力変換器、電気自動車、通信インフラ、RF通信システムが含まれ、高電圧・高温動作を必要とする次世代パワーエレクトロニクスへ対応します。
対応領域・製品
- APS原子ピッチ分割技術
- ドライエッチングによるピッチ分割
- ALEパターンシェーピング
- GaN・SiC向けALE表面平滑化