基本情報
| ブース | J3234 |
| 国 | TW |
| ウェブサイト | www.winfoundry.com |
会社概要
WIN Semiconductors Corp. は1999年10月に設立され、世界初の専業6インチGaAsファウンドリとなりました。拡大する需要に対応するため、コスト効率、高速性、高品質を備えたGaAs MMIC、すなわちモノリシック・マイクロ波ICと、RFIC、すなわち無線周波数ICを製造する3つの先進GaAsウェハファブを設立しました。WIN は設計会社とIDMに専用ファウンドリサービスを提供し、GaAs技術を用いて世界のIC企業向けにHBTおよびpHEMT MMIC製造サービスを提供しています。MMIC技術を基盤として、光通信および3Dセンシング用途の光電子デバイス製造サービスも提供しています。
展示製品
2007年以降、WIN Semiconductors Corp. は世界最大の6インチ（150 mm）GaAs専業ファウンドリと位置付け、3つの先進ファブでMMIC用途向けにHBT、pHEMT、BiHEMT、GaNのファウンドリサービスを提供しています。2006年以降は4シフトの24/7連続ファウンドリサービスを運用し、2018年には年間能力が340,000ウェハを超え、世界のGaAsファウンドリ需要の50%以上を満たしたとも述べています。半導体製造に加え、ICレイアウト支援と自動DC/RFオンウェハテストを提供し、短いターンアラウンド、コスト効率の高いターンキーソリューション、総合品質管理をファウンドリサービスの柱としています。社内ウェハテストはHBTとHEMTの両製品に対応し、顧客向け標準WATデータベースとSPC解析用PCMデータベースを提供し、CIMシステムが自動生成するリアルタイム歩留まりレポートで処理済みウェハが出荷基準を満たすか判定します。顧客要望に応じてプローブカード製作とオンウェハDC/RFスクリーニングも提供し、DC単一サイトおよび複数サイト並列プロービングは最大hex-site X16、高電流測定は1Aに対応します。RF試験には挿入損失と高調波試験、4ポートのベクトルSパラメータ試験のシングルエンド／差動、Gain、P1dB、Psatを対象とする固定または掃引RF電力試験、+10 dBmを超えるRF高入力電力試験、CW／Pulse試験が含まれます。設計支援ではEDAベンダーと協力して高精度デバイスモデルと各種PDKを開発し、完全な設計プラットフォーム、正確な回路シミュレーション、効率的なレイアウトsign-offとマスクtape-outを提供します。Fast WIN PDK SERVICE は業界標準のRF EDAツールに対応し、デバイスおよびサブ回路モデル、柔軟なP-cellレイアウト、EM、DRC、LVS機能、回路設計を扱いやすくするインターフェースを含みます。WINの社内モデルは自社プロセスへの適合を重視し、性能予測に加えて歩留まり解析用のcornerおよび統計シミュレーションに対応します。WebDRCシステムは24時間オンラインDRC検証と即時のルール更新を提供し、タイムゾーンによる遅延なしでレイアウトsign-off、マスクtape-out、生産サイクルへの移行を迅速化します。設計支援プログラムには、WIN技術、ファウンドリサービスの流れ、Design Kitの紹介、設計デモンストレーションの流れを扱う顧客研修も含まれます。これらを通じて、6インチGaAsウェハ製造、HBT、pHEMT、BiHEMT、GaN MMICファウンドリプロセス、光電子デバイス製造、ICレイアウト支援、PDKによる設計支援、自動オンウェハDC/RFテストを一つのファウンドリワークフローにつなげています。
対応領域・製品
- 6インチGaAsファウンドリサービス
- GaAs MMIC/RFIC製造受託
- HBT MMIC製造受託
- pHEMT MMIC製造受託
- GaN MMICファウンドリサービス
- 光通信・3Dセンシング向け光デバイス製造受託
- オンウェハDC/RF自動試験
- ICレイアウト支援
- RF IC PDK設計支援