AGC Inc.

SEMICON Taiwan 2026 參展廠商 · 攤位 P5912

攤位 P5912國別 JP15 個產品主題
展會資訊

基本資料

攤位P5912
國別JP
網站www.agc-electronics.com.tw
展商資料

公司簡介

AGC Inc. 將玻璃、化學與陶瓷事業中培育的技術應用於電子材料事業,包括材料設計、加工、表面處理與成形技術,以服務先進電子領域。AGC集團在日本、亞洲、歐洲與美洲建立全球事業基礎,結合Glass、Electronics、Chemicals、Ceramics等事業、先進生產技術與廣泛客戶基礎,相關能力累積超過110年。集團使命是透過多元材料與生產技術開發獨特材料及解決方案,與客戶建立長期信任關係,持續成為客戶優先選擇的解決方案供應者。集團精神「Never take the easy way out, but confront difficulties.」追溯至創辦人於1907年創業時的理念,並被描述為延續至今的事業推動力。AGC Inc. 的台灣電子業務於2007年在新竹以半導體相關材料銷售據點起步,隸屬AGC集團Advanced Materials Division。該業務主要經營CMP研磨液、SiC材料與化學相關產品,並以集團面對困難的座右銘為基礎,持續發展能為客戶創造價值的事業。

展商資料

展出產品

在半導體CMP領域,AGC Inc. 從研磨粉體生產到研磨液提供一體化製造與製程解決方案,透過平坦化與選擇性控制技術,處理poly-Si、SiO2、SiN、各種金屬與樹脂,對應半導體前段、後段與封裝製程。相關能力包括研磨粉設計與製造、玻璃研磨技術、各種化學液體的設計製造與分析、研磨性能驗證,以及CES-300 Series/330F Series的STI與ILD用氧化鈰研磨液。ROICERAM™-HS碳化矽具高純度、高強度、低熱膨脹、耐酸與耐熱特性,公司並表示在半導體高溫製程爐用零件供應方面已有30年以上實績。應用包括Si與SiC功率元件相關半導體設備、高溫氧化/擴散爐、LPCVD爐、LED用MOCVD設備、太陽能電池高溫擴散爐、精密光學構造件與航太用途。U grade物性列有體積密度3.0×103 kg/㎥、抗彎強度230 MPa、Young's Modulus 366 GPa、熱膨脹係數4.4×10-6/℃、熱傳導率180 W/(m・K)、比熱0.7×103 J/(kg・K),以及20℃體積電阻率1×10-1 Ω・cm。Synthetic Fused Silica Glass AQ series源自AGC長期在精密玻璃、精密化學與精密陶瓷的研發經驗,採VAD法製造以降低Si-OH含量,定位為高純度、高品質、高機能合成石英。AQ系列從i-line、KrF、ArF與Xe準分子光源等200 nm以下深紫外線到近紅外線均具高穿透率,並具良好的Compaction/Rarefaction與Polarization Induced Birefringence特性、約1000℃耐熱性及高能量雷射耐久性。其他特性包含低至一般玻璃約1/10的熱膨脹、高均質性、超高純度、低金屬雜質、低OH基、高耐化性與低介電損耗。應用包括半導體與面板曝光設備鏡片、光罩基板、其他光學元件及玻璃晶圓;列示物性包含100 wt% SiO2、50至200℃時CTE 0.6 ppm/K、軟化點1600℃、退火點1120℃、應變點1060℃與折射率nD 1.46。半導體封裝方面提供晶圓與面板形式的玻璃載板,用於wafer level packaging與panel level packaging,可支援φ300 mm等晶圓及約500 mm方形等面板,並對應高平坦、高平滑、notch、ID標記、序號及接觸/非接觸封裝需求。Through Glass Via可依客戶圖案在薄玻璃上形成穿孔,用於半導體封裝3D整合;基本規格包括EN-A1無鹼玻璃、φ150/200/300 mm晶圓、約550×650 mm面板、0.1至0.5 mmt板厚,以及Through Via、Blind Via、直孔、錐孔與hourglass孔型。孔徑列為φ20至φ150 μm,最小pitch為孔徑2倍;產品利用玻璃的平坦度、形狀穩定、高絕緣與低介電損耗支援微細配線、高速大容量通訊、可靠封裝與晶圓/面板生產,可用於半導體封裝、Glass Interposer、3D Glass IPD、MEMS與Sensor Device。CYTOP®為非結晶型氟素高分子,具高透明性、電氣絕緣、撥水撥油、耐化學品、接近水的折射率、無螢光與駐極體特性,可對應半導體、電子與生技應用。CYTOP®可溶於專用含氟溶劑,可形成1 μm以下薄膜,並依基材形狀採SPIN、DIPPING、SPRAY、DISPENSING與DIE COATING等方式。由於不溶於一般溶劑,稀釋時使用專用溶劑,SPIN採180℃沸點溶劑,DIPPING採100℃溶劑,SPRAY則混用兩者;專用稀釋溶劑也可作為去除CYTOP®塗膜的清洗溶劑。應用包括柔性顯示器有機半導體閘極絕緣膜、UVC LED封裝材、震動發電機駐極體材料,以及檢測細胞、DNA與蛋白質的生物晶片。產品等級包含CTL-809A、CTX-809A、CTL-109AE、CTX-109AE、CTL-809M、CTL-107MK與CTX-809SP2,列有100℃或180℃溶劑沸點、7%或9%濃度、5 μm或0.2 μm過濾精度,並有CT-SOLV180、CT-SOLV100E、CT-SOLV100K溶劑。Fluon® ETFE film由原料至成品皆由AGC生產,具耐熱、耐化學品、透光、不沾、耐候、離型、防污與柔韌特性,可用於電子、航太、太陽能電池等領域。其材料符合UL 94VTM-0難燃規範,可在-200℃至200℃使用,可耐多數化學品包括強酸與強鹼,室溫單向拉伸可達400%以上,並列有半導體封裝與電子用離型膜用途。Fine-Silica RESIFA™ H SERIES提供中空Low Dk與實心Low Df二氧化矽填料,以降低電力與訊號損失,可用於塗料、薄膜、成型塑料、灌封膠、PCB、RF設備、電動車馬達與電池,也涵蓋銅箔基板、電路板、封裝材料及高頻元件。High Refractive Index Glass Substrate M 100 Series結合高折射率、高透光率、低吸收損失、高平坦度、高表面光滑度與熱化學穩定性,用於AR/MR智慧眼鏡及車載抬頭顯示器導光玻璃。DOE利用微結構表面繞射與分束雷射,結合光拾取與光通訊元件經驗及高精度玻璃微細加工,提供從設計、原型、評估、製程最佳化到大量生產的一站式工程服務。DOE具低零級光、高效率、高耐久、廣視角、高密度多點投影、多級加工,以及玻璃對熱、濕氣與雷射損傷的可靠性。Flat-Top Diffuser採全無機材料,較易進行AR鍍膜,並具高效率、高耐久、高耐熱與高雷射損傷閾值;可設計flat-top或1/cosnθ強度分布、方形或圓形光束,獨立控制X/Y擴散角度並減少目標區域外漏光,可用於感測、AR/VR/MR、安防、投影、光通訊、照明、雷射整形與LiDAR。Glass Frit與Glass Pastes可提供粉末、膏狀、預成形件與管材,用於電子裝置及電容、電感、MEMS等chip module的絕緣、氣密封裝、保護、接著、塗佈與燒結助劑。較廣的產品組合也包括IWAKI耐熱玻璃容器,產品描述包含無密封膠條便於清洗、可連蓋微波加熱,以及移除上蓋後可用電鍋或烤箱加熱。Fine-Silica RESIFA™ SUNSPHERE為以SiO2經合成造粒製成的球狀填充物,多孔特性可散射光線,高彈性可改善觸感,並具吸附/解吸、高硬度與表面矽烷醇基等功能;依類型列示平均粒徑3至20 μm、吸油量30至400 mL/100g。M.S.GEL為液相層析管柱用機能型球狀矽膠,應用從精密分析到量產級製備,並包含蛋白質與高分子分析/純化用大細孔產品、無球囊DM級、減少細粉的高通量HPLC柱及最小1.8 μm顆粒。其規格包括SiO2純度99.9至99.99%、多種粒徑與6至100 nm孔徑控制,EP-DF、EP-DM、D grade分別對應分析/半製備HPLC、製備層析與Flash Chromatography。Fine-Silica RESIFA™ SUNLOVELY由奈米級厚度、微米級直徑的鱗片狀SiO2構成,SiO2純度超過98%,一次粒子厚度低於0.1 μm,比表面積50至300 m2/g、孔體積0.1至0.7 cc/g,表面與層間有約30 μmol/m2高密度silanol基。SUNLOVELY有粉體與水分散slurry形式,具離子交換、超細粒子或藥物承載與吸附能力,slurry還可自成層狀結構,混入有機塗料後提供阻隔、強度、親水、耐熱與阻燃效果。Fluon+™ EA-2000是高頻應用的熱塑性PFA接著材料,保有氟樹脂耐熱與電氣特性並提升接著性,適用5G PCB;列示介電常數2.0、dissipation factor 0.001、吸濕率0.03%,且介電常數對溫度與頻率穩定。產品有12、25、38、50、75 μm薄膜、D50粒徑2至3 μm粉末,以及40 wt%固含量水性分散液,可用於車用雷達、5G饋線與天線、其他mmWave及高速數位應用。Glass Lid with AGC Solder可用於氣密封裝,熔點低於金錫焊料而可低溫接合,因Young's modulus較低可接合玻璃與陶瓷等異材,且較不易氧化,可在ambient氣氛下用於LED、LD、chip等元件氣密封裝。

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