基本情報
| ブース | K2268 |
| 国 | US |
| ウェブサイト | ACMR.com |
会社概要
ACM Research Inc. は 1998 年にカリフォルニアで設立され、世界の半導体産業に資本設備を供給しています。 ACM Research Inc. は中国・上海と韓国・仁川の子会社を通じて製品開発、製造、製品サポートを行い、グローバルな販売・サービス組織がアジア、北米、欧州の顧客を支援しています。 同社のマルチプロダクト・ポートフォリオは IC、化合物半導体、ウェハレベルパッケージング、ウェハ製造の用途を支え、業界をリードする顧客との協業経験を通じて最大 12 インチのウェハにおける先端技術ノードに対応しています。 製品ポートフォリオには、枚葉式およびバッチ式ウェット洗浄、電気めっき、熱成膜、ストレスフリー研磨、PECVD、ALD、トラック装置が含まれ、生産性、効率、歩留まりを改善しながら低い所有コストを目指すカスタマイズ装置・プロセスソリューションを提供しています。 ACM Research Inc. は、知的財産ポートフォリオに世界で認可された 448 件超の特許が含まれ、世界各地でサービスとサポートを提供しているとしています。 デバイス寸法の微細化に伴い、ウェット洗浄はサブミクロンの粒子や汚染物の除去に使用され、半導体製造では枚葉式とバッチ式の両方の洗浄技術が利用されています。 SPM ウェハ洗浄は、エッチング後基板とイオン注入膜から有機汚染物を除去し、白金シリサイド残渣の除去にも使用され、またフォトレジスト残渣や粒子は大型ダイ AI チップの歩留まりを低下させる可能性があります。 ACM Planetary Family は、工程に沿った半導体製造ポートフォリオを、前工程と先端パッケージングの主要段階をカバーする 8 つのシリーズにまとめています。 ウェハレベルおよびパネルレベルパッケージングでは、デバイス構造がヘテロジニアスインテグレーションや chiplet ベース設計へ進むにつれて、ウェットプロセス、電気化学めっき、PECVD などの専門プロセス技術への依存が高まっていると ACM Research Inc. は説明しています。
展示製品
ACM Research Inc. は、生産装置を開発・製造・販売し、枚葉式またはバッチ式のウェット洗浄、電気めっき、ストレスフリー研磨、PECVD、トラック、熱プロセス向けのサービスソリューションを提供しています。 Smart Megasonix はデバイス構造を損傷せずにウェハ全面を洗浄し、メガソニック洗浄の出力強度と分布を精密に制御できます。 平坦ウェハとパターン付きウェハ向けの独自 SAPS 技術は、メガソニック波の位相を交互に切り替えて微視的レベルで均一なエネルギーを与え、従来のジェットスプレー工程より効率的にランダム欠陥を除去します。 TEBO 技術は、メガソニック洗浄時の気泡キャビテーションを複数パラメータで精密制御し、2D パターンチップや FinFET、DRAM、3D NAND、3D cross-point memory などの 3D 構造に対応します。 TSV の銅オーバーバーデンや FOWLP のウェハ反りの課題に対し、ストレスフリー研磨は CMP 前の電気化学的な銅除去工程として用いられ、Ultra SFP ファミリーは応力、損傷、欠陥形成を低減し、後工程でより均一な平坦化を支えるよう設計されています。 Ultra C Tahoe 洗浄システムは SPM 洗浄を行いながら必要な硫酸量を減らし、薬液費と後工程の廃液処理費を低減します。 Ultra ECP map は、ACM Research Inc. の電気化学めっき技術を基盤とする Multi-Anode Partial Plating 機能を搭載しています。 ウェットプロセスのポートフォリオは、精密洗浄、表面処理、エッチング、フォトレジスト剥離、メタルリフトオフ、コーティング、現像をカバーし、Ultra C SAPS、Ultra C TEBO、Ultra C Tahoe、Single Hot SPM、Bevel ETCH、Ultra C b、Ultra C wb、Metal Lift Off、Post CMP Clean、Ultra C s、Ultra C ct、Ultra C dv、Ultra C we、Ultra C pr、Ultra C vac-p Flux Cleaning Tool、Ultra C bev-p tool、Ultra C vac Cleaning Tool を含みます。 ウェットプロセス装置にはバッチ式と枚葉式があり、酸化またはアニール、成膜、リソグラフィ前の洗浄、エッチングやドライアッシュ後の洗浄、フォトレジスト・粒子・金属汚染の除去、犠牲酸化膜・窒化膜の除去に使用されます。 ウェットプロセスの説明には、SPM、SC1、SC2 などの薬液、深溝や gate-all-around 構造向けのメガソニック洗浄、平坦面のバッチ式レジスト剥離・洗浄、表面をそのままにする裏面エッチングも含まれます。 Ultra ECP 製品ラインはデュアルダマシン構造、TSV、ウェハレベルパッケージング、化合物半導体製造に対応し、ビア、ピラー、バンプ、再配線層向けに Cu、Ni、SnAg、金をめっきできます。 電気化学めっき技術には、マルチゾーンアノード、ゴムシールめっきチャック、部分パルスめっき、ウェハの真空プレウェット、パドル技術があり、Ultra ECDP、Ultra ECP map、Ultra ECP 3d、Ultra ECP ap、Ultra ECP G-III、Ultra ECP ap-p がラインアップされています。 銅電気めっきでは、電解液組成、電流分布、攪拌を制御し、主要な浴成分として硫酸銅、硫酸、塩化物イオン、サプレッサ、レベラ、アクセラレータを挙げ、電流密度、銅イオン濃度、攪拌、温度を主要な電気化学条件としています。 熱プロセスには、APCVD、LPCVD、ALD 向けの 300mm バッチ装置のほか、アンドープポリ成膜、ドープポリ成膜、ゲート酸化膜成膜、高温酸化、高温アニールがあり、炉システムとして Ultra Fn、Ultra FnA、Ultra FN Atmospheric Pressure Oxidation/Anneal が挙げられています。 Ultra Furnace System はソフトウェア、ハードウェア、プロセス制御 IP を組み合わせて温度、圧力、ガス流量を安定制御し、熱 ALD はゲート誘電膜、拡散バリア、その他の薄膜に用いられ、膜厚、ドーピング、コンフォーマリティを制御します。 熱 CVD の材料には二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、タングステン、SiC、GaN が含まれ、熱プロセスの説明では 25 枚以上を同時処理することが多いバッチ処理と枚葉処理を比較し、1000°C を超える炉で使う SiC チャンバー部品も扱っています。 300mm リソグラフィトラックは i-line、KrF、ArF 工程を支援し、1 台でコーティングと現像を順次実行し、ラインアップには Ultra Lith KrF、Ultra Lith Track、Ultra Lith BK が含まれます。 PECVD 装置は 28nm 以上のロジック・メモリ用途向けで、厚膜・薄膜成膜、液体前駆体の直接供給、複数ヒーター、膜均一性の改善、膜応力の低減、パーティクル性能の改善を目的とした制御を備え、PECVD SiCN と Ultra Pmax™ が挙げられています。 化合物半導体製造向けには、ACM Research Inc. が SiC ウェハ・デバイス製造用にウェットプロセス装置を適合させており、Ultra C vac-p Flux Cleaning Tool、Ultra SiC Cleaning Tool、Ultra C SAPS、Ultra ECP G-III、Ultra C we、Ultra C pr、Ultra C ct、Ultra C dv が挙げられています。 ウェハレベルパッケージング向けには、後工程の組立・パッケージ用カスタム枚葉ツール、自動洗浄モジュール付き全自動 Coater、3 種類のフォトレジスト現像方式を実行する Developer、バッチと枚葉処理を統合した Stripper、pillar、bump、RDL めっき向け高速 ECP システムを提供しています。 ウェハレベルパッケージングの製品リストには Ultra ECDP、Ultra C b、Ultra ECP ap、Ultra C ct、Ultra C dv、Ultra C we、Ultra C pr、Metal Lift Off、Ultra SFP、Ultra C s、Ultra C vac Cleaning Tool が含まれます。 ファンアウト型パネルレベルパッケージングでは、Ultra C vac-p Flux が真空洗浄を行い、Ultra ECP ap-p が pillar、bump、RDL、fan-out、TGV 工程に対応して銅、ニッケル、錫銀、金など向けに最大 16 めっきチャンバーを搭載でき、Ultra C bev-p がベベルエッチングと銅除去を行います。 Ultra ECP ap-p は 510 x 515 mm2 および 600 x 600 mm2 の有機・ガラス基板を扱い、最大 7 mm のカバー反りに対応し、FOPLP の市場としてスマートフォン、タブレット、ウェアラブル機器、自動車電子、5G インフラ、AI、HPC が挙げられています。 ウェハ製造と再生では、ウェットベンチと SAPS ツールがウェハ生産のエッチング、CMP、洗浄を支援し、テストウェハから膜を剥離して廃棄前に数回再使用できるよう構成でき、システムには Ultra C SAPS、Post CMP Clean、Ultra C wb が含まれます。
対応領域・製品
- 枚葉・バッチ式ウェット洗浄装置
- SAPSメガソニックウェハ洗浄
- TEBO 3D構造メガソニック洗浄
- SPMウェハ洗浄
- 半導体電気化学めっきECPシステム
- ストレスフリー研磨SFP
- 300mm LPCVD・ALD・酸化アニール炉
- i-line・KrF・ArFリソグラフィ塗布現像トラック
- PECVD薄膜堆積装置
- ウェハウェットエッチング
- フォトレジスト剥離
- メタルリフトオフプロセス装置
- Post-CMPウェハ洗浄
- ウェハレベルパッケージ用ウェットプロセス装置
- ファンアウトパネルレベルパッケージめっき・洗浄装置
- SiC化合物半導体ウェットプロセス装置
- テストウェハ薄膜剥離・再生