基本資料
| 攤位 | K2268 |
| 國別 | US |
| 網站 | ACMR.com |
公司簡介
ACM Research Inc. 於 1998 年在加州成立，向全球半導體產業供應資本設備。 ACM Research Inc. 透過位於中國上海與韓國仁川的子公司提供產品開發、製造與產品支援，其全球銷售與服務組織則支援亞洲、北美與歐洲的客戶。 其多產品組合支援 IC、化合物半導體、晶圓級封裝與晶圓製造應用，並以和業界領導客戶合作的經驗支援先進技術節點與最大 12 英吋晶圓。 其製程產品組合涵蓋單片式與批次式濕式清洗、電鍍、熱沉積、無應力拋光、PECVD、ALD 與塗佈顯影軌道設備，並提供客製化設備與製程方案，以提升生產力、效率與良率，同時維持低持有成本。 ACM Research Inc. 表示其智慧財產組合包含超過 448 項全球已核准專利，並在全球提供服務與支援。 隨著元件尺寸縮小，濕式清洗用於去除次微米微粒與污染物，半導體製造同時採用單片式與批次式清洗技術。 SPM 晶圓清洗可去除蝕刻後基板與離子佈植薄膜上的有機污染物，也用於去除矽化鉑殘留物；光阻殘留與微粒可能降低大型晶粒 AI 晶片的良率。 ACM Planetary Family 將其依製程排列的半導體製造產品組合分為八個系列，涵蓋前段製程與先進封裝的主要階段。 在晶圓級與面板級封裝方面，ACM Research Inc. 說明隨著元件架構朝異質整合與 chiplet 設計發展，專用製程技術的使用持續增加，其中包含濕式製程、電化學電鍍與 PECVD。
展出產品
ACM Research Inc. 開發、製造並銷售生產設備，並為單片式或批次式濕式清洗、電鍍、無應力拋光、PECVD、塗佈顯影軌道與熱製程提供服務方案。 Smart Megasonix 可在整片晶圓上進行完整清洗而不損傷元件結構，並可精準控制兆聲波功率強度與分佈。 針對平坦與圖案化晶圓，自有的 SAPS 技術利用交替相位的兆聲波，在微觀尺度提供均勻能量，並比傳統噴射製程更有效率地去除隨機缺陷。 TEBO 技術在兆聲波清洗中提供精準的多參數氣泡空蝕控制，適用於 2D 圖案化晶片與 FinFET、DRAM、3D NAND、3D cross-point memory 等 3D 結構。 針對 TSV 銅過量與 FOWLP 晶圓翹曲問題，無應力拋光作為 CMP 前的電化學銅去除步驟，Ultra SFP 系列旨在降低應力、損傷與缺陷形成，並支援後續更均勻的平坦化。 Ultra C Tahoe 清洗系統採用 SPM 清洗，同時降低所需硫酸用量，進而降低化學品與製程後廢棄物處理成本。 Ultra ECP map 採用 ACM Research Inc. 的 Multi-Anode Partial Plating 功能，建立在其電化學電鍍技術之上。 其濕式製程產品組合涵蓋精密清洗、表面處理、蝕刻、光阻剝除、金屬剝離、塗佈與顯影，產品包括 Ultra C SAPS、Ultra C TEBO、Ultra C Tahoe、Single Hot SPM、Bevel ETCH、Ultra C b、Ultra C wb、Metal Lift Off、Post CMP Clean、Ultra C s、Ultra C ct、Ultra C dv、Ultra C we、Ultra C pr、Ultra C vac-p Flux Cleaning Tool、Ultra C bev-p tool 與 Ultra C vac Cleaning Tool。 濕式製程設備提供批次式與單片式配置，應用包括氧化或退火、沉積與微影前清洗，蝕刻與乾式灰化後清洗，去除光阻、微粒與金屬污染，以及去除犧牲用氧化物與氮化物層。 濕式製程說明也涵蓋 SPM、SC1、SC2 等化學配方、深溝槽或 gate-all-around 結構的兆聲波清洗、平坦表面的批次光阻剝除與清洗，以及保持正面不受影響的晶圓背面蝕刻。 Ultra ECP 產品線支援雙鑲嵌結構、TSV、晶圓級封裝與化合物半導體製造，並可針對通孔、柱、凸塊與重佈線層進行 Cu、Ni、SnAg 與金電鍍。 其電化學電鍍技術包括多區陽極、橡膠密封電鍍夾具、局部脈衝電鍍、晶圓真空預潤濕與槳式技術，產品線包括 Ultra ECDP、Ultra ECP map、Ultra ECP 3d、Ultra ECP ap、Ultra ECP G-III 與 Ultra ECP ap-p。 在銅電鍍方面，製程說明涵蓋電解液組成、電流分佈與攪拌控制，主要鍍液成分包含硫酸銅、硫酸、氯離子、抑制劑、整平劑與加速劑，並將電流密度、銅離子濃度、攪拌與溫度列為重要電化學條件。 熱製程包含用於 APCVD、LPCVD 與 ALD 的 300mm 批次設備，以及未摻雜多晶矽沉積、摻雜多晶矽沉積、閘極氧化層沉積、高溫氧化與高溫退火，列出的爐管系統包括 Ultra Fn、Ultra FnA 與 Ultra FN Atmospheric Pressure Oxidation/Anneal。 Ultra Furnace System 結合軟體、硬體與製程控制 IP，以穩定控制溫度、壓力與氣體流量；熱式 ALD 則用於閘極介電層、擴散阻障層與其他薄膜，並提供膜厚、摻雜與共形性控制。 熱 CVD 應用材料包括二氧化矽、氮化矽、多晶矽、鎢、SiC 與 GaN；熱製程說明也比較通常可同時處理 25 片以上晶圓的批次製程與單片式製程，並討論用於超過 1000°C 爐管的 SiC 腔體元件。 300mm 微影塗佈顯影軌道平台支援 i-line、KrF 與 ArF 製程，能在單一設備上連續完成塗佈與顯影；列出的系統包括 Ultra Lith KrF、Ultra Lith Track 與 Ultra Lith BK。 PECVD 設備面向 28nm 及以上的邏輯與記憶體應用，支援厚膜與薄膜沉積，採用液態前驅物直接輸送、多組加熱器與相關控制，以改善薄膜均勻性、降低薄膜應力並改善微粒表現；列出的系統包括 PECVD SiCN 與 Ultra Pmax™。 在化合物半導體製造方面，ACM Research Inc. 為 SiC 晶圓與元件製造調整濕式製程設備，列出的工具包括 Ultra C vac-p Flux Cleaning Tool、Ultra SiC Cleaning Tool、Ultra C SAPS、Ultra ECP G-III、Ultra C we、Ultra C pr、Ultra C ct 與 Ultra C dv。 針對晶圓級封裝，其產品包括後段組裝與封裝用的客製化單片式工具、具自動清洗模組的全自動 Coater、可執行三種光阻顯影方法的 Developer、整合批次與單片式處理的 Stripper，以及用於 pillar、bump 與 RDL 電鍍的高速 ECP 系統。 其晶圓級封裝產品清單包括 Ultra ECDP、Ultra C b、Ultra ECP ap、Ultra C ct、Ultra C dv、Ultra C we、Ultra C pr、Metal Lift Off、Ultra SFP、Ultra C s 與 Ultra C vac Cleaning Tool。 在扇出型面板級封裝方面，Ultra C vac-p Flux 採用真空式清洗，Ultra ECP ap-p 支援 pillar、bump、RDL、fan-out 與 TGV 製程，最多可配置 16 個電鍍腔體，用於銅、鎳、錫銀、金與其他材料，Ultra C bev-p 則可執行邊緣蝕刻與銅去除。 Ultra ECP ap-p 可處理 510 x 515 mm2 與 600 x 600 mm2 的有機與玻璃基板，並管理最大 7 mm 的蓋板翹曲；FOPLP 的應用市場包括智慧型手機、平板、穿戴式裝置、汽車電子、5G 基礎建設、AI 與 HPC。 在晶圓製造與再生方面，濕式槽體與 SAPS 工具支援晶圓生產中的蝕刻、CMP 與清洗，並可設定為從測試晶圓剝除薄膜，使晶圓在丟棄前可重複使用多次；列出的系統包括 Ultra C SAPS、Post CMP Clean 與 Ultra C wb。
能力與產品項目
- 單晶圓與批次濕式清洗設備
- SAPS 兆聲波晶圓清洗
- TEBO 3D 結構兆聲波清洗
- SPM 晶圓清洗
- 半導體電化學鍍膜 ECP 系統
- 無應力拋光 SFP
- 300mm LPCVD / ALD / 氧化退火爐
- i-line / KrF / ArF 光刻塗佈顯影 Track
- PECVD 薄膜沉積設備
- 晶圓濕式蝕刻
- 光阻剝除
- 金屬 Lift-Off 製程設備
- Post-CMP 晶圓清洗
- 晶圓級封裝濕製程設備
- 扇出型面板級封裝電鍍與清洗設備
- SiC 化合物半導體濕製程設備
- 測試晶圓薄膜剝除再生